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RSS订阅原创 ISO124P高精度隔离放大器芯片中文资料PDF数据手册引脚图产品手册产品参数
ISO124 器件提供 ±4.5V 至 ±18V 的电源范围，±5mA（采用 VS1 时）和 ±5.5mA（采用 VS2 时）静态电流，广泛适用于各种 应用。ISO124 是一款高精度隔离放大器，该放大器采用了全新的占空比调制-解调技术。通过数字调制，其隔离层特点不但不会影响信号完整性，而且为隔离层提供出色的可靠性和优秀的高频瞬变抗扰性。产品类型: Isolation Amplifiers。工作电源电压: 4.5 V to 18 V。输入电压范围—最大: 12.5 V。电源电压-最小: 4.5 V。
2024-06-16 21:45:47
201
原创 TPS54331DR降压转换器芯片中文资料PDF数据手册引脚图产品参数产品手册特性
TPS54331 器件是一款 28V、3A 非同步降压转换器，集成有一个低 R DS(on) 的高侧 MOSFET。此外，1µA 的关断电源电流使得此器件可用于电池供电类应用。具有内部斜坡补偿的电流模式控制简化了外部补偿计算，并在允许使用陶瓷输出电容器的同时减少了元件数量。逐周期电流限制方案、频率折返和热关断特性可在过载条件下对器件和负载施加保护。TPS54331 器件可采用 8 引脚 SOIC 封装和 8 引脚 SO PowerPAD 集成电路封装，这些封装经过内部优化可改进热性能。
2024-06-16 21:45:05
403
原创 NCP1403SNT1G开关稳压器芯片中文资料PDF数据手册引脚图参数产品手册特性
该器件设计用于将单节锂电池或两节 AA/AAA 电池电压升压至 15V（带内部 MOSFET）输出，适用于手持式应用。该器件采用节省空间的 TSOP-5 封装。该器件设计用于将单节锂电池或两节 AA/AAA 电池电压升压至 15V（带内部 MOSFET）输出，适用于手持式应用。该器件采用节省空间的 TSOP-5 封装。类型: Step-Down Converter。输出电压: 1.8 V to 15 V。输出端数量: 1 Output。封装 / 箱体: TSOP-5。最小工作温度: - 40 C。
2024-06-16 21:43:45
130
原创 NCP302155MNTWG栅极驱动器中文资料PDF数据手册引脚图产品参数
子类别: PMIC - Power Management ICs。产品: MOSFET Gate Drivers。类型: High-Side, Low-Side。封装 / 箱体: PQFN-31 5x5。产品类型: Gate Drivers。激励器数量: 2 Driver。输出端数量: 1 Output。最大工作温度: + 125 C。电源电压-最小: 4.5 V。电源电压-最大: 5.5 V。最小工作温度: - 40 C。系列: NCP302155。工作电源电流: 1 mA。关闭: Shutdown。
2024-06-15 15:13:26
157
原创 NCP1608BDR2G功率因数控制器芯片中文资料PDF数据手册引脚图参数
NCP1608是一款有源功率因数校正（PFC）控制器，专门用作AC-DC适配器、电子镇流器和其他中等功率离线转换器（通常高达350W）中的预转换器。它使用临界导通模式（CrM）来确保多种输入电压和输出功率下接近一致的功率因数。产品类型: PFC - Power Factor Correction。子类别: PMIC - Power Management ICs。产品种类: 功率因数校正 - PFC。封装 / 箱体: SOIC-8。Pd-功率耗散: 450 mW。最小工作温度: - 40 C。
2024-06-15 15:09:58
156
原创 开关控制器芯片NCP1207ADR2G中文资料PDF数据手册引脚图产品参数
