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原创 用于无色波分复用光网络的 10.7 Gb/s 反射式电吸收调制器与半导体光放大器单片集成

由于新的高带宽服务的出现,对高比特率接入网的需求迅速增长。天津见合八方光电科技有限公司(http://tj.jhbf.cc),是一家专注国产半导体光放大器SOA研发和生产的高科技企业,目前已推出多款半导体光放大器SOA产品(850nm,1060nm,1270nm,1310nm, 1550nm,1625nm)以及增益芯片RSOA产品(850nm,1310nm,1550nm),公司已建立了万级超净间实验室,拥有较为全面的光芯片的生产加工、测试和封装设备,并具有光芯片的混合集成微封装能力。

2026-04-10 09:36:52 404

原创 垂直腔面发射激光器与空芯光纤的直接互连

空芯光纤(HCF)与激光二极管或光电二极管的直接互连,是充分发挥空芯光纤独特特性的关键 —— 这类互连(即空芯光纤的耦合)是成像等场景中特定模式光耦合的两种常用方法之一。本文研究了工作波长 850 nm 的单模垂直腔面发射激光器(VCSEL)与空芯光纤的互连。研究结果表明:直接(无透镜)耦合的效率极低(仅约 10%),这是因为空芯光纤的模场直径(MFD)与波导光纤的模场直径不匹配。不过,通过使用梯度折射率光纤模场直径转换器,耦合效率可显著提升至约 69%;而采用双透镜系统,则能实现近 98% 的超高耦合效率

2026-04-10 09:34:52 342

原创 基于半导体光放大器的光纤环形腔激光器

当光纤布拉格光栅在23℃下工作、且半导体光放大器的注入电流为 100 mA 时,光纤激光器的输出光谱如图 5 所示:中心波长为 1549.66 nm(处于激射状态),平均输出功率为 - 5 dBm,信噪比为 45 dB,激光器的线宽约为 2.3 MHz。式中,S表示光子数密度,η为电流注入因子,q为电子电荷,τph为光子寿命(与腔内损耗相关),τsp为载流子寿命,β为自发辐射因子,г0为单量子阱的限制因子,V为有源区体积,M为量子阱的数量。式中,g0是量子阱结构的增益系数,N0是透明载流子浓度。

2026-04-07 16:24:30 175

原创 频率可调谐光子集成外腔激光器

摘要超低损耗氮化硅集成光子电路技术的最新进展为新一代集成激光器的发展铺平了道路,使得集成激光器可实现光纤激光器级的相干性能。然而,目前此类器件主要基于分布反馈激光二极管(DFB)的自注入锁定,这增加了成本且要求对激光器的工作设定点进行精细调节。相比之下,以往的即插即用(turn-key)型传统激光系统采用反射式半导体光放大器(RSOA)。虽然这一方案已被用于基于集成光子技术的激光器,但迄今为止尚不存在既经济又低噪声,同时具备快速调谐、无模式跳变(mode-hop-free)以及适用于调频连续波(FMCW)激

2026-04-07 16:23:36 295

原创 见合八方美国OFC及上海光博会双展圆满收官

天津见合八方光电科技有限公司(http://tj.jhbf.cc),是一家专注国产半导体光放大器SOA研发和生产的高科技企业,目前已推出多款半导体光放大器SOA产品(850nm,1060nm,1270nm,1310nm, 1550nm,1625nm)以及增益芯片RSOA产品(850nm,1310nm,1550nm),公司已建立了万级超净间实验室,拥有较为全面的光芯片的生产加工、测试和封装设备,并具有光芯片的混合集成微封装能力。见合八方同步亮相慕尼黑上海光博会与美国 OFC 展会,实现全球市场的双线覆盖。

2026-04-07 16:21:57 144

原创 【SOA仿真6】多层膜仿真计算

摘要为降低 SOA(半导体光放大器)的增益纹波(详见上篇文章《【SOA 仿真 5】增益纹波计算》[1]),需在 SOA 的波导腔面上镀制 AR 增透膜(抗反射膜)。本文主要介绍多层膜的反射率计算核心方法 —— 传输矩阵法(TMM),并提供对应的 Python 代码仿真实现及两款实用的多层膜计算工具,为 AR 增透膜的设计与优化提供技术支撑。关键词抗反射膜(AR),传输矩阵法(TMM),半导体光放大器(SOA),纹波,多层膜1.核心公式。

2026-02-02 10:48:46 516

原创 【SOA仿真5】SOA增益纹波计算

纹波幅度:图中纹波幅度为0.1dB左右,以单程增益26dB计算,可得到等效腔面反射率大约为1.5E-5。本文通过增益纹波公式,计算得到增益纹波数值和增益纹波波长间隔,并根据增益纹波设计需求,可以求得腔面反射率控制需求。以如需要纹波小于1dB,则腔面反射率应小于1.5e-4,如纹波要求小于0.1dB,则需要腔面反射率<1.5e-5。根据公式5,我们分别绘制了在纹波为1dB,0.1dB,0.01dB时,单程增益与反射率的对应曲线,如图2所示。根据SOA芯片的单程增益以及纹波要求,可求得对应的腔面反射率要求。

