NANDFlash-W25N01GVZEIG的学习笔记

一、NAND Flash和NOR Flash

Intel于1988年首先开发出NOR Flash 技术，彻底改变了原先由EPROM(Erasable Programmable Read-Only-Memory电可编程序只读存储器)和EEPROM(电可擦只读存储器Electrically Erasable Programmable Read - Only Memory)一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND Flash 结构，强调降低每比特的成本，有更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。NOR Flash 的特点是芯片内执行（XIP，eXecute In Place），这样应用程序可以直接在Flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。

他们的区别如下。

	NAND Flash	NOR Flash
读速度	↓	↑
写速度	↑↑↑	↓↓↓
擦写速度/次数	↑↑	↓↓
擦写电路	↓以块为擦写单位	↑
易用性	↓↓	↑↑
体型/价格	↓↓	↑↑
接口	共用地址数据线	带SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，地址数据线独立，可直接寻址
位反转/坏块处理	坏块较多且随机分布，采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法	坏块少，采用冗余比特替换法
浮栅充电	F-N隧道效应（Fowler Nordheim tunneling）	热电子注入（hot electron injection）
特点	能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理需要特殊的系统接口	可在芯片内执行代码，传输效率很高,在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能
基本单元	读操作-页page 擦写操作-块block	读写操作-扇区sector

NAND Flash和NOR Flash的区别中有三点很关键：
1、首先，NAND Flash在出厂时就有一定的坏块，而且是随机分布，这是由NANDFlash的工艺造成的，以前也曾有过消除坏块的努力，但发现成品率太低，代价太高，根本不划算。所以，NAND Flash被允许在出厂时有很少量的坏块。
2、其次，NAND Flash在应用中会出现位翻转错误(bit failture)。虽然概率很低，大约每100亿次写操作才会出现一次，但是对于用作系统根文件系统的存储设备，这种错误是绝对不允许的。因为这种错误万一发生在系统配置文件上，则会影响系统的运行。但是作为流媒体文件的存储器，位翻转的问题并不大。
3、最后，NAND Flash和NORFlash在应用接口上有着本质的区别，NAND Flash是I/O方式，NOR Flash是总线方式，这是它们除了价格以外最主要的差别。

二、W25N01GVZEIG引脚说明

想要实现对NAND FLASH和NOR FLASH等存储器实现读写操作，可以采用STM32的FSMC（Flexible Static Memory Controller）可变静态存储控制器，它会自动对时序等操作进行处理，使用起来会比较方便。当然有的存储器支持SPI接口进行数据的传输，而我选择的NAND FLASH W25N01GVZEIG（数据手册在下载文件那里）支持Standard/DUAL/QUAD SPI。
以下是他们的引脚信息。

传输模式	引脚
Standard SPI	CLK、/CS、DI、DO、/WP、/Hold
DUAL SPI	CLK、/CS、IO0、IO1、/WP、/Hold
QUAD SPI	CLK、/CS、IO0、IO1、IO2、IO3

接口说明：
CLK（Serial Clock）：时钟线
/CS（Clip Select）：片选线
DI（Serial Data Input(Data Input Output 0)）：串行数据输入线
DO（Serial Data Output(Data In