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原创 【平面波导外腔激光器专题系列】1064nm单纵模平面波导外腔激光器‌

在本文中，我们介绍了1064nm的PW-ECL的特性，我们正在将其开发为更大、更复杂的NPRO的替代品。在现有的碘稳定系统[16]中，我们用PW-ECL代替了NPRO，然后是双级镱光纤放大器，放大器的输出使用非线性晶体倍频，产生的532nm光用于探测碘的无多普勒吸收线，频率错误信号被反馈给注入电流。在10Hz以上，PW-ECL和NPRO的噪声分别下降了1/f1/2和1/f，因此，它们的差异在较高频率下变大，在10kHz时，PW-ECL产生的频率噪声大约是NPRO的100倍。(PW-ECL) 的特性。

原创 半导体光放大器SOA

在过去的 25 年里，光纤通信网络的部署和容量迅速增长。这种增长是新光电技术的发展带来的，这些技术充分利用了光纤的巨大带宽。如今，系统以超过100 Gb/s的比特率运行，光学技术已是全球信息的主要载体，它也是未来网络的核心。这些功能包括几乎无限的带宽，可以承载几乎任何类型的通信服务，以及允许终端容量升级和灵活通道路由的完全透明性。光放大器使光网络的发展成为可能。光放大器可分为两类：光纤放大器和半导体光放大器SOA。前者主导着传统的系统应用，例如在线放大以补偿光链路损耗。然而，由于光半导体制造技术和器件设计的

原创 见合八方：2025年SOA产品全景图，专业国产SOA供应商！

原创 SOA（半导体光放大器）在BOTDR（布里渊光时域反射计）系统中的应用

SOA凭借其高速调制、高增益、小型化和低成本等优势，在BOTDR系统中发挥了重要作用。通过脉冲调制和信号放大，SOA不仅提高了BOTDR系统的信噪比和检测精度，还延长了探测距离，解决了长距离传感中的关键问题。尽管SOA存在非线性效应和偏振敏感性等弱点，但其独特的技术优势使其成为BOTDR系统中不可或缺的关键组件。

原创 SOA半导体光放大器在光纤光栅解调系统中的应用分析

SOA凭借其体积小、成本低、增益高和宽波段覆盖等优势，在光纤光栅解调系统中发挥了重要作用。通过放大光信号，SOA不仅提高了系统的信噪比和解调精度，还扩展了信号的传输距离。尽管存在噪声和耦合损耗等弱点，但其独特的技术优势使其成为光纤光栅解调系统中不可或缺的关键组件。

原创 使用SOA进行光相位调制

然而，应该注意的是，这里介绍的调制器具有足够的带宽，因为微波传输链路所考虑的比特率通常低于500 Mbit/s。最后，应该注意的是，测量是在 -7 dBm 的光输入功率、70 mA 的偏置电流对应 10dB的光纤到光纤增益下进行的，因此光输出功率为 3 dBm。预测的强度变化如图4 所示，其是反相调制指数的函数，即输入部分的调制电流与输出部分的调制电流之比。如图 2 所示，幅度调制引入的强度变化非常大，对于 QPSK 调制，预计变化高达5dB，这在实际系统中是不能容忍的。

原创 在硅氮化物光子平台中使用可调谐窄线宽端面耦合混合激光器实现光束操控

摘要基于量子点RSOAs的1.3 µm芯片级可调谐窄线宽混合集成二极管激光器通过端面耦合到硅氮化物光子集成电路得以实现。混合激光器的线宽约为85 kHz，调谐范围约为47 nm。随后，通过将可调谐二极管激光器与波导表面光栅结合，展示了一个完全集成的光束操控器。该系统通过调谐混合激光器的波长，可以在一个方向上实现4.1˚的光束操控。此外，还展示了一个在~1 µm、1.3 µm和1.55 µm波段工作的波长可调谐三波段混合集成激光器系统，用于单芯片中宽角度的光束操控。1. 引言激光雷达（LiDAR）系统是自动驾

原创 通过启发式参数提取校准半导体光放大器的 TLM 模型

此外，一些再生器还在马赫-泽恩德（Mach-Zehnder）[11] 或萨格纳克（Sagnac）[12] 干涉仪的设置中使用SOA 处理光信号，能够处理 DPSK（差分相移键控）[13] 和 QPSK（正交相移键控）[14] 等相位编码信号。通过大量仿真优化了半导体光放大器模型的系统行为，在光增益与偏置电流、不同光输入功率（-25 至 0 dBm）以及不同 I 偏置（0 至 180 mA）下的增益饱和曲线方面，达到了与商用器件实验结果的合理近似。参数 OCE，顾名思义，表示从光纤耦合到放大器的光功率部分。

