看编号识现代内存

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看编号识别内存 现代(Hynix)是非常知名的内存品牌，以前称为Hyundai。在前两年的DIY市场，大家熟悉的LGS内存也已被Hynix收归门下，所以现代的内存芯片会出现以上三种品牌，最新的当然是Hynix。下面，就向大家详细介绍现代SDRAM、DDR SDRAM、DRDRAM内存芯片的编号规则。 SDRAM内存芯片的旧编号 ──┬──┬─┬───┬──┬─┬─┬─┬──┬──┬─┬──┬── HY │X X │X │X X X │X X │X │X │X │X X │X X │- │X X │X X ──┼──┼─┼───┼──┼─┼─┼─┼──┼──┼─┼──┼── 　A │ B │C │D │E │F │G │H │I │J │　│K │L ──┴──┴─┴───┴──┴─┴─┴─┴──┴──┴─┴──┴── 示例编号：HY57V651620A TC-10S 9902B KOREA A字段表示HY组成，代表现代(Hynix)内存芯片的前缀。 B字段表示产品类型。57代表SDRAM内存；5D代表DDR SDRAM内存。 C字段表示工作电压。U代表CMOS、2.5v电压；V代表CMOS、3.3v电压。 D字段表示密度与刷新速度。4代表4Mbit密度、1K刷新速度；16代表16Mbit密度、4K刷新速度；64代表64Mbit密度、8K刷新速度；65代表64Mbit密度、4K刷新速度；129代表128Mbit密度、4K刷新速度；257代表256Mbit密度、8K刷新速度。 E字段表示内存结构。40代表x4；80代表x8；16代表x16；32代表x32。 F字段表示内存芯片内部由几个Bank组成。1代表2Bank；2代表4Bank。 G字段表示电气接口。0代表LVTTL；1代表SSTL；2代表SSTL_2。 H字段表示内存芯片的修正版本。空白代表第1版；A代表第2版；B代表第3版；C代表第4版；D代表第5版。 I字段表示功率消耗能力。空白代表正常功耗；L代表低功耗。 J字段表示内存芯片的封装方式。TC代表400milTSOPII封装；TQ代表100Pin TQFP封装。 K字段表示内存芯片的速度标识。5代表5ns(200MHz)；55代表5.5ns(183MHz);6代表6ns(166MHz);7代表7ns(143MHz)；75代表7.5ns(133MHz)；8代表8ns(125MHz)；10P代表10ns(100MHZ CL=2 或3)；10S代表10ns(100MHz CL=3)；10代表10ns(10MHz)；12代表12ns(83MHz)；15代表15ns(66MHz)。 L字段表示工作温度类型(此字段也可空白)。I代表工业温度；E代表扩大温度。 小提示：大家不要以为速度标识为10P、10S和10的SDRAM内存就一定符合PC100规范。实际上只有速度标识为10P和10S的SDRAM内存才符合PC100规范，而速度标识为10的SDRAM内存只是PC66。 LGS SDRAM 内存芯片的旧编号 ──┬──┬─┬──┬──┬─┬─┬─┬──┬──┬─── GM │ 72 │X │X X │X X │X │X │X │X X │X X │X X X ──┼──┼─┼──┼──┼─┼─┼─┼──┼──┼─── 　A │ B │C │D │E │F │G │H │I │J │K　 ──┴──┴─┴──┴──┴─┴─┴─┴──┴──┴─── A字段由GM组成，代表LGS内存芯片的前缀。 B字段表示产品类型。72代表SDRAM内存。 C字段表示工作电压。V代表CMOS、3.3V电压。 D字段表示密度与刷新速度。16代表16Mbit密度、4K刷新速度；17代表16Mbit密度、2K刷新速度；64代表64Mbit密度、16K刷新速度；65代表64Mbit密度、8K刷新速度；66代表64Mbit密度、4K刷新速度；28代表128Mbit密度、4K刷新速度。 E字段表示内存结构。4代表x4；8代表x8；16代表x16；32代表x32。 