什么是 Flash Memory

一 种即便切断电源也可以保存已记录的数据的非易失性存储器。这是一种由 EEPROM 改进而来存储介质，不过， EEPROM 是以字节为单位进行数据更新，而闪存则以块为单位。由于闪存可以比 EEPROM 具有更小的电路，这使其能够达到更高的集成度，有利于降低价格。计算机的 BIOS 、数字照相机等的存储卡中都使用闪存

是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式，允许在一次程序操作中被多次擦或写的内存。在外行的术语中，它是一种不需要电力就能保存资料的可重写的内存芯片。市面上的储存卡、U盘、MP3播放器、数码相机和部分手机就用闪存。

概要

闪存不需电力来储存数据，而且闪存可以有很快的读取时间和很高的震动免疫力。所以闪存经常用在用电池的电器，例如手机和PDA.

普通EEPROM只允许单线程重写数据，但是闪存允许多线程重写（同时在多个地方重写数据），所以闪存可以比普通EEPROM快。所有EEPROM （包括闪存）会随着擦除数据的次数增加而变得不能使用。那是因为电流储存单元周围的绝缘氧化膜被破坏而造成的。典型闪存会在10,000个擦除操作之后变 得无法使用。

闪存用 FAMOS (Floating-Gate Avalanche-Injection Metal Oxide Semiconductor) 三极管来储存数据。闪存可以用NAND或NOR逻辑门来制造，但是市面上大多数都是用NAND逻辑门，因为NAND逻辑门比较便宜来制造。

工作原理

　　闪存用一个阵列浮门三极管来储存数据。一个阵列储存一个二进制数位（bit），但是新的闪存可以用电子数量得多少来分级，也就可以用一个阵列储存多于1个bit。

历史

　　NOR闪存是最早开发的闪存，在1988年为Intel所发明，有高写入和擦除时间，但是有完整地址/数据界面、并可以随机读取，所以NOR闪存合适用于储存代码不需要经常更新，例如BIOS或固件。它有10,000到1,000,000个擦除周期的寿命。

NAND闪存由三星和日立在1989年发明。它有更低的写入和擦除时间、高密度、10倍的寿命和比NOR闪存低的制造成本。但是它的I/O界面只允许连续读取，所以NAND闪存不适合计算机内存，但是却很适合储存卡。