IC设计与验证
Insulatorer
这个作者很懒,什么都没留下…
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LVS可能的错误
可能的一种是需要外加NWELL原创 2023-07-24 14:41:46 · 2220 阅读 · 0 评论 -
layout小技巧
去除保护环上的M1及其通孔:选中要修改的保护环,Q查看详情(如图1),选中Choppable,点击Apply,然后选中的Choppable选项可能会消失,可以继续第三步,点击Subpart,等(图2)出现。默认的选择一般为M1开头的那个选项,因为要去掉M1及其通孔,所以选择此项 (加粗为个人理解),选中M1后点击Edit,第三步点击Subrectangle,等(图3)出现。默认会选中(图3)中的1,再次点击Edit,最后点击OK,界面消失后再次重复(图1)中的1、2步。然后点击(图1)中的O...原创 2020-09-07 16:43:37 · 1451 阅读 · 1 评论 -
折叠式共源共栅CMOS运算放大器设计
折叠式共源共栅CMOS运算放大器一、VIN1和VIN2W不能过大,I不能过小,中间差值没有过多影响。二、VB1W不能过大,I不能过小,中间差值没有过多影响。三、VB2W不能过大,I不能过小,中间差值没有过多影响。四、VB3当W和I比较接近是图形的曲线如图:当W和I的值相差过大和两数值中不论是一个还是两个特别大都会导致效果的不理想。五、VB4W不能过大,I不能过小,中间差值没有过多影响。六、AVDD数值不能太大,需找到特定的值。...原创 2020-05-12 22:21:13 · 8376 阅读 · 4 评论 -
DRC中的问题
1.poly和保护环的距离是0.6图上的虚线为电阻和保护环的距离为0.26图上的虚线为电阻和保护环的距离为0.43图上的虚线为电阻和保护环的距离为0.43和在让两条紫线隔0.26原创 2020-05-11 10:37:34 · 795 阅读 · 0 评论