RF Microelectronics -------- Razavi
Chapter 5: LNA
LNA 作为 RX 的 first active stage,其性能至关重要,并且影响着后续电路。大部分情况下,LNA 的设计需要结合整个 RF chain 来看。
5.1 Performance
a. Noise Figure (NF)
一般来说,Receiver (RX) 的 NF,即 总噪声系数 = 6~8dB;天线开关 or 双工器 NF= 0.5~1.5dB;
而对于LNA,NF = 2~3dB,当然,越小越好,后文中的 CS with inductive degeneration(有LG 和 L1)可以做到 NF < 2dB (甚至可以达到1.5dB)。
NF(total) = 总的输出端的噪声 / (Av^2 .* 4kTRs)
b. Gain (Av)
Gain 是 LNA 另一个重要指标,其和 NF 息息相关。
为了让NF 尽可能的小,则需要 Gain(Av) 足够大,一般需要 Av ≥ 15dB
因为,根据 NF(total) 的计算公式,可以明显看出,Av 越大,NF 就越小。
c. Stability (K)
一般来说,需要 K >1,Δ <1
d. Linearity
IP3 和 P1dB 都可以用来衡量 LNA 的线性度。
5.2 Input return loss (Impedance matching)
输入阻抗匹配 Zin = 50 Ω ,让 Re{Zin} = 50 Ω,Im{Zin} = 0,即让虚部之间相互抵消。
In addition,通常使用 input return loss 来反映输入匹配的情况(程度):
Return loss 最好可以达到 -15dB,-10dB 也可以接受。
Apart from that,阻抗匹配的难点 key point 在于,既要实现 50Ω 的匹配,也要避免 50Ω 所带来的噪声。
5.3 CS with inductive load (具有显著的输入匹配问题)
P.S. 这里的 C1 不是一定得有,如果本身的寄生电容足够,可以不用加C1。
使用电感 L1 作为负载,有两方面的 advantages:
a. 如果不用电感作为负载,使用电阻的话,就会在 Vout 和 VDD 之间会产生很大的压降
e.g. LNA 的电流很大 (几mA),电阻为1kΩ,就会产生1V的压降,如今的VDD都很小(=1V),所以压降抵消掉了VDD。因此电感作为负载,压降较小。
b. 同时,电感 L1 和 电容可以 resonate 谐振。
In addition, 其与下面这种 CS 电路具有同样的问题:
这种类型的 CS 的 input impedance 是 capacitive,所以很难达到 50Ω 的输入匹配。
5.4 CS with resistive feedback (used in wideband)
Based on the following circuit, there is no inductance and capacitance. And it does not need to resonate. So it is for wideband (宽带).
PMOS M2 is current source,这是 CS 放大电路的一种,使用电流源作为负载。
注意:此处 M2 的 gate 并没有接到输入端,所以这里的 PMOS 仅作为负载。与后文的 active load CS 形成一个对比。
let Rin = 50 Ω
同时,有一个很明显的缺陷:1/gm 被固定在 50Ω ,不能做的更大,这就导致其 noise figure 会过大,即 NF > 3dB, NF is not good !
In conclusion, 尽管 CS resistive feedback 的 NF 表现不好,但是其 输入匹配是 wideband。
下一节中的 CG 采用相同的输入匹配,让 1/gm 做输入匹配,即使 Rin = 1/gm = 50Ω,CG 会拥有同样 NF 的问题。因为本质上,使用 1/gm 作为 Zin,就等于用电阻做输入匹配,这无疑会引入50Ω 的电阻噪声,这就会导致 NF not good。
Improvement:电流源 PMOS gate 接入 输入信号
书中给出的 active load 的 CS 例题,明显性能比前文要好(PMOS 只作为 current source,没有放大功能)。
在前文的基础上,PMOS 作为一个负载 current source,是否可以放大信号呢?
