ganghoodppbk的博客

随着温度的变化，导体的电阻会发生变化，从而影响到栅极电压的大小，同时材料的电子特性也会发生变化，从而影响到阈值电压的大小。但高温，热激发的本征载流子浓度高，会降低Vt。基本上在老的工艺里面，迁移率占主导，是不需要考虑负温效应（不同于常温材料，对半导体来说，温度越高，电阻率越低）的。那么，在不考虑“温度翻转效应”的情况下，下方链接可以参考的结论就是——wc(worst case slow，低压高温，delay最大)和lt(或bc，best case fast，高压低温，delay最小)是我们要跑的仿真。

还要注意，My Mz Mr指代的是不同厚度的金属层，如你所说的1p8m5x1z1u，金属层分别是M1,Mx(M2-M6),Mz(M7),Mu(M8),直接搜索对应的M1,Mx,Mz,Mu的rule即可。//目前版图中，由于NMOS管带有DNW，导致NMOS所占面积远远大于PMOS，且并联的NMOS之间间距过大，故而考虑将DNW电位相同的NMOS放在同一个深N阱中。就是所谓的有源区，它包含两个部分，一部分是MOS管的源区和漏区，所谓的diffusion，还有就是沟道区，就是Gate Oxide下面的部分。

cadence virtuoso 画电路图的使用技巧