上面是我在网上找得公开的规格书
来着:
IRLR8726 datasheet(1/2 Pages) ISC | N-Channel MOSFET Transistor
基本上规格书都包括这3部分:
absolute maximum ratings:绝对最大额定参数
thermal characteristics:热传导特性; 温度系数; 散热设计; 热特性;
electrical characteristics:电气特性; 电气性能; 电子特性; 电特性; 电性能;
绝对最大额定参数的理解:
对了,这里为了简便,我没有严格的按照大小写,上下标来写这些英文参数符号,比如vdss,其实是一个大写的v下标是dss,其实这些符号大写还是小写是有区别的。这里就结合原文档来看吧。
vdss
漏-源电压,DS击穿电压.当Vgs=0V时,MOS的DS所能承受的最大电压
vgs
栅-源电压,最大GS电压.
id
最大DS电流.会随温度的升高而降低
idm
最大脉冲DS电流.会随温度的升高而降低,体现一个抗冲击能力,跟脉冲时间也有关系
pd
最大耗散功率,这里可以理解成最大工作功率
tj
最大工作结温,可理解成最高工作温度
tstg
最大存储温度
rth(j-c)
通道到外壳的热阻
rht(j-a)
通道到内部的热阻
热阻(thermal resistance)是一个和热有关的性质,是指在有温度差的情形下,物体抵抗传热的能力。热导率越好的物体,热阻通常会比较低。
(绝对)热阻R,单位是K/W,是一特定物体的特性,例如散热片就会标示其热阻。
比热阻(Specific thermal resistance)Rλ,单位(K·m)/W,是材料特性。
热绝缘系数(Thermal insulance,在国际标准制下单位为(m2K)/W,在英制下为(ft2·°F·hr)/Btu。是一材料单位面积下的热阻。若是在隔热的应用上,会用隔热R值来量测。
电气特性都是有典型值和条件的:
bvdss
DS击穿电压
vgs(th)
gs开启电压
rds(on)
DS的导通电阻.当Vgs=10V时,MOS的DS之间的电阻
igss
GS驱动电流,nA级的电流.
idss
饱和DS电流,uA级的电流
vsd
二极管正向电压