原创 见合八方发布1270nm XG(S)-PON半导体光放大SOA芯片

天津见合八方光电科技有限公司隆重推出一款XG(S) PON/ Combo PON的上行1270nm的半导体光放大SOA芯片。在XG(S) PON/Combo PON放大测试中，针对XGS PON上行链路：如放置在OLT的接收侧，可提高3dB以上链路预算；本款新发布的半导体光放大器SOA在现有1310nm的SOA基础上进行优化，噪声系数（NF）典型值7dB，偏振相关增益（PDG）在0.3dB左右，纹波（Ripple）典型值0.2dB。图1 见合八方1270nm半导体光放大SOA芯片。

原创 TW-SOA中的ASE：建模和实验

我们提出了一个行波半导体光放大器 （TW-SOA） 中放大自发辐射 （ASE） 的模型。所提出的模型考虑了整个 ASE 频谱的传播，还考虑了信号和 ASE 引起的饱和效应。使用拟合到测量值的参数，该模型可以准确地在真实器件上测试重现。该模型可以仿真线性和饱和状态下 SOA 的 ASE 谱。当 SOA 饱和时，该模型还用于仿真 ASE 光谱在两个端面上的不同形状，结果非常接近测量值。

原创 封装式高功率窄线宽片状耦合光波导外腔激光器（SCOWECL）

SCOWECL腔体（图1(a)）由一个1 cm长的双通道弯曲片状耦合光波导放大器（SCOWA）、一个带抗反射涂层的透镜光纤、一个光纤布拉格光栅（FBG）（λc=1550 nm，Δλ=20 pm，R=20%）以及一个带光纤尾纤的60 dB光学隔离器组成。其中，υa是有源区域的群速度，Гxy是横截面约束因子，gth是阈值增益，Np是腔内光子密度，Vp是光子腔体体积，nsp是布居反转因子，αH是线宽增强因子，nu(np)是有源（无源）区域的群折射率，La(Lp)是有源（无源）区域的长度。

原创 单频可调半导体激光器

可以看出，在晶体温度T=25℃和泵浦电流Ip=80 mA下，该激光器的发射波长为λ=1063.35 nm，与短周期光栅的反射波长（图4a）很好地吻合。因此，我们证明了使用带外腔的半导体激光器的放大特性，可以实现稳定的单频激光发射，同时通过改变LD有源区的注入电流和/或温度，可以进行离散和连续波长调谐。当某个光栅的反射峰值处的反馈水平最高时，即在特定温度和电流下，该光栅的共振波长与激光晶体腔体本身发射的线吻合，激光发射发生。通过改变包含光栅的光纤段的折射率，可以实现更宽光谱范围内的波长调谐。

原创 二极管泵浦高能激光研究进展和展望（三）

4高功率绿光激光器相比于常见高功率块状固体激光和光纤激光 1μm 附近激光波长，相同光束质量的绿光激光在理想情况下到靶功率密度是近红外激光的 4 倍左右，且金属材料对绿光激光的吸收率是波长为 1 μm 附近的近红外激光的数倍，在金属结构目标上将产生更显著的力-热效应。目前高功率绿光激光器一般是利用了 LD 泵浦激光增益介质产生 1 μm附近的近红外激光结合非线性晶体倍频过程获得的。其中倍频方式一般采用内腔倍频、腔外单通倍频、外腔谐振倍频三种方式。4.1内腔倍频内腔倍频是将倍频晶体放置在基频光激光器的谐振腔内

原创 大功率半导体激光器阵列的封装技术

摘 要半导体激光器阵列的应用已基本覆盖了整个光电子领域，成为当今光电子科学的重要技术。本文介绍了半导体激光器阵列的发展及其应用，着重阐述了半导体激光器阵列的封装技术——热沉材料的选择及其结构优化、热沉与半导体激光器阵列之间的焊接技术、半导体激光器阵列的冷却技术、与光纤的耦合技术等。1 引言大功率半导体激光器具有一系列优点，如高电光转化效率；可通过选用不同的有源区材料或改变多元化合物半导体的组分得到所需的激射波长，覆盖的波段范围宽广；寿命长；具有直接调制能力；而且体积小、重量轻、价格便宜。在科学、远程传感和光

