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矽普
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深圳市青牛科技实业有限公司
专注于运动控制芯片、运动控制产品研发、生产与销售为一体的技术型芯片代理商、方案商。公司拥有一支勇于创新、追求卓越、经验丰富的研发、销售团队专注于马达控制。研发团队经过多年沉淀研发,无论在硬件设计还是软件核心算法技术上取得了重大突破。
公司主要以代理驱动芯片、驱动方案的研发推广与生产步进驱动器,伺服驱动器,直流无直流无刷驱动器及运动控制器等系列产品。广泛应用于消费电子、医疗设备、工业自动化、汽车电子等领域。
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什么是浪涌电压_浪涌电压的种类及保护器件的选型
通过合理的选型、安装和维护浪涌保护器件,可以有效地防止浪涌电压对设备的危害,保障设备的正常运行和系统的稳定性。工作电路中一旦有浪电压侵入时,将浪涌电压抑制在设备可接受的阈值范围内,保证设备在受到浪涌干扰时的正常运行,并且防止电路元器件和系统的损坏。感应雷击电涌过电压:雷击闪电产生的高速变化的电磁场,闪电辐射的电场作用于导体,感应出很高的过电压。这类过电压具有很陡的前沿并快速衰减。雷击传导电涌过电压:由远处的架空线传导而来,由于接于电力网的设备对过电压有不同的抑制能力,因此传导过电压能量随线路的延长而减弱。原创 2024-07-04 11:08:42 · 131 阅读 · 0 评论 -
电流传感器技术详解,你都懂吗?
要测量的信号称为“初级电流”,而输出信号称为“次级电流或电压”。由于存在不同的测量技术,并且初级电流可能因波形、脉冲类型、隔离和电流强度而异,因此市场提供了多种电流传感器。当电流通过分流器时,产生的电压与该电流成正比。利用这个原理,对于不太高的电流,我们可以准确地获得交流和直流电流。另一方面,当电流上升并超过 100 A 时,会产生过多的热量,测量系统可能会变得无效和关键。然而,设备必须确保高效和准确的测量,具有非常高的检测质量、极其平坦的频率响应和出色的直流稳定性。让我们深入了解电流传感器的行为。原创 2024-07-03 14:20:17 · 334 阅读 · 0 评论 -
深入分析差分驱动器,4种情形帮您看透~
已知所需的增益G、增益设置电阻RG1和信号源电阻RS,计算反馈电阻RF1A的初始值。此外,RG2=RG1。设计输入为源阻抗RS、增益设置电阻RG1和所需的增益G。注意:对于端接情形,增益是相对于端接电阻的差分电压(VIN=VD+ –VD-)进行测量。许多情况下,差分驱动源需要驱动双绞线,此时必须将双绞线端接为其特征阻抗,以便保持高带宽并使反射,如图2所示。设计输入为源阻抗RS、增益设置电阻RG1和所需的增益G。为了防止VOCM在差分输出端产生不良的失调电压,差分放大器的两个输入端看到的净阻抗必须相等。原创 2024-07-02 10:30:52 · 301 阅读 · 0 评论 -
DC-DC转换器中功率电感器的作用
但值得注意的是,Z方向(高度方向)振动较为显著的2次模式在功率电感器单体的情况下出现了较高的频率,但固定于基板上后出现了极低的频率。磁致伸缩导致的外形变化极其微小,约为原尺寸的1万分之1~100万分之1,但如图5所示,在磁性体上绕有线圈的状态下流过电流,当施加所产生的交流磁场时,磁性体将会反复伸缩,并产生振动。在DC-DC转换器的功率电感器中,当流过人耳可听范围频率的交流电流以及脉冲波时,电感器主体会发生振动,该现象称为"线圈噪音",有时也会被听成啸叫现象,功率电感器啸叫机制如下图所示。原创 2024-06-28 11:08:32 · 802 阅读 · 0 评论 -
光遮断器的检测
