1. Nand启动方式
S3C6410有一个Stepping Stone,是8KB大小的内部SRAM缓冲器。
Nand Flash启动时,由于Nand Flash不能XIP,Nand Flash的前4KB被自动载入Stepping Stone中,系统会自动执行这4KB的代码。
这4KB代码的功能就是将Nand Flash中的特定位置的内容拷贝到SDRAM中,并跳转到SDRAM中执行。
在4KB的自动载入过程中,没有硬件ECC校验。而4KB代码执行时将Nand Flash中特定位置的内容拷贝到SDRAM的过程,有硬件ECC校验。
这4KB的代码一般是Nboot,而Nand Flash中特定特定位置的内容是EBOOT或者UBOOT。也有可能将UBOOT或者EBOOT一分为二,一部分放在前4KB,一部分放在其它位置。
Nor支持XIP,可以直接放EBOOT或者UBOOT。
3. Wince镜像的nk.nb0和nk.bin
nk.nb0被boot拷贝到sdram后,可以直接运行。而nk.bin有特定的格式,需要解压。
4. SLC Nand、MLC Nand、TLC Nand
SLC:Single Level Cell;
MLC:Multi Level Cell;
TLC:Trinary Level Cell;
差异就是一个Cell存放1位,2位还是3位。
SLC速度快、寿命长,价格贵,10万次的擦写寿命。
MLC速度一般、寿命一般、价格一般:5000-10000次的擦写寿命。
TLC速度慢、寿命短、价格低,500次的擦写寿命。
5. RVMDK和RVDS
RVMDK:RealView Micro-processor Development Kit;
RVDS: RealView Development Suite;
RVMDK是ARM针对ARM7、ARM9、Cortex-M系列提供的IDE,侧重于单片机进化的ARM产品。
RVDS是ARM针对ARM全系列提供的IDE;
S3C6410有一个Stepping Stone,是8KB大小的内部SRAM缓冲器。
Nand Flash启动时,由于Nand Flash不能XIP,Nand Flash的前4KB被自动载入Stepping Stone中,系统会自动执行这4KB的代码。
这4KB代码的功能就是将Nand Flash中的特定位置的内容拷贝到SDRAM中,并跳转到SDRAM中执行。
在4KB的自动载入过程中,没有硬件ECC校验。而4KB代码执行时将Nand Flash中特定位置的内容拷贝到SDRAM的过程,有硬件ECC校验。
这4KB的代码一般是Nboot,而Nand Flash中特定特定位置的内容是EBOOT或者UBOOT。也有可能将UBOOT或者EBOOT一分为二,一部分放在前4KB,一部分放在其它位置。
也就是说,nboot只是在系统上电之后,自动在片内stepping stone中执行的4KB代码,作用是搬运工的工作,主要原因是6410不支持nand flash直接运行程序(XIP),所以必须要有一个搬运工将bootloader代码从flash中搬运至RAM内存中执行。
2. Nor启动方式Nor支持XIP,可以直接放EBOOT或者UBOOT。
3. Wince镜像的nk.nb0和nk.bin
nk.nb0被boot拷贝到sdram后,可以直接运行。而nk.bin有特定的格式,需要解压。
4. SLC Nand、MLC Nand、TLC Nand
SLC:Single Level Cell;
MLC:Multi Level Cell;
TLC:Trinary Level Cell;
差异就是一个Cell存放1位,2位还是3位。
SLC速度快、寿命长,价格贵,10万次的擦写寿命。
MLC速度一般、寿命一般、价格一般:5000-10000次的擦写寿命。
TLC速度慢、寿命短、价格低,500次的擦写寿命。
5. RVMDK和RVDS
RVMDK:RealView Micro-processor Development Kit;
RVDS: RealView Development Suite;
RVMDK是ARM针对ARM7、ARM9、Cortex-M系列提供的IDE,侧重于单片机进化的ARM产品。
RVDS是ARM针对ARM全系列提供的IDE;