半导体存储器基本介绍

主存是半导体存储器，根据信息存储的机理不同
SRAM：静态读写存储器（存取速度快）
DRAM：动态读写存储器（存储容量大）

SRAM

SRAM的存储元

如何存储：https://www.bilibili.com/video/BV1G7411F7fj?p=13

注：图有误，64应修改为64

行线所选中的所有存储元构成一个内存单元。此图按4位编址 两根竖线：读写控制线。
存储容量=64 × 4b
64个存储单元，

每个单元4位。地址码多长？ 64=2^6 地址码6位长。地址线6根，数据4位长，4根数据线

存储器的读写周期

DRAM


电容中电荷的有无表示0，1信息。由于电容存在漏电现象，需要刷新，
读出为破坏性读出，需要重写


RAM采用电容上的电荷来存储信息，而电容上的电荷不可能不丢失，一般情况下，DRAM电容上的电荷只能维持1至2ms，过了这个时间，电荷就丢了，信息也就没了，所以我们要每隔一定时间对其进行刷新，这个时间通常分为刷新周期。
刷新：
刷新周期：两次刷新之间的间隔时间
刷新方法：各芯片同时，片内按行
刷新三种方式：

假设2ms时间内必须完成对所有行的刷新，否则数据会丢失

（1）集中刷新

在一个刷新周期内，利用一段固定的时间，依次对存储器的所有行逐一再生，在此期间停止对存储器的读写操作，这段时间成为“死时间”，又叫访存的“死区”。显然这种方法可以让读写操作不受刷新工作的影响，但是在死区不能访问存储器，CPU只能干等着。

前1ms读写操作，后1ms刷新
好处；控制简单，缺点：没办法读写
注：读写和刷新所作的工作相同，花的时间一样

（2）分散刷新：把对每一行的刷新分散到各个工作周期中去。比较生动地解释就是，原来我的工作只有存取，现在我的工作多了一个，就是在存取完之后顺便再“打扫”一行。这样，一个存储器的系统工作周期分为两部分，前半部分有用正常读、写或保持，后半部分用于刷新某一行。这种方法不存在死区，但是增加了系统的存取周期，如果原来存取周期只有0.5us，现在变成了1us，增加的0.5us要刷新一行。

一次读写一次刷新，导致存取周期变长

（3）异步刷新：前两种方法的结合，它可以缩短死时间，又充分利用最大刷新间隔为2ms的特点。做法是将刷新周期除以行数，得到每两次刷新之间的时间间隔t，逻辑电路每过t就产生一次刷新请求。这样就避免了使CPU等待过长时间，还减少了刷新次数，提高了工作效率。

时间算出来的
多一个环节：刷新请求
参考文章：https://blog.csdn.net/qq_39378221/article/details/80769404