在检测光遮断器遮光效果时,可采用两只万用表,其中一只万用表拨至R×100挡,黑、红表笔分别接发光二极管的正极、负极,利用万用表内部电池为发光二极管供电,使之发光,另一只万用表拨至R×1k挡,红、黑表笔分别接光遮断器的光敏管的C、E极。另一只万用表拨至R×1k挡,红、黑表笔接光遮断器的光敏管引脚,正、反各测,测量会出现阻值一大一小,以阻值小的测量为准,黑表笔接的为光敏管的C极,红表笔接的为光敏管的E极。在检测光敏管好坏时,万用表仍选择R×1k挡,测量光敏管两个引脚之间的正、反向电阻。原创 2024-06-27 11:09:34 · 238 阅读 · 0 评论 -
判断电势高低的方法_电势的公式介绍
其中 Ep 是电荷 q 在电场中某点的电势能,q 是电荷量。注意,这里的 q 是试探电荷,用于测量电场中某点的电势,而电势 φ 与 q 的正负、大小无关。电势是描述电场中某点电势能的物理量,与电场中的电荷无关,仅与电场本身和所选的零电势点有关。其中 φA 和 φB 分别是A点和B点的电势。电势差 UAB 描述了电荷从A点移动到B点时电场力所做的功与电荷量的比值。原创 2024-06-11 13:36:29 · 289 阅读 · 0 评论 -
使用霍尔效应传感或磁场传感技术的应用
如图 2 所示,较新的器件除了采用片上偏移消除技术之外,还结合了信号放大能力方面的进步,即使在极端环境条件下也可以采用霍尔效应传感技术。随着支持技术的增强,使用霍尔效应传感或磁场传感技术的应用目前已变得有效。本技术文档介绍了霍尔效应技术,并对应用进行了回顾,特别是区分霍尔传感器 IC 的主要类型以及它们可以支持的各种传感行为。这些进步包括功耗和空间的减少,以及诊断和保护功能的集成,使霍尔传感器 IC 能够提供先进的数据驱动功能,这些功能在小型化便携式消费电子产品、汽车和其他不断发展的行业中的需求越来越大。原创 2024-06-07 14:48:07 · 346 阅读 · 0 评论 -
关于时间继电器的基础知识介绍
时间继电器在电路中主要用来实现延时控制,广泛应用于自动化控制电路中,如控制电动机的延时启动、延时停止、延时换向等。这时的电流远远小于吸合电流。它的时间间隔有0.02秒、0.1秒、1秒、10秒,还有可达数小时或数天的延时时间。电动式时间继电器:由同步电动机带动减速齿轮系获得延时,其结构由电动机、传动机构、延时触头和时间刻度盘等组成。晶体管式时间继电器:由电子线路板、不同的晶体管电路构成延时回路,从而获得不同的延时时间。延时时间:时间继电器从其获得输入信号(线圈通电或断电)开始,至触头动作完成所需的时间。原创 2024-06-06 10:36:54 · 249 阅读 · 0 评论 -
射频变压器如何实现宽带阻抗变换
从电路图中很容易看出,输入电压等于一个绕组上的压降(V in = V 1),而负载上的电压为V out = 2 V 1。假设通过上绕组的电流为I 1,其两端的电压降为V 1。由于变压器的作用,V 1的电压差也施加在下部绕组上,并且I 1的电流以指示的方向流过该绕组。在本文中,我们将通过进行简化分析,对 Ruthroff 变压器(包括平衡到不平衡和不平衡到不平衡)有基本的了解。因此,输入电压是输出电压的两倍(V in = V out + V out = 2 V out)。等效输入电阻是负载电阻的四倍。原创 2024-06-04 14:13:45 · 458 阅读 · 0 评论 -
电池化成分容简介与MOS的产品选型分析
电池制成后,其内部的正负极活性物质并没有激活,此时的电池并不具有提供能量的功能,需要通过充放电激活电池内的活性物质,使电池具有储能和自放电的能力,这一充放电激活电池的过程称之电池化成。原创 2024-05-13 14:42:51 · 323 阅读 · 0 评论 -
光伏逆变器MOS产品的选型和简介
