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RSS订阅原创 RF biasing
源跟随器常用于 CS 后面的缓冲器（buffer），因为 CS 放大器需要大的负载来实现高增益，所以负载阻抗必须尽可能的大。对于 CS 电路，在 bias 之前，需要一个 CB, RB 组成一个高通滤波器，使 Vin 和 Vb 之间互不干扰。让 MOS 管的 G,D 连接在一起，形成 diode 形式，作为 CS 的负载，代替原有的 RD。在上文中，PMOS 作为电流源，充当 CS 的负载，那么这个 PMOS（M2）可以进行放大吗？使用电阻 RD 作为 drain 负载。
2024-01-21 17:31:58
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原创 CH5 Low-Noise Amplifiers
NF 也是同样的问题，NF ≥ 3dB，这是因为让 1/gm = 50Ω 引起的，导致其 NF 不好，但如果电路允许输入端一定程度的阻抗失配，可以适当提高 gm，从而降低 NF。下一节中的 CG 采用相同的输入匹配，让 1/gm 做输入匹配，即使 Rin = 1/gm = 50Ω，CG 会拥有同样 NF 的问题。e.g. LNA 的电流很大 (几mA)，电阻为1kΩ，就会产生1V的压降，如今的VDD都很小（=1V），所以压降抵消掉了VDD。
2024-01-16 19:42:35
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空空如也
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