NCP1207A/B 结合了真电流模式调制器和退磁检测器，以确保在任何负载/线路条件下的全临界/临界导通模式和最小漏极电压切换（准谐振操作）。由于这种情况发生在低峰值电流下，因此听不到任何可听见的噪声。对于NCP1207A，内部 8.0 微秒定时器可防止自由运行频率超过 125 kHz（因此低于 150 kHz CISPR-22 EMI 启动限制），而跳跃调整功能允许用户选择发生突发折返的频率。对于NCP1207B，内部定时器持续时间减少到 4.5 μs，以允许在更高的频率（高达 200 kHz）下工作。
2024-06-15 15:08:59
214
原创 NCP13992ACDR2G控制器芯片中文资料PDF数据手册引脚图产品参数
这款控制器实施了600V栅极驱动器，简化了布局，减少了所需的外部组件数量。内置的欠电压输入功能简化了控制器在所有应用中的实现。在需要PFC前级的应用中，NCP13992具有一个专用输出来驱动PFC控制器。NCP13992提供了一套保护功能，可实现在任何应用中的安全运行。其中包括：过载保护、防止硬开关周期的过电流保护、欠电压检测、开路光耦合器检测、自动死区时间调节、过电压（OVP）和过温（OTP）保护。最小工作温度: - 40 C。系列: NCP13992。产品种类: 开关控制器。RoHS: 详细信息。
2024-06-15 15:08:12
199
原创 NCP1256ESN65T1G中文资料PDF数据手册引脚图产品参数产品特性
该零件采用微型 TSOP-6 封装，供电范围高达 30 V，具有带抖动的 65 kHz 或 100 kHz 开关电路，在峰值电流模式控制下运行。当辅助侧功率开始降低时，该控制器将其开关频率自动折回至最低 26 kHz 的水平。NCP1256 带有若干保护功能，如基于计时器的短路保护、无损耗 OPP 和易于调节的欠电压 (BO) 引脚。提供了两个输入，以可行方式锁存关断该零件，例如使用 OVP 和 OTP 事件。低至 26 kHz 的频率折返和轻负载条件下的跳周期。最小工作温度: - 40 C。
2024-06-15 15:07:20
278
原创 NCP3135MNTXG同步降压转换器芯片中文资料PDF数据手册引脚图参数
该器件的工作电压范围为 2.9V 至 5.5V，非常适合 3.3V 和 5V 总线应用。该NCP3135提供高效率、快速负载瞬态响应，可在 CCM/DCM（自动连续/不连续模式）或 FCCM（强制连续导通模式）下运行。该NCP3135采用小型 3mm x 3mm QFN 封装。输出电压: 600 mV to 4.62 V。输入电压: 2.9 V to 5.5 V。封装 / 箱体: QFN-16。最小工作温度: - 40 C。电源电压-最小: 2.9 V。安装风格: SMD/SMT。
2024-06-15 15:05:56
111
原创 NCP59748MN2ADJTBG低压差稳压器芯片中文资料PDF档数据手册引脚图
NCP59748是一款超低压差稳压器，能够在满载电流下提供超过1.5 A的输出电流，压差电压（典型值为60 mV）。这些器件可稳定使用陶瓷电容器和任何其他类型的输出电容器≥ 2.2 μF。该系列包含输出电压低至 0.8 V 的可调输出电压版本。产品类型: LDO Voltage Regulators。输出电压可在 0.8V 至 3.6V 范围内调节。输出电压范围: 800 mV to 3.6 V。输出电压: 800 mV to 3.6 V。输出类型: Adjustable。输出端数量: 1 Output。
2024-06-15 15:04:56
213
原创 NCP1653ADR2G开关电源芯片控制器丝印1653A中文资料PDF数据手册
NCP1653 是一款用于连续导通模式 (CCM) 功率因数校正 (PFC) 升压电路的控制器。它以 67 kHz (NCP1653A) 或 100 kHz (NCP1653) 固定开关频率下，在跟随升压或固定电压中运行。跟踪升压提供了输出电压降低的优点，因此也带来了感应器和电源开关尺寸和成本降低的优点。该电路采用 DIP-8 或 SO-8 封装，最大程度减少了外部部件数量，并极大简化了 CCM PFC 实施。产品类型: PFC - Power Factor Correction。系列: NCP1653。
2024-06-15 15:04:11
289
原创 FDG6303N场效应管中文资料PDF数据手册引脚图产品参数产品手册
