数电学习（七、半导体存储器）

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引言

• 同步电路的核心部分就是有限状态机（FSM），但是是有限状态机，它和要解决的实际背景紧密结合。之前写的蚂蚁，出去了之后还会回去。能解决的问题确实有限。
• 现在用的PC，ARM，当我们要处理问题的时候，我们并不需要改变硬件而是去改软件，所以对于我们来讲，我们特别希望硬件部分不动，而通过不同的配置让他能解决特定的问题。
• （阿兰图灵）如何解决有限性的问题，提出了一个最根本的图灵机。用一个有限状态机不是去解决特性的问题，而是去解决读写功能，另外所有的信息存在另外无限的空间中。图灵机解决了FSM的F，解决了有限性的问题，他认为存储空间可以是无限的。
• 冯诺依曼结构和哈佛结构的control unit都是有限状态机，memory他认为无限（这里的无限是相对来说可扩展的）
• 所有的memory系统（比如光盘，硬盘等）都是存0，1，和第五章没有区别，但是现在的数据量是海量的。
• ！！！存储设备的指标，一个是存储量，一个是访问时间。
  
• 速度快的体量就小，体量大的速度慢。想设计一个存储系统，体量很大，访问的时候速度快，尤其是相关的信息，运算的信息。CPU有SRAM，外面还有MAIN MEM，所以没有最好的，是一起来构成一个合适的系统。
• 本章讲的是所有存储器中，以半导体工艺实现的存储器，记忆棒，内存条。

一些术语

1. 存储器单元cell：用于存储一个bit的电路单元
2. 字节：Byte = 8 bits
3. 字：Word = 1-8 Bytes，1个字中有8-64bits
4. 容量：表示特定存储单元或整个存储器系统能够存储多少bits
5. 密度：表示容量的另一种属于
6. 地址：用于确定某个word在存储系统中位置

概述

• 后面都围绕这个图讲
• 在半导体存储器中，是以什么结构来管理和储存大量的数据

分类

1. 从存取功能：
   （1）只读存储器ROM：使用过程中，只读数据，而不改变数据，并不是数据不能变
   （2）随机读写RAM：使用过程中，要频繁的读写（内存），希望读写速度相同
2. 从工艺上：
   （1）双极型（TTL）
   （2）MOS型（CMOS,MOS）

ROM

• 基本工作：存储矩阵存了大量的数据，通过地址译码器能够访问到希望访问的单元，然后把单元的数据送到输出缓存然后输出来
• 和RAM相比，最大的特点就是非易失性，也就是掉电之后数据依然保存
• 和前面对应的话，其实是组合电路。组合电路的特点是任何时刻的输出仅仅取决于这一时刻的输入，拉闸上电之后如果给一样的输入还是根据真值表的一样的输出

掩膜ROM

• 半导体制造有个关键工艺是光刻，用光腐蚀材料，光照到和没照到会形成沟道。掩模决定哪些地方能照到哪些不能

举例

• 这时一个典型的最早期的双极性二极管的ROM

地址译码器

• 看一下W0
  
• Y = AB，所以W0 = A0’A1’
• 在任何时候，W0-W3有且仅有一个为1

存储矩阵