DDR、Flash、Ram、Rom的区别

最新推荐文章于 2024-07-24 08:59:24 发布

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内存和硬盘的区别

一、定义
内存：内存又称主存，计算机中的程序的运行都是在内存中进行的，只有计算机在运行，计算机CPU就会把需要的计算数据调到内存中进行运算。通常内存分为随机存储器（RAM）、只读存储器（ROM）、高速缓存（CACHE）。
硬盘：从计算机的结构体系来讲，硬盘应该算是计算机的“外存”。
二、内存和硬盘的区别
内存和硬盘的主要区别，主要为以下三点：
1、内存是计算机运行的场所，硬盘用来存放暂时不用的信息；
2、内存是半导体材料制成的，硬盘是磁性材料制成的；
3、内存中的信息会随掉电消失，硬盘中的信息可以长久保存。
三、内存和硬盘的联系
内存和硬盘的联系还是十分紧密的，如下：
硬盘上的信息是永远是暂时不用的，若要使用硬盘上的信息，则需要插入内存。CPU与硬盘不发生直接的数据交换，CPU只是通过控制信号来指挥硬盘工作，硬盘上的信息只有被装入内存后才能被处理。
转载：https://blog.csdn.net/qq_36192099/article/details/79605408

RAM和ROM的区别

ROM（Read Only Memory）：只读存储器，只能读出事先所存数据的固态半导体存储器。其特点是不能更改存储器内部的数据。适用于不需经常变更资料的系统里。其内的数据不会因为掉电而消失‘
RAM （Random Access Memory) ：随机访问寄存器，可以随意取出或存入数据，且存取的速度与存储单元的位置无关。

ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。
RAM 又可分为SRAM（Static RAM/静态存储器）和DRAM（Dynamic RAM/动态存储器）。
1）DRAM
DRAM是利用MOS（金属氧化物半导体）电容存储电荷来储存信息，因此必须通过不停的给电容充电来维持信息一般应用于PC的内存、SDRAM，DDR，DDR2，DDR3等；
2）SRAM
SRAM 是利用双稳态触发器来保存信息的，只要不掉电，信息是不会丢失的。因此存取速度快，但是体积大，功耗大，成本高，适用于CPU的L1cache 和 L2cache（一级缓存、二级缓存），寄存器等；

SDRAM 和DDR介绍

SDRAM （Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步动态随机存储器，即内存）是DRAM 的一种，它是同步动态存储器。使用SDRAM不但能提高系统表现，还能简化设计、提供高速的数据传输。
内存一般是代码的执行空间，程序则是以文件的形式保存在硬盘里面的。运行程序之前，操作系统先将程序载入内存，在内存里面执行程序。由于内存是RAM（随机访问），可以通过地址去定位一个字节的数据，CPU在执行程序时将PC的值设置为程序在内存中的开始位置，之后CPU一次到内存地址中取址、译码和执行。要让程序在内存里面运行必须先对内存进行初始化，未初始化的内存是不能用来读取和存储数据的
DDR SDRAM全称为Double Data Rate SDRAM，中文名为“双倍数据流SDRAM”。DDR SDRAM在原有的SDRAM的基础上改进而来,其数据传输速度为系统时钟频率的两倍，由于速度增加，其传输性能优于传统的SDRAM。

DDR SDRAM 在系统时钟的上升沿和下降沿都可以进行数据传输。SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟上升期进行数据传输.

FLASH介绍

FLASH 闪存则是一种非易失性（ Non-Volatile ）内存，在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据

Nor Flash有自己的地址线和数据线，可以采用类似于memory的随机访问方式，在Nor Flash上可以直接运行程序，所以Nor Flash可以直接用来做boot，采用Nor Flash启动的时候会把地址映射到0x00上。
Nand Flash：适合大容量数据存储，类似硬盘；
Nand Flash是IO设备，数据、地址、控制线都是共用的，需要软件区控制读取时序，所以不能像Nor Flash、内存一样随机访问，不能EIP（片上运行），因此不能直接作为boot。
Nor Flash：适合小容量的程序或数据存储，类似小硬盘

性能比较：
1、NOR的读速度比NAND稍快一些。
2、NAND的写入速度比NOR快很多。
3、NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。
4、大多数写入操作需要先进行擦除操作。
5、NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少

接口比较：
NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。
NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。

NAND flash和NOR flash的容量和成本：
NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半，由于生产过程更为简单，NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格。
NOR flash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分，而NAND flash只是用在8～128MB的产品当中，这也说明NOR主要应用在代码存储介质中，NAND适合于数据存储