F字段表示内存芯片内部由几个Bank组成。1代表1Bank；2代表2Bank；4代表4Bank；8代表8Bank。 G字段表示电气接口。1代表LVTTL。 H字段表示内存芯片的修正版本。空白代表原版本；A代表第1版；B代表第2版；C代表第3版；D代表第4版；E代表第5版；F代表第6版。 I字段表示功率消耗能力。空白代表正常功耗；L代表代功耗。 J字段表示内存芯片的封装方式。T代表TSOP封装(正常)；R代表TSOP封装(颠倒)；I代表BLP封装；S代表Stack封装。 K字段表示内存芯片的速度标识。6代表166MHz；65代表153MHz；7代表143MHz；75代表133MHz；8代表125MHz；7K代表PC100、2-2-2(tCK=10ns、CL=2、tAC=6ns)；10K代表PC66(tCK=15ns、CL=2、tAC=9ns)；10J代表 PC66(tCK=10ns、CL=3、tAC=9.5ns)；12代表83MHz；15代表66MHz。 SDRAM 内存芯片的新编号 ──┬──┬─┬──┬──┬─┬─┬──┬─┬─┬─┬─┬──┬─ HY │X X │X │X X │X X │X │X │X X │X │X │X │- │X X │X ──┼──┼─┼──┼──┼─┼─┼──┼─┼─┼─┼─┼──┼─ 　A │ B │C │D │E │F │G │H │I │J │K │ │L　 │M ──┴──┴─┴──┴──┴─┴─┴──┴─┴─┴─┴─┴──┴─ A字段由HY组成，代表现代(Hynix)内存芯片的前缀。 B字段表示产品类型。57代表SDRAM内存。 C字段表示工作电压。V代表VDD电压为3.3V、VDDQ电压为3.3V；Y代表VDD电压为3.0V、VDDQ电压为3.0v；U代表VDD电压为2.5V、VDDQ电压为2.5V；W代表VDD电压为2.5V、VDDQ电压为1.8V；S代表VDD电压为1.8V、VDDQ电压为1.8V/ D字段表示密度与刷新速度。16代表16Mbit密度、2K刷新速度；32代表32Mbit密度、4K刷新速度；64代表64Mbit密度、4K刷新速度；28代表128Mbit密度、4K刷新速度；2A代表128Mbit密度(TCSR)、4K刷新速度；56代表256Mbit密度、8K刷新速度；12代表512Mbit密度、8K刷新速度。 E字段表示内存结构。4代表x4；8代表x8；16代表x16 ;32代表x32。 F字段表示内存芯片内部由几个Bank组成。1代表2Bank；2代表4Bank。 G字段表示电气接口。0代表LVTTL；1代表SSTL_3。 H字段表示内存芯片的修正版本。空白或H代表第1版；A或HA代表第2版；B或HB代表第3版；C或HC代表第4版。也有一些特殊的编号规则，如：编号为HY57V64420HFT是第7版；编号为HY57V64420HGT和HY57V64820HGT是第8版；编号为HY57V28420AT是第3版；编号为HY57V56420HDT是第5版。 I字段表示功率消耗能力。空白代表正常功耗；L代表代功耗；S代表超代功耗。 J字段表示内存芯片的封装方式。T代表TSOP封装；K代表Stack封装(Type1)；J代表Stack封装(Type2)。 K字段表示内存芯片的封装材料。空白代表正常；P代表Pb free；H代表Halogen free；R代表Pb & Halogen free。 L字段表示内存芯片的速度标识。5代表200MHz；55代表183MHz；6代表166MHz；7代表143MHz；K代表PC133(CL=2)；H代表PC133(CL=3)；8代表125MHz；P代表PC133(CL=2)；S代表PC100(CL=3)；10代表100MHz。 M字段表示工作温度类型(此字段也可空白)。I代表工业温度；E代表扩大温度。 DDR SDRAM 内存芯片的新编号 ──┬──┬─┬──┬──┬─┬─┬─┬─┬─┬─┬─┬──┬─ HY │X X │X │X X │X X │X │X │X │X │X │X │- │X X │X ──┼──┼─┼──┼──┼─┼─┼─┼─┼─┼─┼─┼──┼─ 　A │ B │C │D │E │F │G │H │I │J │K │ │L　 │M ──┴──┴─┴──┴──┴─┴─┴─┴─┴─┴─┴─┴──┴─ A字段由HY组成，代表现代(Hynix)内存芯片的前缀。 