二、运算放大器OPA的电路设计及仿真验证

1、理论分析：

2、根据设计指标确定宽长比

（1）本次设计取vdd=3.3v，Ibias=20uA，根据功耗P<4mw，得出最多可分配总电流（流经M8、M5、M7的电流之和）i=P/vdd=1200uA。

（2）根据式（9），取Cc=CL/4=2.5pF。

（3）根据压摆率SR=40V/us，依照算式（10）（11）可得I7=SR（CL+Cc）=500uA；I5=SR·Cc=100uA。取I7=500uA，I5=100uA，Ibias=20uA。三者相加得总电流I=620A<1200A，符合功耗要求。

根据电流镜特性：（W/L)7/I7=(W/L)5/I5=(W/L)8/Ibias ，取(W/L)7=50，(W/L)5=10。

（4）根据设计指标GBW>25MHz,根据式（7）可得gm1=GBW·Cc=2π·25M·2.5pF=392.7。

（5）由于电流镜特性，可以分析出M3，M4，M6三者下面的节点电压相同，三者的vds也相同，可以推出  I3/(W/L)3=I4/(W/L)4=I6/(W/L)6。

（6）因为要消除零点，Rz=1/gm6。

以上为纸面数据分析，下面进行电路的搭建及调试。

3、电路搭建及调整宽长比

（1）首先将电路搭建成下图所示：

这里将电阻设置为一个参数Rz，方便我们之后的零点分析。

（2）画一个symbol，上篇文章已讲过具体操作，这里就不加赘述了。

（3）新建一个opa-text，给出激励。从左到右分别是analoglib里的直流电压源vdc、0相位的正弦波信号源vsin、180相位的visn、直流电流源idc。

（4）设置激励源

vdc设置为3.3v，0相位的vsin的设置如下所示，180相位同理，将Initial phase改为180，idc设置为-20uA（此处器件倒置所以取负）。

（5）DC仿真

在Design Variables区域中右击鼠标，点击Copy From Cellview，先设置Rz为0。然后根据上篇文章所讲进行仿真。

（6）查看器件工作状态

此时由于未设置宽长比，所以电路中有mos管可能并未工作在饱和区，所以返回opa原理图产看直流参数。这里讲一下查看方法。

在跑完仿真之后，右击鼠标，点击最后一行Annotations，点击DC Operating Point。此时器件旁边会出现v、i等参数值。

选中opa器件，双击，出现下图，如下图勾选并点击OK。

之后可以看到opa的原理图，并且器件旁边标注了i、vds、vth等参数，但这还不够清晰直观，我们希望直接显示出gm和region。（region=0表示mos管工作在截止区，region=1表示在线性区，region=2表示在饱和区，region=3表示在亚阈值区，我们希望mos工作在饱和区）

如下图所示，点击最下面一行Setup。

出现如下图所示，选择所在的工艺库（这里用的是smic18），选择相应的器件，鼠标滚轮划到最下面，双击空白处，选择region，点击Apply。同理将gm显示出来。

（7）调整宽长比（这里与第8个步骤一起操作）

将上文纸面分析的宽长比设置好，最上面三个pmos的宽长比不断进行调试找到一个合适的值，使所有mos都工作在饱和区（region=2）。

由于沟长调制效应会使电流镜复制产生偏差，所以L不能太小，这里取2um。

都工作在饱和区后，看M1的gm有没有达到上文计算的390左右，若未达到，则增大宽长比至390左右。

上述完成后，调整M6的宽长比（M3和M4要同步调整）以达到60的相位裕度，这里需要不断调试，增大M6的gm，每调试一次就进行一次AC仿真，查看增益=0dB时，总相移是否为120。

（8）AC仿真

最后调试完成后，算出Rz值，此处取500欧。然后进行仿真，如下图所示，注意开始时间要设为10。

下图为Phase曲线，然后再点击dB20，点击Replot。

选中dB曲线，设置纵坐标等于0的点，按v产生纵向轴以查看对应的相移为多少。此处相位从0变为121.543，PM=180-121.543=60，相位裕度符合要求。

（9）零点分析

此处将Rz=0和Rz=500放在一起对比，可以发现Rz=0时dB曲线尾部一段的曲线翘起来了，说明斜率变大，即引入了零点。

（10）瞬态Tran仿真

上篇文章讲过，这里不加赘述。图像如下：

至此，运算放大器的电路设计及仿真基本结束，设计指标全部达到，电路中仍有小细节需要完善，可以自行优化调整。