WINBOND/华邦 W25N01GVZEIG 3V 1G-位 串行SLC NAND闪存，具有双/四通道 SPI 缓冲区读取和连续读取

1. -般说明
W25N01GV (1G位)串行SLC NAND闪存为以下系统提供存储解决方案有限的空间、引脚和电源。W25N SpiFlash系列集成了流行的SPI接口和传统的大型NAND非易失性存储器空间。它们非常适台将代码重影到RAM，执行直接从双/四通道SPI (XIP) 编码并存储语音、文本和数据。该设备在单个2.7V至3.6V电源，功耗低至25mA.待机电流低至10μA。所有W25N
SpiFlash系列器件采用节省空间的封装，这在过去是无法使用的典型的NAND闪存。

W25N01GV 1G位存储器阵列被组织成65,536个可编程页，每个页的2,048字节。可以使用来自2,048字节内部缓冲区的数据对整个页面进行一-次编程。页面可以以64个为- -组进行擦除(128KB 块擦除)。W25N01GV有 1,024个可擦除块。
W25N01GV支持标准串行外设接口(SPI) 、双通道/四通道I/O SPI:串行时钟、芯片选择、串行数据1/00 (DI) . I/01 (DO) . 1/O2 (/WP) 和1/O3 (/H0LD) 。SPI 时钟频率高达支持104MHz,双通道I/O和416MHz的等效时钟速率为208MHz (104MHz x 2)(104MHzx4)用于使用快速读取双/四通道I/O指令时的四通道I/0。该W25N01GV提供了一-种新的连续读取模式。允许高效访问整个具有单个Read命令的内存数组。此功能非常适合代码重影应用程序。保持引脚、写保护引脚和可编程写保护提供了进一步的控制灵活性。此外，该器件还支持JEDEC标准制造商和设备ID, - 一个2,048字节的唯一ID页、1个2,048字节参数页和10个2,048字节OTP页。提供更好的NAND闪存内存可管理性、用户可配置的内部ECC、坏块管理也可用于W25N01GV.

2.特点
●全新W25N系列SpiFlash存储器
●具有128KB块的灵活架构
- W25N01GV: 1G位/128M字节
-统一的128K字节块擦除
. -标准SPI: CLK、 /CS. DI. DO、/WP、
-灵活的页面数据加载方法
/拿
.高级功能
双SPI: CLK、/CS. I0。IO、/WP. Hold
-用于内存阵列的片上1位ECC .
四通道SPI: CLK、/CS. IO。IO. IO. IO,
ECC状态位指示ECC结果
-蒹容SPI串行闪存命令
-坏块管理和LUT (2) 访问

●最高性能串行NAND闪存
. 软件和硬件写保护
104MHz标准双/四通道SPI时钟
-电源锁定和OTP保护
- 208/4 16MHz等效双/四通道SPI
-2KB唯一ID和2KB参数页
- 50MB/S连续数据传输速率
-10个2KBOTP页面田
-快速编程/擦除性能
节省空间的包装
-超过100,000次擦除/编程周期
- 8焊盘WSON 8x6-mm .
-数据保留时间超过10年
- 16引脚S0IC 300mil封装:

●高效的“连续读取模式" (c) .
- 24引脚TFBGA 8x6毫米
-缓冲区读取的替代方法
-联系华邦了解其他套餐选项
模式
-无需发 出“页面数据读取”
笔记:
在读取命令之间
只有读取命令结构不同
“连续读取模式(BUF=0) ”和“缓冲区
-允许直接读取整个
读取模式(BUF=1) ".所有其他命令部相同。
数组
W25N01GVxxIG:上电后默认BUF=1
.低功耗、宽温度范围
W25N01GVxxT:上电后默认BUF=0 .
-2.7至3.6V单电源供电
lut代表查找表。
- 25mA有源电流，10A待机电流
OTP页面只鲴编程。
- -40*C至+85*C工作温度范围