本文介绍了计算机内存的两种类型——SRAM和SDRAM。SRAM利用自锁结构保持数据，速度较快但功耗大；而SDRAM依赖电容存储，需要定期刷新，速度较慢但成本较低。详细解析了两者在写入、保持、读取过程中的工作原理，以及存储结构、引脚差异和扩展方法。
计算机的内存有动态的SDRAM 和SRAM
其中SRAM是指静态内存，内部通过两个自锁的结构保持的结构保持输入的数据，SDRAM是通过电容存储电荷的方式进行存储熟数据，由于电荷的放电特性，需要固定的时间进行充电。SRAM结构要复杂一点，实现的方式需要更多的晶体管，所以功耗大，但是速度快，。SDRAM实现的方式要简单一点，但是需要刷新充电，，同时行列的地址复用，需要更多的时间读取数据，同时读取数据的时候需要预充电，所以速度要慢一点。但是整体的价格要低。
SRAM结构
SRAM的结构如图所示:
有X行地址线,Y地址线，X行地址线控制T5和T6的导通与否，
Y行地址线控制T7和T8的选通与否
（1）写入过程
当写入的时候，XY地址线都选通，此时，T5，T6, T7, T8 都选通了，A点就和IO相连，B点和IO非相连。
当输入1的时候，A为高B为低
输入0的时候，A为低B位高
（2）保持过程
当输入1的时候，A为高B为低 此时T2打开 ，T1关闭，所以 B点被接到低电位 A点维持为高电位
输入0的时候，A为低B位高 ，此时 T2关闭 ， T1打开，所以 A点被拉低，
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