双脉冲测试中IGBT驱动电阻和驱动电容的研究

  在LTspice中没有双脉冲波形发生器，要做一个双脉冲的波形只能用电压源来进行特殊设置，不是很方便，为此我写了一个双脉冲波形发生器，有需要的可以下载。双脉冲波形发生器。
　　如下，该元器件可以自定义延迟时间Td，第一个脉冲宽度T1，第二个脉冲宽度T3，两个脉冲间隔T2，脉冲循环个数Ncycle以及高低电平Vhigh，Vlow。
　　
　　
　　
以下结论可能只适用于平面栅IGBT，沟道栅IGBT不一定是这种规律。不同工艺的半导体器件特性是不一样的，目前我也没有找到足够的理论依据，也不能分析的很透彻。实践是检验真理的唯一标准，理论提供一个调整方向。因此无论是MOS还是IGBT，当我们调整参数得不到满意结果时，可以反向调整参数试试！比如不要一味的加大栅极电容，没准去掉后效果反而更好。

1. IGBT开通时Rg的影响：
   如果增大Rg：
   ①开通延时增加；
   ②di/dt和dv/dt减小；
   ③反向恢复电流尖峰减小；
   ④开通损耗增加；
   
2. IGBT关断时Rg的影响：
   如果增大Rg：
   ①关断延时增加；
   ②di/dt和dv/dt减小；
   ③关断电压尖峰减小；
   ④关断损耗增加；
   
3. IGBT开通时Cge的影响：
   如果增大Cge：
   ①开通延时增加；
   ②di/dt和dv/dt减小；
   ③反向恢复电流尖峰减小；
   ④开通损耗增加；
   
4. IGBT关断时Cge的影响：
   如果增大Cge：
   ①关断延时增加；
   ②di/dt和dv/dt减小；
   ③关断电压尖峰减小；
   ④关断损耗增加；
   $调整Cge对IGBT关断时Vce和Ic波形影响相对较小！$
   
   增加Cge的好处：虽然增加了开关损耗，但降低了反向恢复，减小了反向恢复的dv/dt。