简述ROM、RAM和FLASH的区别

一、ROM、FLASH 和 RAM 都是存储器件，以下是它们之间的区别：

1. ROM（Read-Only Memory，只读存储器）：ROM是一种只读的存储器，无法被写入新的数据或者修改原有数据，只有在制造时进行编程，通常用于存储启动代码和固化程序，例如BIOS、固件等。

在单片机中用来存储程序数据及常量数据或变量数据，凡是c文件及h文件中所有代码、全局变量、局部变量、‘const’限定符定义的常量数据、startup.asm文件中的代码（类似ARM中的bootloader或者X86中的BIOS，一些低端的单片机是没有这个的）通通都存储在ROM中。

PROM（Programmable Read-Only Memory，可编程只读存储器）、EPROM（Erasable，可擦除可编程只读存储器）、EEPROM（Electrically，电可擦除可编程只读存储器）。它们与ROM的关系在于：都是存储器，都能够永久保存在其中存储的数据。但与 ROM 不同的是：它们可以被编程多次，也可以被擦除。

1. PROM 是一种只能被编程一次的存储器，用于存储在制造过程中不需要经常修改的程序。 在制造时是未编程的，用户需要使用专门的设备将数据编程到 PROM 中，之后就无法修改。PROM的读取速度相对于 ROM 要快。

2. EPROM 可以被擦除并重新编程多次，可以通过使用紫外线照射擦除其存储的内容。EPROM 的擦写操作比较耗时，在擦写操作前必须将其存储的内容备份，以便在重新编程之后将数据恢复到 EPROM 中。

3. EEPROM 可以被电擦除，也可以重新编程多次。它的擦写操作速度比 EPROM 要快，而且不需要紫外线进行擦除。EEPROM 可以被编程、擦写和读取，所以被广泛应用于存储上电后程序和数据。

2. RAM（Random Access Memory，随机存取存储器）：RAM是计算机中临时存储数据的存储器，用于存放如操作系统、运行程序等等。RAM与ROM和Flash的区别在于，它不是只读存储器，而且存储的数据也可以进行修改。它可以被读写，具有更快的读写速度，但是它是一种易失性存储器，即当电源关闭时，存储在RAM中的数据也就丢失了。 

它主要用来存储程序中用到的变量。凡是整个程序中，所用到的需要被改写的量（包括全局变量、局部变量、堆栈段等），都存储在RAM中。

3. FLASH：Flash是一种电子存储设备。它类似于EEPROM，但Flash的操作是以块进行的，而EEPROM的操作逐个字节进行。因此，相对于EEPROM，Flash比较快且密度更高。

Flash通常用于存储用户程序和需要永久保存的数据。。Flash是非易失性存储器，由于具有较长的寿命和更大的存储容量，所以也常用于移动设备和其他嵌入式应用。

例如，现在家用的电子式电度表，它的内核是一款单片机，该单片机的程序存放在ROM中，而电度表工作过程中采集的电压和电流的数据放在RAM中，通过电压电流数据计算出的电度就存放在Flash中。

综上，ROM、Flash和RAM都是不同类型的存储器件，各自具有其特点和应用场景。

二、ROM,RAM和FLASH在单片中的运作原理

三、ROM中包含所有的程序内容，在MCU上电时，CPU开始从第1行代码处执行指令。这里所做的工作是为整个程序的顺利运行做好准备，或者说是对RAM的初始化（注：ROM是只读不写的），工作任务有几项

一参考文章：ROM, FLASH和RAM的区别 - 知乎 (zhihu.com)

二、三内容：(15条消息) 单片机中的ROM,RAM和FLASH的作用_小白study的博客-CSDN博客