原创 二极管泵浦高能激光研究进展和展望（二）

2高平均功率光纤激光2.1高功率宽谱光纤激光器高功率光纤激光器采用双包层的大模场掺镱光纤作为增益介质，具有亮度高、效率高、结构紧凑等优点。同时光纤本身表面体积比大，散热性能优，极大地改善激光器的稳定性和降低散热系统的复杂性，十分适合于先进制造、能源勘探、国家安全等领域的应用。自 2004年，英国南安普顿大学首次报道了 1.36 kW 的单模连续激光的输出[25]。美国 IPG 公司先后于在 2009 年和 2013 年报道了单光纤单模 9.6 kW 和 20 kW 的光纤激光输出[26-27]。国内单高功率

原创 二极管泵浦高能激光研究进展和展望（一）

摘要：高能激光广泛应用于材料加工、科学研究、空间碎片清除、军事应用等领域。二极管泵浦高能激光具有结构紧凑，系统简单、全电驱无限弹仓的特点，近年来，各类二极管泵浦高能激光围绕着同时实现高功率、高效率、高光束质量这一总目标发展迅速。详细综述了国内外高平均功率块状固体激光、高功率可见光波段激光、高峰值功率激光、高功率光纤激光、碱金属蒸气激光等二极管泵浦高能激光的研究进展，并对其发展趋势进行了展望。高能激光广泛应用于材料加工、科学研究、军事应用等领域。现有研究主要集中在通过提升激光器功率、光束质量提升材料加工和目标

原创 具有大增益、小噪声、高饱和输出功率的新型SOA设计（二）

特别是，在4 mm长的芯片中，使用56%的UC部分，在适中的偏置电流（1.3 A）下，实现了高达40 dB的增益和21.4 dBm的饱和输出功率。三种芯片设计的增益和NF结果如图14所示。因此，在1.3 A电流和1600 nm波长下，对于4 mm长的芯片，根据模型预测，56% UC的SOA的饱和输出功率高于43% UC的SOA。因此，为了减轻噪声系数的恶化，我们设计了一种新的SOA芯片，将未钳制部分置于芯片中心，以避免输入端出现严重的空间烧孔效应，同时在输入和输出端使用锥形结构连接标准部分，如图13所示。

原创 具有大增益、小噪声、高饱和输出功率的新型SOA设计（一）

摘要我们介绍了一种具有高增益（> 40 dB）和高饱和功率（> 21 dBm）的半导体光学放大器（SOA）芯片，其驱动电流适中（1.3 A）。本文提出了一个用于优化新型双段SOA概念的设计模型。该模型的预测结果与制造的芯片上的测量结果非常一致。以增益和饱和输出功率乘积作为性能指标，它展示了迄今为止最佳报道。然而，由于噪声系数略有下降，我们引入了一种先进的设计，使得能够优化噪声系数。I. 引言为了满足光通信系统对更大容量的日益增长的需求，城域网和长途网系统正在考虑将光带宽扩展到L波段和S波段。因此，半导体光放

原创 见合八方亮相美国西部光电子展，展望未来布局全球市场

来自中国天津的见合八方光电科技有限公司（以下简称“见合八方”）携自主研发的覆盖850nm、1060nm、1270nm、1310nm、1490nm、1550nm、1625nm、1653nm波段的SOA（半导体光放大器）及增益芯片惊艳亮相，彰显了“中国芯”的强劲实力。在本次展会上，见合八方重点展示了其自主研发的全波长SOA、Gain Chip以及DFB+SOA混合封装MOPA激光器，其产品采用独特的芯片设计和先进的封装工艺，具有高增益、低噪声、宽带宽、高可靠性等优异性能，可满足不同应用场景的需求。

原创 见合八方将参展2025美国西部光电子展SPIE Photonics West

天津见合八方光电科技有限公司（http://tj.jhbf.cc），是一家专注半导体光放大器SOA研发和生产的高科技企业，目前已推出多款半导体光放大器SOA产品（1060nm, 1310nm, 1550nm），公司已建立了万级超净间实验室，拥有较为全面的光芯片的生产加工、测试和封装设备，并具有光芯片的混合集成微封装能力。见合八方将参展2025美国西部光电子展SPIE Photonics West