Vgs - 栅极-源极电压: - 8 V, + 8 V。Rds On-漏源导通电阻: 450 mOhms。Vgs th-栅源极阈值电压: 650 mV。封装 / 箱体: SOT-323-6。正向跨导 - 最小值: 1.45 S。晶体管类型: 2 N-Channel。Vds-漏源极击穿电压: 25 V。Id-连续漏极电流: 500 mA。晶体管极性: N-Channel。通道数量: 2 Channel。Qg-栅极电荷: 2.3 nC。Pd-功率耗散: 300 mW。最小工作温度: - 55 C。
2024-06-15 15:03:16
153
原创 TPS54331DR降压转换器芯片中文资料PDF数据手册引脚图产品参数产品手册特性
TPS54331 器件是一款 28V、3A 非同步降压转换器，集成有一个低 R DS(on) 的高侧 MOSFET。此外，1µA 的关断电源电流使得此器件可用于电池供电类应用。具有内部斜坡补偿的电流模式控制简化了外部补偿计算，并在允许使用陶瓷输出电容器的同时减少了元件数量。逐周期电流限制方案、频率折返和热关断特性可在过载条件下对器件和负载施加保护。TPS54331 器件可采用 8 引脚 SOIC 封装和 8 引脚 SO PowerPAD 集成电路封装，这些封装经过内部优化可改进热性能。
2024-06-15 11:36:44
270
原创 ADM2587EBRW数据收发器芯片中文资料PDF数据手册引脚图产品参数产品手册特性
这些器件集成了ADI公司的i耦合器技术，将3通道隔离器、三态差分线路驱动器、差分输入接收器和ADI公司的isoPowerDC-DC转换器集成到单个封装中。ADM2582E/ADM2587E是完全集成的信号和电源隔离数据收发器，具有±15 kV ESD保护，适用于多点传输线路上的高速通信。ADM2582E/ADM2587E包括一个集成的隔离式DC-DC电源，无需外部DC-DC隔离模块。它们专为平衡传输线而设计，符合 ANSI/TIA/EIA-485-A-98 和 ISO 8482：1987（E） 标准。
2024-06-15 11:35:17
351
原创 UCC27524DSDR双通道栅极驱动器IC芯片中文资料PDF数据手册引脚图产品参数
使用能够从内部大大降低击穿电流的设计，UCC2752x 能够将高达 5A 拉电流和 5A 灌电流的高峰值电流脉传送到电容负载，此器件还具有轨到轨驱动能力和典型值为 13ns 的极小传播延迟。UCC27526 特有一个双输入设计，此设计为每个通道提供了反相（IN- 引脚）和非反相（IN+ 引脚）配置的灵活性。未使用的输入引脚可被用于启用和禁用功能。UCC2752x 系列器件采用 SOIC-8(D)，带有外露焊垫的 MSOP-8(DGN) 和带有外露焊垫的 3mm x 3mm WSON-8(DSD) 封装。
2024-06-15 11:27:42
838
原创 LIS2DW12TR加速度计芯片中文资料PDF数据手册引脚图产品参数产品手册特性
LIS2DW12包含专用内部引擎，用于处理运动和加速度检测，包括自由落体、唤醒、高度可配置单/双击识别、活动/不活动、静止/运动检测、纵向/横向检测、以及6D/4D方向。LIS2DW12是一种超低功耗的高性能三轴线性加速度计（属于“femto”系列），利用了已用于微机电加速度计生产的稳健成熟的制造工艺。LIS2DW12具有±2g/±4g/±8g/±16g的用户可选满量程，并能通过1.6 Hz到1600 Hz的输出数据速率测量加速度。嵌入式自检功能使用户可以检查最终应用中的传感器功能。
2024-06-15 11:26:49
153
原创 CD4040BM96二进制计数器/除法器芯片中文资料PDF数据手册批次23+
CD4024B 类型采用 14 引脚密封双列直插式陶瓷封装（F3A 后缀）、14 引脚双列直插式塑料封装（E 后缀）、14 引脚小外形封装（M、MT、M96 和 NSR 后缀）和 14 引脚薄收缩小外形封装（PW 和 PWR 后缀）。CD4024B 类型采用 14 引脚密封双列直插式陶瓷封装（F3A 后缀）、14 引脚双列直插式塑料封装（E 后缀）、14 引脚小外形封装（M、MT、M96 和 NSR 后缀）和 14 引脚薄收缩小外形封装（PW 和 PWR 后缀）。1 V （在 V）DD型= 5 V。