B字段表示产品类型。5D代表DDR SDRAM内存；5P代表DDR-II内存。 C字段表示工作电压。V代表VDD电压为3.3V、VDDQ电压为2.5V；U代表VDD电压为2.5V、VDDQ电压为2.5V；W代表VDD电压为2.5V、VDDQ电压为1.8V；S代表VDD电压为1.8V、VDDQ电压为1.8V。 D字段表示密度与刷新速度。64代表64Mbit密度、4K刷新速度；66代表64Mbit密度、2K刷新速度；28代表128Mbit密度、4K刷新速度；56代表256Mbit密度、8K刷新速度；12代表512Mbit密度、8K刷新速度；1G代表1Gbit密度、8K刷新速度。 E字段表示内存结构。4代表x4；8代表x8；16代表x16；32代表x32。 F字段表示内存芯片内部由几个Bank组成。1代表2Bank；2代表4Bank；3代表8Bank。 G字段表示电气接口。1代表SSTL_3；2代表SSTL_2；3代表SSTL_18。 H字段表示内存芯片的修正版本。空白代表第1版；A代表第2版；B代表第3版；C代表第4版。 I字段表示功率消耗能力。空白代表正常功耗；L代表代功耗。 J字段表示内存芯片的封装方式。T代表TSOP封装；Q代表LQFP封装；F代表FBGA封装；S代表Stack封装(Hynix)；K代表Stack封装(M&T)；J代表Stack封装(其它)。 K字段表示内存芯片的封装村料。空白代表正常；P代表Pb free；H代表Halogen free；R代表Pb & Halogen free。 L字段表示内存芯片的速度标识。26代表375MHz；28代表350MHz；3代表333MHz；33代表300MHz；45代表222MHz；5代表200MHz；55代表18MHz；6代表166MHz;D4代表DDR400；D5代表DDR533；J代表DDR333；M代表DDR266 2-2-2；代表DDR266A；H代表DDR266B；L代表DDR200。 M字段表示工作温度类型(此字段也可空白)。I代表工业温度；E代表扩大温度。 DRDRAM 内存芯片的新编号 ──┬──┬─┬───┬──┬─┬─┬── HY │X X │X │X X X │X X │X │X │X X ──┼──┼─┼───┼──┼─┼─┼── 　A │ B │C │D │E │F │G │H ──┴──┴─┴───┴──┴─┴─┴── A字段由HY组成，代表现代(Hynix)内存芯片的彰缀。 B字段表示产品类型。5R代表DRDRAM内存。 C字段表示工作电压。空白代表CMOS、1.5V电压；W代表CMOS、1.8V电压。 D字段表示密度与刷新速度。64代表64Mbit密度、8K刷新速度；72代表72Mbit密度、8K刷新速度；128代表128Mbit密度、8K刷新速度；144代表144Mbit密度、8K刷新速度；256代表256Mbit密度、16K刷新速度；288代表288Mbit密度、16K刷新速度。 E字段表示内存芯片的修正版本。空白或H代表第1版；A或HA代表第2版；B或HB代表第3版；C或HC代表第4版；D或HD代表第5版。 F字段表示内存芯片的封装方式。E代表Edge Bonding封装；C代表Center Bonding封装；M代表Mirror封装。 G字段表示工作频率。6代表600MHz；7代表711MHz；8代表800MHz。 H字段表示内存芯片的速度标识，此速度是指tRAC(Row Access Time)。40代表40ns；45代表45ns；50代表50ns；53代表53ns。 小提示：如何得知内存条的总容量 只需查看“密度与刷新速度”字段，如果密度是64Mbit，则表示一片内存芯片的容量为8MB(64Mbit÷8) 。现在再数数内存条的正反两面的内存芯片数量(有些带ECC功能的内存条是会多加一片内存芯片，不要将它计算在内)，我想大家就不难计算出这条内存条有多大容量了吧！ 本文摘自《电脑爱好者》