NAND ACCESS（一）分类与结构

NAND是一种非易失性存储器件。最近在做一款AM335x核心板的移植工作，在移植过程中对NAND芯片I的使用积累了一些经验，将此记录以备后查。

一. 存储方式分类

FLASH芯片根据存储方式，可分为NOR和NAND两种。

NOR芯片读取速度快，擦写速度慢，单元集成度低，可以在片上执行代码，类似以前的ROM等。

NAND芯片读取速度稍慢，擦写速度很快，单元集成度较高，不能按地址随机读取字节，而只能按整块数据读出（称为页Page），类似磁盘、光盘等设备。

后面的文章都是描述NAND芯片的使用。

二. 存储原理分类

FLASH芯片根据存储原理，可以分为Single-Level Cell (SLC)、Multi-Level Cell (MLC)和Trinary-Level Cell (TLC或8LC)。

SLC是每个单元存1 bit信息，速度快，价格贵，寿命长（约100,000次擦写）。SLC是嵌入系统常用的器件，由于需要直接芯片级别的操作，因此需要较高的可靠性。

MLC是每个单元存2 bits信息，速度一般，价格一般，寿命一般（约10,000次擦写）；

TLC是每个单元存3 bits信息，速度慢，价格低，寿命短（大约2,000次擦写以内）。TLC是目前SSD固态硬盘使用的主要器件，SSD通过优化FLASH控制器的存储算法，增加额外存储空间，可以做到大约5年的使用寿命。

三. 组织结构

NAND芯片不能按字节随机访问。

最小的读取单位是页(Page)或子页(Sub-page)，通常每个Page是2048字节，每个子页是512字节。

最小的擦除和写入单位是块(Block)，通常每个Block是128K，含64个Page。

四. 带外数据(OOB)

由于NAND芯片容易发生个别数据位(Bit)的反转，为保证数据正确性，芯片厂商为每个Page提供了一块额外的存储空间，称为Out Of Band (OOB)，或spare area。

以我使用的FLASH芯片为例，该款芯片按8位访问时，每个Page有2112个字节，其中2048字节是正常存储空间，64字节是额外存储空间。

这块区域中可以存放Page的标志数据，Error Checking and Correction (ECC)数据，或其他辅助信息。

通常OOB中前两个字节存放”坏块“标志”。当块中存在无法复原的错误时，整个块就被标记为坏块(Bad Block)，不可再被使用。

 

后面的文章会继续说明ECC配置，基于NAND之上的UBI系统的使用。