MOS管认识及选型的一点见解

本文对于MOS管的具体原理不做深入研究，仅对应用中如何简捷的选择一款较为合适的MOS管给出一些作者的见解。本文仅针对增器型MOSFET，耗尽型不做考虑。

BJT与MOSFET

BJT(Bipolar Junction Transistor)，双极结型晶体管，出现早于MOSFET，起初因其工艺成熟价格便宜应用比MOSFET广泛，但是目前MOSFET的工艺成熟后价格也大幅下降，应用远超BJT，几乎在常用领域比如开关，电平转换，功率放大等几乎是能用MOSFET就不再使用BJT。
究其原因，BJT是电流控制器件，b极驱动需要mA级别电流，比如放大倍数β=100的BJT，要想获取集电极500mA的电流就需要b极5mA的电流，对于低功耗要求的情况这个电流显然不理想。而MOSFET是电压控制型器件，输入阻抗非常大，输入电流uA级别，非常适合低功耗应用。
BJT开启后其导通饱和电压通常0.7v左右（也有可以做的很小的，不考虑了），以500mA的通流为例，导通电阻约为1.4R，消耗在BJT上的热功率为0.35W；而MOSFET的导通电阻一般为毫欧级别如50mR，那么导通电压为0.025V，消耗在MOSFET上的热功率为0.0125W；显然MOSFET优于BJT。
所以，MOSFET的应用全面超越BJT，虽然模电课本上大篇幅讲的还是BJT（这个可能是路径依赖吧，或者更容易理解半导体的原理），但是实际上工作中最常打交道的一般是MOSFET。而且是增强型MOSFET居多，耗尽型的开启电压是负值，在一些特殊场合有用。

选择MOSFET需要哪些参数

事实上，针对不同的应用场景，选型上的侧重点不同，对于低压小功率的应用场景，比如低压3.3V逻辑电路的开关，电平转换这些小功率场景，主要考虑的是速度和启动电压Vth，对于耐压Vds、导通电阻Ron及散热要求一般器件都能满足。而针对DCDC的开关管，就要多考虑散热、Ron和耐压了，而速度较高时不过是几MHz，一般都能满足。
大功率场景，如大功率反激电源的开关管，对于散热、耐压需要更多的考虑。
那么下面讨论一下常用的中小功率（1W以内为小功率，1~10W为中功率）的应用场景，如何选型。
首先熟悉一下MOS管规格书和参数，这里截取IRFHM830TRPBF的一段规格书里的数据，IRFHM830这颗MOS广泛用于低压电机控制，比如螺丝刀的直流电机控制（H桥）。

从这一页datasheet可以得到许多有用信息，首先是基本参数Vds，Ron，Id，Rg（符号与datasheet有出入，方便编码）；然后，应用–电池供电直流电机驱动；特性，订购信息，绝对最大参数其实前面的基本参数就是把绝对最大参数中最重要的部分摘录出来了。
这一页datasheet，没有详细列出参数的测试条件，再看下一页的一部分：

列表中Coditions一列有的直接给出了测试条件，有的注明See Fig.17&18这样的表述，是通过图表来说明测试，这里不再赘述。
阅读这份datasheet，固然需要英语，最重要的还是对MOSFET的理解，这里放上一张MOSFET的结构示意图，简单进行一些分析。

如图所示，栅极G是由：金属–氧化物（二氧化硅）–P型衬底组成，氧化物绝缘形成了隔离层，这就是为什么MOS管是电压控制，它没有电流流过（当然有微小的漏电流），通过电压来控制导通沟道的宽度，从而控制导通深度。其导通原理简单描述如下：G电压与P型衬底形成电场在耗尽层(Depletion layer)上方的通道区(Channel Region)形成导通通道，其实就是电场作用下电子（负电荷）上移，在通道区形成电子聚集区，这个聚集区有导电能力，可以看出这里起导电作用的只有一种粒子（电子），所以MOSFET是单极型器件。
从图中可以看出源极（S极）和漏极（D极）是完全对称的结构，所以一旦导电沟道形成，电流即可以从D到S流动，也可也从S到D流动，所以MOSFET具有双向导通能力。既然S和D完全对称，怎么区分呢，就是一般都会把Body和一端相连（这端就叫做Source）（分立器件中都这样做，集成IC中PMOS有时Body单独接地），这样就区分出S和D，同时也能获取到最小启动电压(Vth)。