光伏逆变器主要由功率转换模块、微机控制模块、EMI模块、保护电路、监测模块、人机交互模块等组成,其发展依赖于电子电路技术、半导体器件技术及现代控制技术的发展。光伏组件所发的电全部都要通过逆变器处理后才能对外输出,因此,逆变器属于光伏发电系统的核心BOS设备。逆变器根据技术路线的不同主要分为集中式逆变器、组串式逆变器、微型逆变器等。国内主要行业厂家有阳光电源、华为、古瑞瓦特、锦浪、固德威、昱能科技、禾迈、上能电气等诸多优秀企业。中国是光伏逆变器主要产地,中国企业光伏逆变器出货量在全球占比较高。原创 2024-05-07 10:31:38 · 263 阅读 · 0 评论 -
光伏逆变器简介与MOS产品在光伏逆变器上的应用分享
光伏逆变器是光伏发电系统的控制中枢,能够将组件产生的直流电转为交流电以实现并网或负载使用。光伏逆变器主要由功率转换模块、微机控制模块、EMI模块、保护电路、监测模块、人机交互模块等组成,其发展依赖于电子电路技术、半导体器件技术及现代控制技术的发展。光伏组件所发的电全部都要通过逆变器处理后才能对外输出,因此,逆变器属于光伏发电系统的核心BOS设备。逆变器根据技术路线的不同主要分为集中式逆变器、组串式逆变器、微型逆变器等。目前,市场主要以集中式逆变器和组串式逆变器为主。原创 2024-04-25 13:56:09 · 736 阅读 · 0 评论 -
MOS产品在储能上的应用介绍与分析
在不同储能技术中,机械储能中的抽水蓄能是当前商业化应用最为成熟的储能方式,以锂电池、钠硫电池为代表的电化学储能整体处于示范和部署到商业化过渡阶段,近年来发展迅速。电池管理系统BMS用于监控、调节电池的充放电,以及在故障时及时关闭输出回路,保证电池的使用安全。我们针对便携式储能、户用储能、工商业储能、集中式储能等应用场景进行全平台布局,产品方向包括Trench/SGT/SJ/SiC MOSFET,IGBT单管和模块同步在研发中。依据储存方式,储能可分为机械储能、电磁储能、电化学储能、热储能和化学储能。原创 2024-04-22 13:50:42 · 414 阅读 · 0 评论 -
分布式光伏与储能如何选mos
我们针对BMS、微逆变器、逆变器产品进行全平台布 局,产品方向包括SGT/SJ/IGBT/SiC JBS/SiC MOS。我们的研发规划包括650V/1200V SJ/IGBT,IGBT混合 单管和SiC JBS/MOS。对于BMS和微逆变器,我们主推40V-150V SGT 产品 和 650V SJ 产品。原创 2023-12-28 16:28:47 · 388 阅读 · 0 评论 -
PD快充MOS的选型分析与工作原理
充电时先将220V交流电通过整流电路变成高压直流电,然 后再通过开关管变成高频高压脉冲,之后再通过变压器变 成低压脉冲,低压的具体数值取决于被充电设备需要的电 压。最后,低压脉中经过整流、稳压电路,变成相应的直 流电。VBUS隔离MOS:30-40V/单双NMOS/PDFN3X3。同步整流MOS:SGT-MOS(根据PD功率)/PDFN5X6。导通电阻小,实现低温升、高效率。产品参数一致性要好,高可靠性。原创 2023-12-14 14:52:27 · 130 阅读 · 0 评论 -
低压MOSFET选型数据分析
低压MOSFET,采用封装形式多样。原创 2023-12-08 10:28:57 · 28 阅读 · 0 评论 -
小电流MOSFET 选型分析数据,可应用于电子烟,电动工具,智能穿戴等产品上
小电流双N,D-N通道MOSFET,电压60V-100V左右 电流300mA-500MA,采用封装形式多样。具有低导通电阻,可快速切换速度,易于设计的驱动电路也易于并联,ESD保护,低电压驱动使该器件非常适合便携式设备等特点。原创 2023-12-08 09:45:14 · 54 阅读 · 0 评论