原创 SOA 增益恢复波长依赖性：使用单色泵浦探针技术进行模拟和测量（二）

增益动态的数值模拟显示，增益峰值附近波长的恢复时间会延长。天津见合八方光电科技有限公司（http://tj.jhbf.cc），是一家专注半导体光放大器SOA研发和生产的高科技企业，目前已推出多款半导体光放大器SOA产品（1060nm, 1310nm, 1550nm），公司已建立了万级超净间实验室，拥有较为全面的光芯片的生产加工、测试和封装设备，并具有光芯片的混合集成微封装能力。根据第 4 节详述的模型进行的数值模拟，可以计算出比我们实验所能达到的波长范围更宽的恢复时间，特别是比峰值增益更长的波长。

原创 SOA 增益恢复波长依赖性：使用单色泵浦探针技术进行模拟和测量（一）

摘要：迄今为止，对半导体光放大器（SOA）中增益恢复时间的波长依赖性的测量大多采用泵浦-探头技术，泵浦和探头在不同的波长上工作。泵浦波长的选择及其与探头波长的相对接近可能会影响测量结果，并妨碍对恢复动态波长依赖性的明确观察。我们使用单色泵浦-探针测量技术，直接获取了块状 InGaAsP SOAs 中增益恢复时间的波长依赖性。使用来自单模锁定激光器的超短脉冲，明确测量了 SOAs 的光谱依赖性和时间行为。我们使用单模锁定激光器发出的超短脉冲，明确测量了 SOA 的光谱依赖性和时间行为。使用考虑到带内和带间对

原创 硅基III-V光放大器SOA

具有高增益和高输出功率的硅基混合III-V半导体光放大器在许多应用中非常重要，如光收发器、集成微波光子学和光子波束成形。在这项工作中，我们介绍了高增益、高输出功率硅基III-V级半导体光放大器的设计、制造和表征。这些放大器支持混合III-V/Si光学模式，以减少有源区域的限制并增加饱和功率。在4.9 kA/cm2的电流密度下，测得的小信号增益为27 dB，饱和功率为17.24 dBm，片内输出功率为17.5 dBm，室温下的功耗为540 mW，总长度为1.45 mm的放大器。这些放大器是使用6量子阱InGa

原创 基于IMOS平台的PI-SOA

图2a中的摆动是由于低输入功率下噪声的随机性和测量期间使用的2kA/cm2的离散电流密度步长的影响。电流密度的影响也与变化的波长范围相关。所获得的峰值增益、输出饱和功率、增益的偏振灵敏度和3dB增益带宽表明了所设计的SOA适用于基于偏振不敏感SOA的光开关应用。例如，一个路径中有3个SOA级联的16×16最先进的基于SOA的光开关在最坏的情况下具有58dB的路径损耗[9]。因此，要在所有这些指标中获得良好的性能，SOA需要具有高的输入功率动态范围和输出饱和功率、足够的增益、宽的3dB增益带宽和低噪声系数。

原创 SOA关键技术专利分析（二）

在技术趋势方面，本研究发现，SOA 的关键技术主要集中在 H01S5 类别下，半导体激光器相关技术（H01S5 的中心性指标分别包括接近中心性、特征向量中心性、中介中心性和加固结构孔，分别位于 67.75、0.341、830.995 和 0.867），而不是更成熟的导光技术， 传输系统，或用于控制来自独立光源的光的装置或装置。这些技术和要素是跨学科研究的产物，是必不可少的。然而，随着移动通信和光通信技术的飞速发展，不同国家的政府可以考虑在公共部门和学术界投入额外的研发资金和资源，以帮助上述领域的技术发展。

原创 SOA关键技术专利分析（一）

特色应用本研究探讨了半导体光放大器技术的发展趋势，从而为研发资源管理和新技术的推广提供参考。摘要随着 5G、移动通信和光通信技术的发展，半导体光放大器 （SOA） 已成为重要的研究课题。然而，大多数与 SOA 相关的研究都集中在技术讨论或市场研究上，但未能指出关键的 SOA 技术和 SOA 技术的发展趋势。因此，本研究对 SOA 专利进行了分析，并构建了 SOA 专利的技术网络。结果表明，关键的SOA技术主要应用于激光器、半导体激光器、光导、无线通信以外的电磁波传输通信以及控制光源的器件。