2024-06-14 21:37:08
321
原创 CD4504BM96六路电压电平转换器中文资料资料PDF档数据手册引脚图
CD4504B六角电压电平转换器由六个电路组成，这些电路将输入信号从 V 形位移位抄送逻辑电平为 VDD型逻辑电平。当SELECT输入为LOW逻辑状态时，每个电路将信号从一个CMOS电平转换为另一个CMOS电平。CD4504B 类型采用 16 引脚密封双列直插式陶瓷封装（F3A 后缀）、16 引脚双列直插式塑料封装（E 后缀）、16 引脚小外形封装（M、M96 和 MT 后缀）和 16 引脚薄收缩小外形封装（PW 和 PWR 后缀）。产品种类: 转换 - 电压电平。输入类型: CMOS, TTL。
2024-06-14 21:36:11
217
原创 CD4016BM96四通道模拟开关芯片批次22+中文资料PDF数据手册引脚图
CD4016B B 系列类型采用 14 引线气密性双列直插式陶瓷封装（后缀为 F3A）、14 引线双列直插式塑料封装（后缀为 E）、14 引线小外形封装（后缀为 M、MT、M96 和 NSR）和 14 引线薄型紧缩小外形封装（后缀为 PW 和 PWR）。高度线性：fis = 1kHz、Vis = 5Vp-p、VDD – VSS ⩾10V、RL = 10kΩ 时失真典型值小于 0.5%在全封装温度范围内，18V 时的最大控制输入电流为 1µA，18V 和 25°C 时为 100nA。
2024-06-14 21:35:12
285
原创 CD4017BM96十进制计数器芯片中文资料PDF数据手册引脚图产品参数
在CD4017B中每 8 个时钟输入周期或在CD4022B中每 <> 个时钟输入周期完成一次进位信号，用于对多设备计数链中的后续器件进行纹波时钟。CD4017B 和 CD4022B 类型采用 16 引脚密封双列直插式陶瓷封装（F3A 后缀）、16 引脚双列直插式塑料封装（E 后缀）、16 引脚小外形封装（NSR 后缀）和 16 引脚薄收缩小外形封装（PW 和 PWR 后缀）。CD4017B 和 CD4022B 是 5 级和 4 级约翰逊计数器，分别具有 10 和 8 个解码输出。
2024-06-14 21:32:46
398
原创 SN74LVC1G66DCKR单通道模拟开关芯片中文资料PDF数据手册引脚图
低导通电阻，典型值≉5.5 Ω （V抄送= 4.5 V)高速，典型值为 0.5 ns （V抄送= 3 V，C。产品类型: Analog Switch ICs。电源类型: Single Supply。1.65V 至 5.5V V抄送操作。导通电阻—最大值: 10 Ohms。运行时间—最大值: 4.2 ns。电源电流—最大值: 100 nA。封装 / 箱体: SC70-5。电源电压-最小: 1.65 V。电源电压-最大: 5.5 V。空闲时间—最大值: 5 ns。最小工作温度: - 40 C。
2024-06-14 21:31:33
272
原创 FM24CL16B-GTR存储器芯片中文资料PDF数据手册引脚图产品手册产品参数特性
子类别: Memory & Data Storage。封装 / 箱体: SOIC-8。电源电压-最大: 3.65 V。系列: FM24CL16B-G。电源电压-最小: 2.7 V。最小工作温度: - 40 C。最大工作温度: + 85 C。存储容量: 16 kbit。最大时钟频率: 1 MHz。安装风格: SMD/SMT。单位重量: 540 mg。产品种类: F-RAM。组织: 2 k x 8。工作电源电压: 3 V。工厂包装数量：2500。湿度敏感性: Yes。产品类型: FRAM。
2024-06-14 09:06:35
223
原创 FM24CL04B-GTR存储器芯片中文资料PDF数据手册引脚图产品参数产品手册图片价格
