FPGA DDR3学习笔记（一）

DDR3芯片型号详解

以我使用的镁光DDR3芯片MT41K128M16为例，其芯片型号详解如下：

我们可以从右上角的2Gb可以看出，这是一个容量为**2Gb（256MB）**的DDR3L SDRAM芯片。然后我的芯片信号为具体为MT41K128M16-125，这里我们每个部分都进行详解。

1.产品系列（MT41K）

MT41K是镁光DDR3芯片系列，常见有MT41J和MT41K两个系列，这两者的主要区别是在工作电压。MT41J仅支持1.5V工作电压，而MT41K支持1.35V低电压，同时也兼容1.5V电压，所以可以用MT41K直接替换相应型号的MT41J芯片。

镁光的2Gb芯片型号参数：https://www.micron.com/products/dram/ddr3-sdram/part-catalog

这是MT41K128M16的不同工作电压模式下的直流电特性：

2、参数配置（Configuration）

这里主要出现在芯片型号中的参数主要有两个：128M和16。

对于 DDR3 SDRAM，我们将类比于单元格的存储空间称之为存储单元，N(行列个数乘积) 个存储 单元构成一个存储阵列 ， 这个存储阵列我们称之为一个逻辑Bank(LogicalBank，简称 L-Bank、Bank)。

首先DDR3的基本单位是存储单元，而一个存储单元的容量为若干个 Bit。而16指的是1个基本存储单元是16bit的位宽。

而M指的是Meg，这个是DDR3芯片的容量计算单位，本质就是一个 BANK的基本存储单位有多少个。计算公式也很简单：Meg=行地址*列地址。

以128M16为例：图中的行地址线（Row address）有14条，列地址数（Column address）有10条。行地址数为2¹⁴；列地址数位2¹⁰。所以有：

行地址 * 列地址=2¹⁴ *2¹⁰ = 16,777,216 = 16Meg。

那么单个BANK的存储容量为：16Meg * 16bit = 268,435,456 bit= 256Mb = 32MB

整个DDR3芯片的容量就为：16Meg * 16bit * 8Bank = 256MB * 8 = 2Gb = 256MB

3、封装（pakeage）

这里的封装均为FBGA封装，就是封装的大小不一致，这个根据需要选择即可。

4、Speed（速度等级）

这里的 ^tCLk其实指的是DDR3的一个时钟周期，-125指的是一个时钟周期为1.25ns，那么它的时钟速率为 Speed = 1s/1.25ns = 800MHz，所以-125对应的DDR3运行速率为800MHz。

针对不同的速度等级，还有不同的时序参数：

tRCD ：表示写入自激活命令到开始进行数据读写，中间所需的等待时间，列举的数值表示等待时间的最小值，单位为 ns；

tRP ：表示自预充电指令写入到预充电完成所需的等待时间 ，列举的数值表示等待时间的最小值 ， 单位为 ns ；

CL：(CAS(READ)latency)列选通潜伏期，表示自数据读指令写入到第一个有效数据输出所需
等待时间，单位 ns；TargettRCD-tRP-CL 表示最大工作频率下，tRCD、tRP、CL 等待的最小时
钟周期数。

5、工作温度

这里的工作温度氛围Commercial（商业级）和Industrial temperature（工业级）。

6、修订版本（Revision）