ram rom flash eeprom ddr...这些都是什么鬼

这么多名词，有没有一脸懵逼，没关系，先让我们来看一张图

有了上面这张图，是不是有了一个大概的认识了，再让我们深入的了解一下

 

RAM(random access memory):随机存取存储器，它能随时读写，而且速度很快，断电数据丢失，主要存储程序的临时数据

RAM又分静态的RAM（SRAM）和动态的RAM（DRAM）

SRAM ：利用6个晶体管组成一个双稳态存储单元来保存信息，具有双稳态特性，像一个倒转的钟摆，有左右稳态，中间是亚稳态，只要不掉电，信息是不会丢失的，对干扰不敏感，但是价格高、功耗高。

DRAM：将每个位存储为对一个电容充电，每个单元需要一个电容和晶体管，对干扰很敏感，电容会慢慢失电，所以要不断读出来再写回去，来刷新内存，价格比sram低很多，功耗也低。

SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。 

DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM

DDR：是DRAM的一种，这是目前电脑中用得最多的内存。时钟信号的上升沿与下降沿均可进行数据处理，使数据传输率达到SDR(Single Data Rate)SDRAM 的2倍。至于寻址与控制信号则与SDRAM相同，仅在时钟上升沿传送。

上面的这些都是RAM，断电丢失数据，再来了解一下ROM，这个是断电不丢失数据，适用于编程（是不是见过电脑中BIOS ROM）

 

ROM(read only memory):只读

存储器，一般是装入整机前事先写好的，整机工作过程中只能读出，而不像随机存储器那样能快速地、方便地加以改写。ROM所存数据稳定，断电数据不丢失

最初的ROM是不能擦除只能读的，是不是很不方便，假设我们要更改我们的代码，那么必须用另一块ROM，这样很浪费又麻烦，是不是可以有一种可以反复使用的ROM，有这种想法，就会有进步，后面出现了PROM，可以擦除一次的（代码bug这么多，一次不够用），有需要多次擦除ROM的需求，那么肯定会有这种产品的诞生，后来就出现了EPROM,这个可以用光擦除，而且每一次擦除时间不短（这样搞，一个bug有可能搞几天，效率太低），是不是可以擦除时间快一点方便一点，于是就有了EEPROM,（有了这个，再也不用担心调试代码了，产品经理从后面走出来说，下班别走，bug还没改完呢）

 

传统的eeprom是按字节擦除的，可以随机访问和修改任何一个字节，可以往每个bit中写入0或者1,但是电路复杂/成本也高。

 

flash是进化版的EEPROM，
flash做的改进就是擦除时是以块为单位，这样简化了电路，降低了成本。上M的rom一般都是flash。
 
flash分为nor flash和nand flash。
nor flash数据线和地址线分开，可以实现ram一样的随机寻址功能，可以读取任何一个字节。但是擦除仍要按块来擦。
nand flash同样是按块擦除，但是数据线和地址线复用，不能利用地址线随机寻址。读取只能按页来读取。


由于nandflash引脚上复用，因此读取速度比nor flash慢一点，但是擦除和写入速度比nor flash快很多。nand flash内部电路更简单，因此数据密度大，体积小，成本也低。因此大容量的flash都是nand型的。小容量的2～12M的flash多是nor型的。
使用寿命上，nand flash的擦除次数是nor的数倍。而且nand flash可以标记坏块，从而使软件跳过坏块。nor flash 一旦损坏便无法再用。
 
因为nor flash可以进行字节寻址，所以程序可以在nor flash中运行。嵌入式系统多用一个小容量的nor flash存储引导代码，用一个大容量的nand flash存放文件系统和内核。