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原创 STM32H725 备份RAM使用
关于宏 BACKUP_SRAM_PWRER_BAT_ENABLE 含义:在Vbat有接入的前提,使能 :VDD 失电后,备份 RAM 能够保存掉电前的数据;在复位状态下,RCC_BDCR 寄存器、RTC 寄存器(包括备份寄存器)以及 PWR_CR2 寄。关于备份SRAM,手册中还有、等等描述,后续整理输出。0:禁止对 RTC、RTC 备份寄存器和备份 SRAM 的访问。1:使能对 RTC、RTC 备份寄存器和备份 SRAM 的访问。0:禁止备份 RAM 时钟(复位后的默认值)
2024-09-18 18:22:57 339
原创 stm32f4与h7清除ORE的操作差异
F4、H7的串口接收函数实现方式类似,都是等待“接收非空标志被置位,然读取数据寄存器”,都是软件清除ORE标志,但是具体实现不同。F4是先读取SR寄存器,再读取DR寄存器,即清除了ORE标志,由于“接收非空RXNE”和“溢出错误ORE”都位于SR寄存器中(分别是bit5、bit3),因此F4芯片只需要调用HAL_UART_Receive 函数就会自动清除ORE标志。ORE全拼为overrun error即溢出错误,当数据寄存器中的数据还未读取处理,新的数据又来了,导致溢出,硬件自动置位,需要软件清除。
2023-04-08 11:41:47 683 2
原创 stm32F4芯片高温环境读写spiFlash失败
最后,联系ST原厂支持,给出了解释,这是ST F4系列芯片上一个SPI 相关的bug:SPI挂在APB总线上,APB总线的频率与CLK 引脚的GPIOspeed有一个约束关系,如果配置的不匹配则可能出现MCU芯片内部的时钟不同步问题。为了确定是否“等待就绪”导致的问题,做了如下实验:先在常温下未出现问题时擦除掉所有数据,然后再写入一条数据,此时读写都是正常的。(注:是否需要继续延时是根据读取的flash状态来决定的,当读取到第一个bit为1时delay 1ms继续等待,直到读取到0)
2023-02-01 17:03:59 2634
IAR7.5 Key.rar
2019-07-08
C#编写CAN上位机
2018-11-15
C#编写modbus上位机
2018-09-14
空空如也
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