1.存储器的分类
- 按存取的方式分类:
- 可读写的:随机存储器RAM,顺序存储器SAM,直接存储器DAM
- 只读存储器ROM
- 按存储介质分类:
- 磁性材料存储器
- 半导体存储器
- 光存储器
- 按功能与存取速度分类:
- 寄存器型存储器
- 高速缓冲存储器
- 主存储器
- 外存储器
- 按信息保存时间分类
- 易失型存储器
- 非易失型存储器
2.存储器技术指标
- 存储容量
- 存取速度
- 可靠性
如果是嵌入式系统,那么功耗
也是一项重要的技术指标
3. 主存中数据的存放
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存储字长与数据字长的概念:
存储字长:主存的一个存储单元所存储的二进制位数
数据字长:计算机一次能处理的二进制位数 -
大端与小端的存放方式
大端:数据的高位字节存放在主存低地址单元(常用)
小端:数据的低位字节存放在主存的低地址单元32位整数:0x12345678 主存中按字节的存放顺序: 大端:12 34 56 78 小端:78 56 34 12
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边界对其的数据存放方式
现代的计算机中,内存空间都是按照字节编址的,理论上讲任何类型的变量(任何变量在内存中所占大小都是以字节为单位)的访问都可以从任何地址开始,但实际情况则是访问特定类型变量时经常在特定的内存地址访问,这就需要各种类型数据按照一定规则在空间上排序,而不是一个接一个的存放,这就是对齐原则。
双字数据起始地址最末三位为000(8字节的整数倍)
单字数据起始地址最末两位为00(4字节的整数倍)
半字数据起始地址最末一位为0(2字节的整数倍)
字节的数据存放按照单字数据处理
4. 存储系统的层次结构与主存的基本结构
1. 存储系统三级结构
2.主存结构
5.半导体存储器的结构与使用
1. 静态MOS存储器(SRAM)
- 静态MOS存储单元
- 静态MOS存储器结构
2. 动态MOS存储器(DRAM)
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动态MOS存储单元
-
刷新操作
这是动态MOS存储单元与静态MOS存储单元最大的区别之一
动态存储单元中,信息以电荷的形式存在于T1或T2管的栅级电容C1、C2上,由于电容容量小,电荷容易泄漏(ms级时间内),所以为了信息能长时间保存,需要及时补充电荷,这个操作被称为刷新
- 集中式刷新:读写时不受刷新操作影响,存储器速度快,但是存在‘死时间’,在死时间内CPU不能访问存储器
- 分散刷新方式:不存在死时间,但严重影响系统效率
- 异步刷新方式:既不存在死时间,又能保证系统效率
3. 只读存储器
MROM:Mask ROM 掩膜ROM
PROM: One-Time Programmable ROM 一次可编程ROM
EPROM: Erasable and Programmable ROM 可擦除可编程ROM
E2PROM: Electrical Erasable and Programmable ROM 电可擦除可编程ROM
Flash: 闪存 快速擦写,不挥发性,可在线擦除重写,非易失性,高密度低功耗的存储器
6. 主存与CPU的连接
如果存储芯片的容量与CPU所要求的容量不匹配时,我们需要对存储器进行扩展,扩展方式有字扩展、位扩展、字位同时扩展
位扩展:
只有数据位不足时使用位扩展
比如说你的计算机是32位的,有32根数据总线,一次可处理4个字节的数据,但是这个存储芯片数据总线DB只有8位,那么就需要4片这样的存储芯片并联
字扩展
只有地址位不足时使用字扩展
比如说你的计算机地址总线是32位的,可以寻址4G的内存空间,但是这个存储芯片地址总线AD只有30位,也就是1G,那么就需要4片存储芯片串联
访问哪一段内存使用哪一片存储器,这就需要片选信号决定,片选方式有 线选法、全译码法、部分译码法
字位同时扩展
当数据位与地址位均不足时
7.存储器接口
存储器与CPU外部数据线的连接问题,由于存储器按字节编址,当存储器的数据位数大于8时,CPU可能读取一个规整字,也可能读取它的一部分
8位:直接访问
16位:由A0和BHE(高字节允许)控制访问
32位:由BE3-BE0控制
64位:由A0-A3和BE7-BE0控制
8. 并行主存
期末周了,有空更
9. 高速缓冲器
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10. 虚拟存储器
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11. 辅助存储器
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