半导体物理与器件pdf施敏_SiC半导体材料的基本性质和应用

1　SiC半导体材料的基本性质

1.1 SiC的晶体结构

SiC具有优良的机械、热学、电学、物理和化学性质，是制备下一代电力电子和光电子器件的新型半导体材料之一。

SiC独特的性质与其结构密切相关，为此首先需要了解SiC的结构。

SiC有超过200多种多型结构，最普通的是立方3C，六角4H和6H，菱方15R。这些多型结构以Si-C双原子为结构的基本单元，采用不同的堆垛方式排列而成，如图1所示。

图1

从结构示意图可以看出：2H具有最简单的六角结构(纤锌矿结构)，其堆垛顺序为AB；技术上最重要的材料4H、6H的堆垛顺序分别为ABCB和ABCACB；3C具有最简单的立方闪锌矿结构，其堆垛顺序为ABC；15R具有菱方结构，如果用六角晶系描述，其沿c向的堆垛顺序为ABCACBCABACABCB。

1.2　SiC半导体材料的基本性质

表1：SiC与其他半导体材料基本性质的比较