半导体器件物理-施敏 资源下载

半导体器件物理-施敏 资源下载

【下载地址】半导体器件物理-施敏资源下载 本仓库提供了一份名为《半导体器件物理-施敏》的资源文件下载。该文件是微电子领域的经典之作，涵盖了半导体物理、器件的基本构件、晶体管、负阻器件和功率器件、光学器件和传感器等多个方面的内容 项目地址: https://gitcode.com/Open-source-documentation-tutorial/69a77

资源描述

本仓库提供了一份名为《半导体器件物理-施敏》的资源文件下载。该文件是微电子领域的经典之作，涵盖了半导体物理、器件的基本构件、晶体管、负阻器件和功率器件、光学器件和传感器等多个方面的内容。

文件内容概述

第1部分：半导体物理

• 第1章：半导体物理学和半导体性质概要
  • 1.1 引言
  • 1.2 晶体结构
  • 1.3 能带和能隙
  • 1.4 热平衡时的载流子浓度
  • 1.5 载流子输运现象
  • 1.6 声子、光学和热特性
  • 1.7 异质结和纳米结构
  • 1.8 基本方程和实例

第2部分：器件的基本构件

• 第2章：p-n结二极管

  • 2.1 引言
  • 2.2 耗尽区
  • 2.3 电流-电压特性
  • 2.4 结击穿
  • 2.5 瞬变特性与噪声
  • 2.6 端功能
  • 2.7 异质结

• 第3章：金属-半导体接触

  • 3.1 引言
  • 3.2 势垒的形成
  • 3.3 电流输运过程
  • 3.4 势垒高度的测量
  • 3.5 器件结构
  • 3.6 欧姆接触

• 第4章：金属-绝缘体-半导体电容

  • 4.1 引言
  • 4.2 理想MIS电容
  • 4.3 硅MOS电容

第3部分：晶体管

• 第5章：双极晶体管

  • 5.1 引言
  • 5.2 静态特性
  • 5.3 微波特性
  • 5.4 相关器件结构
  • 5.5 异质结双极晶体管

• 第6章：MOS场效应晶体管

  • 6.1 引言
  • 6.2 器件的基本特性
  • 6.3 非均匀掺杂和埋沟器件
  • 6.4 器件按比例缩小和短沟道效应
  • 6.5 MOSFET的结构
  • 6.6 电路应用
  • 6.7 非挥发存储器
  • 6.8 单电子晶体管

• 第7章：JFET，MESFET和MODFET器件

  • 7.1 引言
  • 7.2 JFET和MODFET
  • 7.3 MODFET

第4部分：负阻器件和功率器件

• 第8章：隧道器件

  • 8.1 引言
  • 8.2 隧道二极管
  • 8.3 相关的隧道器件
  • 8.4 共振遂穿二极管

• 第9章：碰撞电离雪崩渡越时间二极管

• 第10章：转移电子器件和实空间转移器件

• 第11章：晶闸管和功率器件

第5部分：光学器件和传感器

• 第12章：发光二极管和半导体激光器
• 第13章：光电探测器和太阳电池
• 第14章：传感器

附录

• A. 符号表
• B. 国际单位制
• C. 单位词头
• D. 希腊字母表
• E. 物理常数
• F. 重要半导体的特性
• G. Si和GaAs的特性
• H. SiO2和Si3N4的特性

下载说明

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