单片机自学（5） ——1位数码管计数掉电不丢失

思路：

1、通过IAP 方式操作EEPROM， 操作变量++，写到EEPROM，达到掉电不丢失

2、STM8 208MB 2KB 数据 EEPROM存取区 地址：从4000H开始-47FFH

3、IAP：单片机程序自己改写EEPROM、存取器里面的东西、选项字节

4、ICP：基于电路更新 ，通过SWIM+STLink

5、MASS密钥访问方法

6、Flash 功能相关寄存器：状态寄存器、控制寄存器、保护寄存器（解密时）——

7、解锁EEPROM函数 unlock_EEPROM()

8、1数码管计数掉电不丢失

u8 disnum_EEPROM @0x4000;
//指定disnum_EEPROM指向0x4000地址，即EEPROM起始地址

通过FLASH_IAPSR状态寄存器

1、是否解密成功？2、是否写完？

EEPROM关注以下两个位

位6 HVOFF （高压编程），0为正在写，1写完 。  高4位 0100（已编写完）

位3 DUL 解锁标志 ，0位没解锁，1已解锁。

FLASH关注以下两个位

位1 PUL    解锁标志 ，0位没解锁，1已解锁。

u8 unlock_EEPROM(void)
{
  //1.首先写入MASS密匙以解锁EEPROM
  FLASH_DUKR=0xAE;
  FLASH_DUKR=0x56;
  //2.判断DUL位是否解锁成功
  if(FLASH_IAPSR & 0x08)     &00001000   为真返回0，解锁成功。 为假，返回1，解锁失败
    return 0;//解锁成功
  else
    return 1;//解锁失败
}

  while(unlock_EEPROM());//等待数据EEPROM区域解锁成功     0解锁成功，跳到下一行，1继续死循环等待

  if(disnum_EEPROM!=0)//如果EEPROM首地址装载数值不为0
  {
    LED=tableA[disnum_EEPROM];//显示EEPROM数值
    i=disnum_EEPROM;//将EEPROM数值赋值给i
    delay(200);//延时停留
  }
  else
    LED=tableA[i];//若EEPROM数值为0则数码管显示‘0’
while(1)
  {
      i=(i+1)%10;//限定i取值范围在0至9
      LED=tableA[i];//将0至9段码送到数码管显示
      disnum_EEPROM=i;//将0至9数值存入EEPROM首地址
      while((FLASH_IAPSR & 0x40)==0);//等待写入成功       0x0100   & 位6 HVOFF （高压编程） 1 
                                                          写完，0继续等待
      delay(500);//延时停留
  }