FDG6303N场效应管中文资料PDF数据手册引脚图产品参数产品手册

规格书参数：

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-323-6

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 25 V

Id-连续漏极电流: 500 mA

Rds On-漏源导通电阻: 450 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 8 V, + 8 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 650 mV

Qg-栅极电荷: 2.3 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 300 mW

通道模式: Enhancement

系列: FDG6303N

商标: onsemi / Fairchild

配置: Dual

下降时间: 8.5 ns

正向跨导 - 最小值: 1.45 S

高度: 1.1 mm

长度: 2 mm

产品: MOSFET Small Signals

产品类型: MOSFET

上升时间: 8.5 ns

工厂包装数量：3000

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 2 N-Channel

类型: FET

典型关闭延迟时间: 17 ns

典型接通延迟时间: 3 ns

宽度: 1.25 mm

零件号别名: FDG6303N_NL

单位重量: 28 mg

引脚图：