答案是肯定的,所以可以将 PMOS 的 gate 连接输入信号 Vin。
这样,PMOS 作为 active load,可以放大输入信号。
P.S. 这里的 电流源 I1 是让 M1 M2 偏置。
优点:这样一来,M2 在输出端引入噪声的同时,也放大了输入信号。因此,这种结构的 LNA 要比前文中的结构性能要好得多,即 NF 减小。
缺点:需要提供电源电压 VDD:
5.5 CG⭐( low input impedance 的优势 in LNA design)
因为 CG 的低输入阻抗,使其在LNA 设计中很具有吸引力。
忽略 channel-length modulation and body effect:
与 CS resistive feedback一样,输入阻抗 = 1/gm:
NF 也是同样的问题,NF ≥ 3dB,这是因为让 1/gm = 50Ω 引起的,导致其 NF 不好,但如果电路允许输入端一定程度的阻抗失配,可以适当提高 gm,从而降低 NF。
同样,CG 也是 wideband,所以用的也比较多。
不忽略 channel-length modulation and body effect:
5.6 Cascode CS with inductive degeneration⭐(使用最广泛;narrowband)
First stage:S 连接了一个电感 L1,以及一个不可忽略的寄生电容 Cgs1
通过小信号分析,可以得到它的 Zin:
很明显,前两项为虚部,最后一项为实部,让其等于 50Ω。
The degeneration inductor L1 可以用 bond wire(键合线)来实现,其电感值一般在0.5~1nH,明显过大,根据上面的计算公式,这会导致实部阻抗>50Ω 。
In addition,as we know,the unity gain frequency (fT):
In this circuit, 我们忽略了Ggd ,只考虑了 Cgs,所以 fT 可以写为:
但是 minimum induction of bond wire = 0.5 nH,无法更小,那么才能在不改变 L1 大小的情况下,实现 50Ω 的匹配呢?
那就只能进行一定的 trade-off ,即降低 fT。通过增加沟道长度 or 在 Cgs 两端并联一个电容。
e.g. Assume 原来的 fT = 160 GHz,就需要减小到:fT = 16 GHz
In conclusion,阻抗实部就可以等效为:
Second stage:考虑了焊盘电容(Pad Capacitance)的影响
Cpad 会减小输入阻抗 Zin:(a)fT 则不用减小过多
(b)但是 L1 需要用来匹配 50Ω ,不能增大,但是其电感值又不够(不足以与 Cgs+Cpad 产生谐振),所以需要在 gate 处加一个 LG (LG 是片外电感,chip-off)。
NF Calculation:
通过小信号计算,得到 NF:
e.g. assume ω0 几GHz,ωT 是100GHz,NF 可以小于 2dB。
In conclusion, this topology is very popular, and it has very perfect noise figure (NF). Meanwhile, is used for narrowband !!!
未完待续(bias network)
Example of CS inductive degeneration:
未完待续
5.7 Noise-Cancelling LNA
理念是:通过增加额外的放大通路(引入一个增益极),将 Rin=50Ω 阻抗产生的噪声抵消(cancel)掉。
未完待续
5.8 Improve IP2 linearity
a. first method: differential LNA
b. second method:
未完待续
Conclusion
NF:2 ~ 3dB;
Gain:≥ 15dB;
LNA 的各式 topologies 各有利弊,overall,CG 和 cascode CS inductive degeneration,这两种电路应用较为广泛。
CG:wideband input impedance matching);NF 通常 ≥ 3dB;Rin = Rs = 50Ω = 1/gm;
Cascode CS inductive degeneration:较好的NF (可以小于2dB);但input impedance matching 是narrowband,可以看出其 gain 同样也是 narrowband。
未完待续
Appendix & Reference
本文中,诸多观点以及经验 主要汲取于拉扎维第二版的《RF Microelectronics》;部分来自同济大学张刚老师的网课录屏;部分来自XJTLU S.Lam 的slides;也有部分个人理解与 “ 臆断 ” 。