关于专利书写的一些经验

1.查重

专利书写成功以后，查重是一件很重要的环节，因为一般情况下你不可避免的会使用一些与前人重复的关键词，这个时候你就有必要换一种说法或者另辟蹊径。当然了，绝对禁止抄袭！
专利局在对一个新的专利进行审查时，如果里面出现的一种想法与已经公开的专利相似，那么专利局是会予以驳回的。驳回并非一件丢人的事情，但在某些情况下，会造成一定的经济损失。国内专利还好，如果申请国外专利，予以驳回则意味着之前所付的代理费（一般数额较大）付之东流。
有一种较为尴尬的情况是，你或许都根本不知道你的专利是否跟别人重复，哪里重复，你得专利中出现的结构、名词等等，别人是怎么称呼的。如果你根本不知道有这种名词的存在，试问：怎么查重？？？
如果你还是不明白我想表达的意思的话，我在这里举一个例子：
假如我现在想申请一个新型半导体器件的专利，我的想法是在N型沟道区域中增加一个P型区域，于是现在我需要对比在以前的专利中是否存在这种结构。
我在我的器件中称P型区域为P-body，这是我的创新点。要进行查重，那么我需要知道以下几点：
（1）别人的专利中，N型沟道中有没有P-body呢？
（2）别人的专利中，P-body会不会有别的称呼？如果有，那么即使我的名字与其不同，依然会判作抄袭！
（3）别人的专利中，P型沟道中有没有N-body存在呢？如果存在，作用是否相同？如果相同，依然会被视作相似。
在我不知道这种结构是否存在的情况下，我该怎么检索？
其实解决方法很简单，虽然无法保证万无一失，但是可以在很大程度上排除相似专利或者关键词。我是这么进行检索的：
根据我的认知，我知道在一种横向功率器件中，前人有过在缓冲层中增加P型区域的设计。那么，假如我搜索横向功率器件，是否会包含类似P型区域这种称谓呢？
当我在佰腾网上检索横向器件时，出现了几十种公开专利。然后点开任意一个，出现如下关键词：

不难发现，掺杂有N型也可以有P型，这里的掺杂埋层很有可能就是与我的P型区域类似的结构，于是点开进行研究，发现这里的掺杂埋层是N型的，而且所起作用是使电势重新分布，那么暂时与我的想法并不一致。但是掺杂埋层不得不说是一种新的称谓，我将其记录在小本本上。顺藤摸瓜，搜索关键词“掺杂埋层”，又出现了一批含有类似结构的器件。
锲而不舍，从其他专利中，我又发现了诸如“P埋层、绝缘埋层、掺杂窗口”等一系列我所想要检索的专利。
就这样，从无到有，大大降低了专利重复的概率。

更新ing