DA14531-高级应用篇-外挂Flash应用介绍

下面是当前开发基于的版本

名称	说明
SDK	6.0.18.1182.1

# 本教程主要适用于低功耗产品，DA14531它体积小，非常适用于对体积敏感的设备，如无线可穿戴、传感器、助听器等设备。本文经过作者发大量时间来记录开发项目的调试方法，里面有许多笔者开发心得体会，旨在让读者工程师快速上手，减少摸索时间，提高软件质量。

读者对象
本文档主要适用以下工程师：
嵌入式系统工程师
单片机软件工程师
IOT固件工程师
BLE固件工程师

1.DA14531外挂Flash烧录

1.1.外挂Flash硬件连接

SPI FLASH接口一般定义为CLK：P0_4 MISO：P0_3 MOSI：P0_0 SC：P0_1。

图1
Flash供电电源：
降压型 ：VCC(2.0-3.3V)， 一般直接选择VCC供电；
升压型 ：VCC(1.1-1.5V)，不能直接选择Vhigh供电，因为Vhigh在上电时不能大于50uA，所以如上图选择P07管脚来做电源管脚。

芯片的选择：通过secondary_bootloader项目代码中，可以看出选择了这几款芯片：W25X10CL 、W25X20CL 、AT25DX011、MX25V1006E、MX25R1035F、MX25R2035F、P25Q10U 、P25D22L 、GD25WD20 、AT25DF021A、AT25EU0021A、AT25XE041D这些芯片一般是可用。且市场上的大部分Flash都是可以使用的，SPI通信协议都是可以兼容。
注意：若需要支持OTA功能的，Flash大小至少要大于等于2Mbit。

1.2.外挂Flash工作原理

降压型
由于Flash的供电为VCC，这样就不需要二次BootLoader、不需要占用OTP区域，直接烧录Flash就可以使用。若需要做OTA功能，需要需要二次BootLoader和制作镜像文件后烧录Flash。

升压型
需要做二次BootLoader、需要占用OTP区域，需要做镜像文件，工作流程如下图：

图2
工作原理：芯片自带ROM基础的bootloader程序，OTP区域烧录二次bootloader代码，外挂FLASH区域烧录APP应用代码。当芯片上电或者硬件复位时，自带ROM基础的bootloader拷贝二次bootloader代码运行程序，二次bootloader再次拷贝APP应用代码运行程序。

1.3.外挂Flash存储MAP

下图为Flash内部存储结构：

图3
0x04000：1st Image载入的地址
0x1F000：2st Image载入的地址
0x38000：头信息载入的地址
0x40000：存储区的总长度

总结

DA14531外挂Flash，首先需要先看产品的供电方式，是升压型还是降压型，升压型：需要做P07口供电，二次Bootloader需要将PO7拉高，需要烧录OTP区域。降压型：就不需要P07空供电，相对简单了，不需要烧录OTP区域。那么如何开发二次Bootloader程序呢？请看后续更新…