nand flash bad block 导致的问题

以前NOR FLASH用得比较多，因为此类FLASH一般是不考虑坏块的，若有坏块就不能使用。而NAND FLASH坏块现象非常普遍，

大部分人都在操作系统的基础上使用，不会发现有什么问题。因为操作系统对NAND的读写操作做了封装，并且是基于文件系统之上，

对用户是透明的。其实之前刚用NAND FLASH时，也没有发现什么需要特殊注意的地方。但今天的调试后发现的问题，让我感觉使用

两者FLASH时需要考虑的程序设计细节！

 

下面就举一个嵌入式开发过程中FLASH分区的例子，警惕自己以后特别注意：

FLASH划分为boot, para, kernel, rootfs(yaffs), dbase(yaffs)。假设：

boot +loader 512K

para                512k

kernel             6M

rootfs              12M

dbase             6M

系统启动后，boot部分引导代码处于NAND FLASH的无坏块区，即第一个BANK。之后的运行过程中如果涉及到读写FLASH，都需要进行坏块的

计算。所以，如果BOOT+LOADER编译出来就由512K，那么千万不要把BOOT分区只定义到512K这么大。万一后续升级后发现有坏块，都没地方

写了，只有溢出BOOT分区，写到PARA参数分区。

 

同样，当通过boot写其他分区时，避免整块的读写操作。比如更新PARA时，一般NORFLASH经常都从PARA读512K数据，修改后直接存储512K进去。

即便参数有可能只有几十K的数据大小。（并且千万不要按以前通过分区尾最后一个字节来判断分区的有效性，这里是行不通的）

如果有坏块，实际的phylength肯定要大于512K，就会产生错误。最好定义一个PARA的结构体，通过结构体的大小来判断读写

界限。

 

对于YAFFS文件系统类的分区，其实原则也是一样的，对于常用的DBASE数据库分区，可以定义的大一些，因为操作久了，坏块可能会增加！

只是具体的保护由文件系统来执行，但最终的结果肯定是存储不下的！