IGBT有源钳位技术研究

  关于IGBT的有源钳位技术，也有称Vce钳位，VceClamp，区别于有源米勒钳位。
  这里推荐一篇文章，值得一看：IGBT应用技术之有源钳位详解
  典型的有源钳位电路通过TVS直接引入负反馈到栅极，如下：

  这种方式有如下缺点：

1. 关断时驱动信号钳位在-8V（图中推挽驱动下管打开），如果想调慢关断速度达到Vce钳位的目的，TVS需要提供很大的反馈电流。因此需要大功率的TVS，价格先不谈，拉个高压的TVS看看：

当反向电压达到492V~543V时，TVS开始击穿，这个偏差已经很大了（51V），当电流继续增大，这个电压还会变大，0.9A对应最大钳位电压713V。也就是说，这个TVS用在IGBT有源钳位中，钳位电压的范围很宽，最终能钳位的电压更宽（543V ~ 713V）。这还是不考虑器件散差，温度等等因素。这里还要注意一点，0.9A的电流能够在栅极驱动回路上产生一定压降，不然完全被推挽下管旁路，调节效果一般。
2. 这种反馈方式加大了IGBT的Crss（反向传输电容）。简单理解一下，Crss是IGBT控制回路与被控制对象（功率回路）的耦合电容（通过dv/dt耦合），我们当然希望被控对象不要干扰控制回路，也就是说这个电容越小越好。问题来了，TVS的结电容无疑加大了Crss。尤其是高压系统中每次开关的dv/dt造成的Crss充放电电流相当可观，会影响正常的开关过程，也就是说，即使TVS没击穿，但TVS的结电容引入的反馈可能已经起作用了，导致开关过程都变慢，增加开关损耗。如果驱动芯片有米勒钳位功能，可能还会损坏米勒钳位的MOS。高压TVS的结电容在几十个pF。


  综上，如果非得用这种方式，首先要评估关断路径的阻抗，需要TVS反馈多大电流才能使钳位起作用，然后选择合适电流的大功率TVS。然后，选用TVS串联是一个很好的方式，首先能降低结电容，其次，器件都是正态分布的，串联个数越多，理论击穿电压越准。
  还有一种办法，将反馈连接至驱动芯片，利用驱动的推挽输出能力来缓慢关断IGBT，达到Vce电压尖峰钳位的目的。这种方法不需要大功率的TVS，只需要一个小信号能反馈即可。另外这种方式对栅极电阻没有要求，可以在不增加开关损耗的前提下进行有源钳位。就看所选的驱动芯片是否有该功能了，有的话一定要利用好。