子类别: Memory & Data Storage。封装 / 箱体: SOIC-8。电源电压-最大: 3.65 V。系列: FM24CL04B-G。电源电压-最小: 2.7 V。最小工作温度: - 40 C。最大工作温度: + 85 C。最大时钟频率: 1 MHz。安装风格: SMD/SMT。存储容量: 4 kbit。单位重量: 540 mg。产品种类: F-RAM。组织: 512 x 8。工作电源电压: 3 V。工厂包装数量：2500。湿度敏感性: Yes。产品类型: FRAM。
2024-06-14 09:05:43
273
原创 FM24CL64B-GTR非易失性存储器芯片中文资料PDF数据手册引脚图产品参数手册
封装 / 箱体: SOIC-8。电源电压-最大: 3.65 V。电源电压-最小: 2.7 V。最小工作温度: - 40 C。最大工作温度: + 85 C。存储容量: 64 kbit。最大时钟频率: 1 MHz。系列: FM24CL64B。安装风格: SMD/SMT。单位重量: 540 mg。产品种类: F-RAM。组织: 8 k x 8。工作电源电压: 3 V。工厂包装数量：2500。RoHS: 详细信息。湿度敏感性: Yes。产品类型: FRAM。
2024-06-14 09:04:55
107
原创 FM24C64B-GTR非易失存储器芯片中文资料PDF数据手册引脚图产品参数产品手册
商标: Infineon Technologies。电源电压-最小: 4.5 V。电源电压-最大: 5.5 V。最小工作温度: - 40 C。最大工作温度: + 85 C。系列: FM24C64B-G。单位重量: 7.300 mg。存储容量: 64 kbit。最大时钟频率: 1 MHz。封装: MouseReel。安装风格: SMD/SMT。封装: Cut Tape。产品种类: F-RAM。组织: 8 k x 8。工作电源电压: 5 V。RoHS: 详细信息。湿度敏感性: Yes。产品类型: FRAM。
2024-06-14 09:04:11
284
原创 TLV2211IDBVT运算放大器芯片中文资料PDF数据手册引脚图产品参数产品手册
总面积5.6mm2，SOT-23封装仅需要标准8引脚SOIC封装的三分之一的电路板空间。该TLV2211在 3 V 和 5 V 电压下具有完整的特性，并针对低压应用进行了优化。工作电源电压: 2.7 V to 10 V, +/- 1.35 V to +/- 5 V。en - 输入电压噪声密度: 21 nV/sqrt Hz。最小双重电源电压: +/- 1.35 V。输入类型: Rail-to-Rail。输出类型: Rail-to-Rail。封装 / 箱体: SOT-23-5。
2024-06-14 09:03:12
258
原创 SN74ACT14DR反相缓冲器和驱动器中文资料PDF数据手册引脚图产品参数产品手册
功能: Inverter Schmitt Trigger。工作温度范围: - 40 C to + 85 C。输入类型: Schmitt Trigger。封装 / 箱体: SOIC-14。高电平输出电流: - 24 mA。输出线路数量: 6 Output。电路数量: 6 Circuit。电源电压-最大: 5.5 V。电源电压-最小: 4.5 V。最小工作温度: - 40 C。最大工作温度: + 85 C。低电平输出电流: 24 mA。系列: SN74ACT14。工作电源电压: 5 V。
2024-06-13 14:02:36
235
原创 MMBD7000LT1G贴片开关二极管中文资料PDF数据手册引脚图产品参数产品手册特性
产品类型: Diodes - General Purpose, Power, Switching。产品种类: 二极管 - 通用，功率，开关。产品: Switching Diodes。类型: Switching Diode。封装 / 箱体: SOT-23-3。If - 正向电流: 200 mA。Vf - 正向电压: 1.1 V。Ir - 反向电流 : 3 uA。最大浪涌电流: 500 mA。最小工作温度: - 55 C。系列: MMBD7000L。工厂包装数量：3000。RoHS: 详细信息。
2024-06-13 14:01:46
238
原创 SN74LVC244APWR三态输出八路缓冲器/驱动器芯片中文资料PDF数据手册引脚图