原创 用AI设计QD SOA

该ANN模型的输入是器件的长度、有源介质的有效厚度、施加的电流密度和约束因子，输出是放大器增益。在本研究中，利用MATLAB软件中的GA工具箱，获得了17个神经元的神经网络的实际增益，并进行了确定优化有效参数的实验。实验表明，该神经模型具有较高的精度和较低的计算时间。其中，xi是算法的变量（ANN建模中的4个输入参数），wi是变量的相关权重。拟合函数的第一项和第二项的值是通过为v选择合适的值来定义的。根据遗传算法的实验，确定了最优设计的最佳选择函数、交叉函数和第一种群，得到了最佳适应度函数的估计值v。

原创 用于LiDAR测量的1.58um单芯片MOPA（二）

对于某些电流组合配置（DFB、激光器、调制器和喇叭形SOA），光谱似乎是单模的，但当我们对信号进行电学表征时，我们会看到一些不同频率的峰值，如图8b，这些峰值在光学模式之间跳动。MOPA总长4mm（1mmDFB激光器、1mm调制器和2mm喇叭形SOA），当激光器偏置电流为400mA，调制器偏置电流为300mA，SOA偏置电流为3A时，最大输出功率约为430mW，如图9a，相应的光谱如图9b所示，边模抑制比SMSR优于45dB。正如预期的那样，由于直MOPA的光谱的不稳定性，使得无法在激光雷达系统中使用。

原创 用于LiDAR测量的1.58um单芯片MOPA（一）

在图4c中，我们保持了板层的总厚度，但我们增加了InGaAsP层的厚度，并减少了InP层的厚度。在本文中，第一部分我们首先给出了我们的模拟仿真结果，在第二部分，我们给出了1.58 μm MOPA的芯片垂直和水平结构设计，第三部份我们介绍了MOPA器件的制造，最后，第四部分我们展示了该MOPA器件的光学和电气测量结果。另一个方法是使用曲波导结构，如图1c[10]，这个结构中，DFB 激光器是直的，调制部分是弯曲的，喇叭形 SOA 是倾斜的，该结构既减少了SOA端面反射，也使得 DFB背面涂层可更好的控制。

原创 SOA 作为 100G EPON 前置放大器的初步实验结果

原创 技术科普:一文了解SOA光脉冲调制模块

分布式光纤传感：在分布式光纤传感（DVS/DAS）系统中，传统方案使用AOM声光调制器产生光脉冲，近期人们开始使用SOA脉冲调制模块替代声光调制器，其体积缩小和成本大幅降低，并具有高消光比的优势（消光比可达50~80dB），同时，对一些短距离应用，还可省去后端的EDFA，进一步提高了集成度并降低了成本。SOA可替代传统AOM，产生高消光比高功率的光脉冲，见合八方的SOA的脉冲宽度可低至1ns，消光比可高达50-80dB，光功率最高可>23dBm。：SOA具有高速调制特性，部分厂家的型号最小可支持1ns。

原创 高速调谐铌酸锂窄线宽激光器

(e) 当调制频率为 100 kHz 和 1 MHz 时，在 LNOD 微谐振器的电极上施加三角电压斜坡时，集成激光源和参考外腔二极管激光器（ECDL）之间的外差拍频时频图。图 1(d)显示了微谐振器的电光调谐响应，由此可见该平台在快速激光波长调谐方面的潜力。在原理验证实验中，我们展示了一个由聚苯乙烯甜甜圈形状和作为背景的仪器箱壁组成的简单场景的重建，分辨率为 20 厘米（图 1(f)）。为此，在大马士革氮化硅（LNOD）上采用了铌酸锂的异质集成，将前者的电光调谐能力与后者的超低传播损耗相结合[7]。

原创 硅光芯片边耦合器综述（一）

摘要：硅光子学在过去几十年间吸引了越来越多的关注，由于其具有诸多优点，如极低的成本、硅的高折射率带来的高集成密度，以及与现有半导体制造工艺的兼容性，被认为是未来日常应用中的一项充满前景的关键技术。在硅光子集成电路中，光互连是一个重要的问题，而在数据中心和光传输系统等应用场景中，光纤到芯片的光互连至关重要。光纤到芯片的光学耦合主要分为两大类：面外耦合（off-plane coupling）和面内耦合(in-plane coupling)。光栅耦合器属于前者，而边耦合器则属于面内耦合。本文主要关注硅光子集成电路