下面讨论选型时需要考虑的参数。

漏源击穿电压Vds

Vds漏源电压，这是在栅源短路情况下，漏极电流250uA时（上述datasheet中有列出在BVDSS一列），MOSFET所能承受的保证不损坏的最高电压；事实上就是发生雪崩击穿的电压，从MOS的结构图可以看出S和D都PN结，加大电压会引发雪崩击穿从而损坏PN结。
根据电路实际情况选择Vds，非常关键，这是保证MOSFET在电路中不被损坏的重要参数。一般Vds跟电路的供电电压直接相关，留20%以上余量较好。

栅源击穿电压Vgs

由于栅极具有绝缘隔离层，Vgs过大会击穿金属膜或者氧化物隔离层，事实上MOSFET对静电非常敏感也是这个原因。
设计电路时，特别是G极有上拉，一定要考虑Vgs是否超标。否则很容易造成MOS损坏。

导通电阻Rds

导通电阻Rds并不是一个固定的值，datasheet中也表明不同条件下Rds不同，一般电流增大Rds也会增大。在开关应用下考虑Rds就是考虑MOS的压降，在功率电路里考虑Rds主要考虑效率。

漏极电流Id

漏极电流Id表征的是MOSFET的功率，功率放大或者带载开关对这一参数都有要求，最好保留20%以上余量。datasheet中看到Id和温度或者说散热密切相关（Ta环境温度，Tc封装底面温度这和散热有关），所以考虑这一参数时需要考虑散热设计。这里简单讨论一下，一般热功率跟封装密切相关，封装大散热效果好，所以功率越大的MOSFET个头也更大。如果封装小，就要考虑是否有散热焊盘，如何处理散热焊盘，一般将散热焊盘与大面积覆铜连接，最好PCB的顶面和地面打多个过孔用于传递热量。

栅极电荷Qg和栅极电阻Rg

Qg是栅极电压升到10V时，栅极充电电荷量，datasheet中所列测试条件更加详细。那么Qg主要表征的是栅源电容量Cg，同时他对栅极电压上升时间影响较大，Rg和Cg可以看做一个RC电路，当电压脉冲到达时首先是通过Rg向Cg充电，所耗时间，就是脉冲上升沿的时间，即影响MOSFET速度的直接量。
所以在高速电路中选型MOSFET时，不得不考虑这两个量。

P沟道还是N沟道

P沟道的载流子是空穴而N沟道的载流子是电子，很容易理解空穴比电子更不容易移动（电子的迁移率是空穴迁移率的2.5倍左右，注：迁移率是单位电场内载流子的运动速度），所以同样面积的P沟道比N沟道的导通电阻大的多，所以选型时会发现，厂家都是N沟道MOSFET多而P沟道少。但是如果作为高边开关应用，而且不想设计复杂驱动（比如，自举）还是要选用P沟道，所以在电源开关上PMOS的应用非常多。
NMOS相对来讲用在低边开关较多，高边开关时需要自举驱动电路，如图H桥电路，Q1和Q3就是高边开关，其G极开启电压的参考点是S极而不是地，叫做浮地，或者自举。

封装

封装不仅与散热有关，其实也跟工艺实现有关，仔细观察AOS的选型表

所有SOT-23封装的PMOS耐压没有超过30V的，当然其它厂家是有SOT-23耐压60V的PMOS，比如si2309。

几个厂家

这里就不推荐具体厂家了，国产的产品质量越来越好，低压MOS基本都有替代国外产品的能力，大功率做的也不错，但是笔者用的较少，立创上搜一搜吧！

总结

本文对增强型N沟道MOSFET进行了一些讨论，当然完全可以把这些讨论应用在P沟道MOSFET上；对于常见的应用场景，MOSFET的选型并不难，只要把握几个关键的参数就能选到合适的MOS管。