传播延迟时间: 6.7 ns at 2.7 V, 5.7 ns at 3.3 V。工作电源电压: 1.65 V to 3.6 V。Pd-功率耗散: 500 mW (1/2 W)输入信号类型: Single-Ended。极性: Non-Inverting。封装 / 箱体: TSSOP-20。高电平输出电流: - 24 mA。输入线路数量: 8 Input。电源电压-最小: 1.65 V。系列: SN74LVC244A。低电平输出电流: 24 mA。电源电压-最大: 3.6 V。最小工作温度: - 40 C。
2024-06-12 14:05:32
378
原创 INA129U/2K5精密低功耗仪表放大器芯片中文资料PDF数据手册引脚图产品参数手册
即使在高增益（200kHz、G = 100）情况下，电流反馈输入电路也可提供宽带宽。升级后的 INA828 在相同静态电流下可提供更低的输入偏置电流（最大值 0.6nA），并且具有更低的噪声 (7nV/√Hz)。en - 输入电压噪声密度: 8 nV/sqrt Hz。增益V/V: 1 V/V to 10000 V/V。工作电源电压: 4.5 V to 36 V。Vos - 输入偏置电压 : 50 uV。SR - 转换速率 : 4 V/us。双重电源电压: +/- 15 V。Ib - 输入偏流: 5 nA。
2024-06-12 14:04:25
344
原创 低功耗零漂移精密仪表放大器INA333AIDGKR芯片中文资料PDF数据手册引脚图
（0.1μV/°C，G ≥ 100），以及较高的共模抑制比（100dB，G ≥ 10）。该器件可由低至 1.8V (±0.9V) 的电源供电运行，静态电流仅为 50μA，因此非常适合电池供电类系统。INA333 器件采用自动校准技术在扩展工业温度范围内保证了出色的精度，同时还提供了向下扩展至直流的超低噪声密度 (50nV/√Hz)。INA333 器件拥有超低的偏移电压（25μV，G ≥ 100），出色的偏移电压漂移。双重电源电压: +/- 2.75 V。电源电压-最大: 5.5 V。
2024-06-12 14:01:26
304
原创 精密低功耗仪表放大器芯片INA129MDREP中文资料PDF数据手册引脚图产品参数特性
INA129-EP 器件经过激光调整，具有极低的失调电压、漂移和高电压 共模抑制（G ≥ 113时为100 dB）。INA129-EP 器件是一款低功耗通用器件 仪表放大器提供出色的精度。INA129-EP 采用 8 引脚 SOIC 表面贴装封装，额定温度为 –55°C 温度范围为125°C。en - 输入电压噪声密度: 8 nV/sqrt Hz。增益V/V: 1 V/V to 10000 V/V。工作电源电压: 4.5 V to 36 V。SR - 转换速率 : 4 V/us。
2024-06-12 14:00:44
227
原创 INA326EA/2K5精密低温漂CMOS仪表放大器中文资料PDF数据手册引脚图产品参数
INA326 和 INA327（带关断功能）是高性能、低成本、精密仪表放大器，具有轨到轨输入和输出功能。它们是真正的单电源仪表放大器，具有非常低的直流误差和超出正负电源轨的输入共模范围。两者的额定温度范围均为 –40°C 至 +85°C 工业温度范围，工作温度范围为 –40°C 至 +125°C。PSRR - 电源抑制比: 93.98 dB。Vos - 输入偏置电压 : 100 uV。电源电压-最大: 5.5 V。电源电压-最小: 2.7 V。最小工作温度: - 40 C。SR - 转换速率 : -
2024-06-11 11:04:52
324
原创 OPA316IDBVR通用运算放大器芯片中文资料PDF数据手册引脚图产品手册产品参数
这款最新补充的低压 CMOS 运算放大器与 OPAx313 和 OPAx314 搭配，为用户提供了广泛的带宽、噪声和功率选择，可以满足各种应用的 广泛需求的理想之选。OPAx316 器件采用稳健耐用的设计，方便电路设计人员使用，具有单位增益稳定的集成 RFI/EMI 抑制滤波器，在过驱条件下不出现反相，并且带有高静电放电 (ESD) 保护 (4kV HBM)。输入类型: Rail-to-Rail。输出类型: Rail-to-Rail。封装 / 箱体: SOT-23-5。产品种类: 运算放大器 - 运放。
