华为硬件笔试部分题目

1.(判断题)DRAM上电时存储单元的内容是全0，而Flash上电时存储单元的内容是全1。(4分)

 A.正确

 B.错误

FLASH可保存  上电后不知道是啥

2.(判断题)眼图可以用来分析高速信号的码间干扰、抖动、噪声和衰减。(4分)

  A.正确

  B.错误

3.(判断题)以太网交换机将冲突域限制在每个端口，提高了网络性能。(4分)

  A.正确 

B.错误

交换机的每个端口都是一个冲突区域

4.(判断题)放大电路的输出信号产生非线性失真是由于电路中晶体管的非线性引起的。(4分)

  A.正确  

B.错误

（1）晶体管的本身非线性（2）电路中的器件的非线性

5.(判断题)1的8位二进制补码是0000_0001,-1的8位二进制补码是 1111_1111。(4分)

  A.正确

B.错误

正数的补码是自己 负数的补码是 按位取反加1

6.(判断题)洗衣机，电冰箱等家用电器都使用三孔插座，是因为如果不接地，家用电器是不能工作的。(4分) 

A.正确 

B.错误

可以工作，只是没有了保护

7.(判断题)十进制数据0x5a与0xa5的同或运算结果为：0x00。(4分)

  A.正确 

B.错误

同或运算，就是两个相同就是输出 1 不同就输出 0 和异或运算的结果相反。

8.(判断题)硅二极管的正向导通压降比锗二极管的大(4分) 

A.正确

  B.错误

  锗的压降一般是0.2v~0.3v

9.(单选题)一空气平行板电容器，两级间距为d，充电后板间电压为u。然后将电源断开，在平板间平行插入一厚度为d/3的金属板。此时电容器原板间电压变为(4分) 

A.U/3 

B.2U/3  

C.3U/4 

D.不变

但电容的大小不是由 Q（带电量）或U（电压）决定的，即： C=εS/4πkd。其中，ε是一个常数，S为电容极板的正对面积，d为电容极板的距离，k则是静电力常量。而常见的平行板电容器，电容为C=εS/d.（ε为极板间介质的介电常数，S为极板面积，d为极板间的距离。） 3电容器的电势能计算公式：E=CU^2/2=QU/2

10.(单选题)8086CPU内部包括哪些单元(4分)

  A.ALU,EU 

B.ALU,BIU