原创 企业动态 | 天津见合八方展望SOA技术未来，推动光感知领域创新发展

凭借SOA的小体积、高消光比和快速响应特性，新型光开关将在光通信网络、数据中心和光纤传感系统中发挥重要作用，实现更灵活、更高效的光信号控制。，该款MOPA激光器，其内部集成了国产窄线宽DFB激光器和见合八方的SOA半导体光放大器，实现了更小体积、更轻重量、更低功耗的一体化设计，大幅降低系统成本，提升集成度。报告深入阐述了SOA技术及其应用概览，探讨了SOA在光感知领域的应用前景，并对公司及其产品进行了详细介绍，展现了天津见合八方在。，将继续加大研发投入，与行业合作伙伴携手，共同推动光感知技术向前发展。

原创 硅光芯片边耦合器综述（三）

在处理端面时需要注意两个问题：首先，芯片面和耦合器面之间应有适当的间距，以保护器件结构，并减少光在限制不足的间距内传播时的功率消失，通常间距在几微米到几十微米，并可使用折光率匹配油进行更精确的折射率控制。此外，由于边耦合器的错位公差与光纤阵列的制造公差相当，因此边耦合仅适用于单通道封装，当需要连接多根光纤时，它非常昂贵和耗时，一些研究小组和公司还致力于开发多通道边耦合，因为它具有潜在的高耦合效率。如前面的引言中所述，在垂直耦合机制下，光纤被放置在平面光子芯片顶部的某些耦合结构（主要是衍射光栅）的上方。

原创 硅光芯片边耦合器综述（二）

4.边耦合器在垂直方向上的结构4.1. 多个上波导的边耦合器典型的硅光子集成电路基于SOI平台，其由厚的硅衬底、BOX层（用于隔离的埋入式二氧化硅）、光路层和包层（用于自下而上保护的顶部二氧化硅）组成。可以改变BOX层和包层的垂直尺寸，以提高器件性能。对于光纤到芯片边耦合器的垂直结构设计，主要是为了在垂直方向上扩大有效模式面积，以实现光纤和耦合器之间的高模式匹配。图10显示了一种获得大有效模式面积的方法，多个波导放置在硅倒锥波导上方[74,75]。上辅助波导通常由折射率低于硅的材料制成，如氮化硅（S

原创 中国专业1550nm半导体光放大器器件（SOA）供应商、制造商

见合八方1550nm 蝶形 SOA见合八方是中国专业国产SOA半导体光放大器供应商，见合八方的半导体光放大器（SOA）系列产品，主要应用于光信号放大，能显著提高输出光功率。产品具有高增益、低功耗、低偏振相关性等特点，且芯片自有，全工艺国产可控。该系列产品采用密封的标准蝶形封装，并可以提供定制服务。

原创 用于混合集成的高功率InP单片集成宽带可调激光器和SOA阵列（二）

4. 宽带可调窄线宽泵浦激光器我们现在展示可调激光器的可调性、光谱纯度和线宽的数据，包括有和没有高功率放大情况下的数据。主激光器是一个商用宽带可调采样光栅可调谐分布反馈激光器的定制变体，我们在补充材料1图S3中观察到了类似的调谐特性。图4显示了激光器粗调时输出功率和边模抑制比的数据，包括有和没有放大的情况。图4(a)显示了没有放大情况下的光谱性能（单个SOA偏置在低于透明度的状态），使用OSA设置为1.2 GHz（0.01 nm）光谱分辨率进行测量。激光器在扩展C波段内保持超过60 dB的边模抑制比

原创 用于混合集成的高功率InP单片集成宽带可调激光器和SOA阵列（一）

摘要我们展示了一种基于InP的单片光子集成电路（PIC），该电路包括一个宽带可调谐激光主振荡器，其输出通过片上单模波导与一组集成的半导体光放大器（SOA）阵列干涉组合。我们实现了稳定且高效的片上相干光束组合，并从单片PIC中获得高达240 mW的平均功率，Schawlow-Townes线宽在30-50 kHz之间，在扩展C波段内获得超过180 mW的平均功率。我们还探讨了将基于InP的激光器和放大器阵列PIC与高品质因数氮化硅微环谐振器进行混合集成。在通过氮化硅微环谐振器芯片反馈形成的外腔中，我们观察到

原创 天津见合八方-----提供全波段各波长专业国产SOA半导体光放大器