2024-06-11 11:04:06
383
原创 OPA317IDBVR运算放大器芯片中文资料PDF数据手册引脚图产品手册产品参数特性
OPA317（单通道版本）提供 SC70-5、 SOT23-5 和 SOIC-8 三种封装。OPA2317（双通道版本）提供 VSSOP-8 和 SOIC-8 两种封装。这些器件属于采用专有自动校准技术的零漂移系列放大器，在整个时间和温度范围内的偏移电压非常低（最大 90μV）且几乎零漂移，并且静态电流只有 35μA（最大值）。PSRR - 电源抑制比: 1 uV/V。输入类型: Rail-to-Rail。输出类型: Rail-to-Rail。封装 / 箱体: SOT-23-5。
2024-06-11 11:02:51
354
原创 OPA1679IDR音频运算放大器芯片中文资料PDF数据手册引脚图产品参数产品手册
为了适应多种类型音频产品的电源限制，OPA167x 仅在 2mA 的电源电流、±2.25V 至 ±18V（或 4.5V 至 36V）的非常宽的电源电压范围内工作。这些运算放大器是单位增益稳定型放大器，且可在各种负载条件下实现出色的动态行为，因此 OPA167x 可在许多音频电路中使用。OPA167x 放大器在 1kHz 时可实现 4.5nV/√Hz 的低噪声密度和 0.0001% 的低失真度，从而提高了音频信号保真度。最小双重电源电压: +/- 2.25 V。最大双重电源电压: +/- 18 V。
2024-06-11 11:02:01
363
原创 INA128U/2K5低功耗精密仪表放大器芯片中文资料PDF数据手册引脚图产品参数
即使在高增益（200kHz、G = 100）情况下，电流反馈输入电路也可提供宽带宽。升级后的 INA828 在相同静态电流下可提供更低的输入偏置电流（最大值 0.6nA），并且具有更低的噪声 (7nV/√Hz)。放大器类型: Instrumentation Amplifier。en - 输入电压噪声密度: 8 nV/sqrt Hz。增益V/V: 1 V/V to 10000 V/V。工作电源电压: 4.5 V to 36 V。SR - 转换速率 : 4 V/us。双重电源电压: +/- 15 V。
2024-06-11 09:59:07
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原创 INA128UA/2K5精密仪表放大器芯片中文资料PDF数据手册引脚图产品手册产品参数
即使在高增益（200kHz、G = 100）情况下，电流反馈输入电路也可提供宽带宽。升级后的 INA828 在相同静态电流下可提供更低的输入偏置电流（最大值 0.6nA），并且具有更低的噪声 (7nV/√Hz)。放大器类型: Instrumentation Amplifier。en - 输入电压噪声密度: 8 nV/sqrt Hz。增益V/V: 1 V/V to 10000 V/V。工作电源电压: 4.5 V to 36 V。SR - 转换速率 : 4 V/us。双重电源电压: +/- 15 V。
2024-06-10 14:18:16
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原创 AD8009ARZ-REEL7高速电流反馈放大器中文资料PDF数据手册引脚图产品参数特性
信号质量在宽带宽内保持，最坏情况下失真为 -40 dBc @ 250 MHz （G = +10， 1 V p-p）。AD8009能够提供超过175 mA的负载电流，将驱动四个反向端接的视频负载，同时分别保持0.02%和0.04°的低差分增益和相位误差。AD8009还提供SOT-23-5封装，工作在0°C至70°C商用温度范围。AD8009是一款超高速电流反馈放大器，具有惊人的5,500 V/μs压摆率，上升时间为545 ps，非常适合作为脉冲放大器使用。最小双重电源电压: +/- 2.5 V。
2024-06-10 14:17:39
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