2025-12-29 10:30:43 302

原创 【封装技术】几种常用硅光芯片光纤耦合方案

本文翻译节选自meisuoptics网站。硅光子芯片是利用CMOS半导体工艺,将波导、调制器、探测器、多路复用器和解复用器等光子器件集成在硅平台上。与传统的分立器件方案相比,硅光子集成芯片具有低成本、低能耗、高集成度、高传输带宽等特点。为了将硅光子集成芯片组装成为微光学系统,需要将光纤与硅波导耦合。为实现高集成度,最好使用光纤阵列进行芯片耦合。此外,光子芯片的波导很小,不能直接与常规单模光纤耦合,需要进行一些特殊处理。硅片和光纤之间耦合主要有垂直耦合和水平耦合两种方式。

2025-12-29 10:29:56 396

原创 半导体光放大器SOA增益特性仿真

本文所建立模型的半导体光放大器为行波型放大器,该放大器具有波长平坦增益,同时考虑了载流子时间动态特性和饱和特性。然而,由于半导体光放大器无需进行光电转换,且近年来光半导体制造技术和器件设计取得了突飞猛进的发展,它们在未来全光通信网络中展现出作为器件元件的巨大潜力。在达到饱和值之前,半导体光放大器可有效作为恒定增益放大器工作,此时输出信号不受半导体光放大器非线性响应的影响。同时,从公式(4)还可推断出,当半导体光放大器的输入光功率较低时,其增益高于输入光功率较高时的增益,这就是增益饱和现象产生的原因。

2025-12-29 10:29:06 709

原创 【SOA仿真4】SOA增益系数仿真

天津见合八方光电科技有限公司(http://tj.jhbf.cc),是一家专注国产半导体光放大器SOA研发和生产的高科技企业,目前已推出多款半导体光放大器SOA产品(850nm,1060nm,1270nm,1310nm, 1550nm,1625nm)以及增益芯片RSOA产品(850nm,1310nm,1550nm),公司已建立了万级超净间实验室,拥有较为全面的光芯片的生产加工、测试和封装设备,并具有光芯片的混合集成微封装能力。n₁为有源区折射率;器件中心有源区的宽度为W、厚度为d、长度为L,如图1所示。

2025-12-29 10:27:20 777

原创 【SOA仿真3】SOA的增益谱仿真

中我们根据SOA本身的结构参数(如波导长度、波导体积)、特性参数(增益系数、透明载流子浓度,耦合参数),注入参数(偏置电流、输入光功率)等作为输入,仿真求解SOA的增益特性。但这两篇文章均没有给出增益与波长的关系,本文主要仿真增益的波长相关性(增益谱)。本文利用简化的载流子速率方程,以及二分法迭代,仿真得到了外部注入(电流及输入光功率)与增益的关系。公式的左侧时电流注入带来的载流子产生,右侧是载流子复合带来的载流子消耗。后续我们还将仿真增益与波长的关系(增益谱曲线),以及增益的动态特性。

2025-12-29 10:26:25 266

原创 【SOA仿真2】SOA增益饱和特性仿真2

本篇文章将进一步根据SOA本身的结构参数(如波导长度、波导体积)、特性参数(增益系数、透明载流子浓度,耦合参数),注入参数(偏置电流、输入光功率)等作为输入,结合简化的载流子速率方程,仿真求解SOA的增益特性。通过获得的G[k],得到该段的输出光功率Pout[k]=Pin[k]*G[k],并将该值做为下一段的输入光功率Pin[k+1]=Pout[k],重复上面步骤,直到段尾。式中右侧的三项分别是表面缺陷复合、辐射复合和俄歇复合,相应的,其中A为表面缺陷复合系数,B为辐射复合系数,C为俄歇复合系数。

2025-12-29 10:25:19 1103

原创 【SOA仿真1】SOA增益饱和特性仿真1

将所有计算结果重新转换为我们习惯的对数坐标,绘制增益曲线(图3)可以发现,与图2中的实测增益曲线相比,曲线重合度较高,并观察到了增益饱和特性(文献[2])。比较New_G和G值,判断是否收敛,本仿真采用判决方法为|New_G-G|<1E-6;为饱和光功率(同样的,对某个特定偏置电流,其也是常数),公式中均为线性单位。为增益峰值波长处的小信号增益(对某个特定偏置电流,该值为常数),P。根据公式1给出的增益方程,针对不同的Pout取值,求解对应的G。将公式7带入公式6,可得到增益方程(公式1)。

2025-12-29 10:23:47 743

原创 可见光的单片集成外腔激光器

本文报道了首款可见光波段芯片集成锁模二极管激光器。该激光器采用砷化镓增益芯片与低损耗氮化硅反馈电路的混合集成方案,通过聚焦离子束铣削技术实现17.5μm饱和吸收体,在642nm中心波长处实现被动锁模。实验测得平均输出功率3.4mW,光谱带宽1.5nm,重复频率7.84GHz,射频线宽40kHz。该研究突破了可见光波段集成锁模激光器的技术瓶颈,为生物成像、量子光学等应用提供了新型集成光源。

2025-12-29 10:22:36 830

原创 使用平行型子环腔的 23 KHz 线宽 1064 nm SOA 光纤激光器

本研究提出了一种高质量的光纤环形激光器,该激光器通过集成半导体光放大器SOA以及四个子环谐振器产生ASE,并利用非线性偏振旋转器效应,当驱动电流为400mA时,激光器在一小时的测试期间表现出0.204 dB的最大功率偏差和0.012nm的波长偏差。此外,利用延迟自外差测量系统,我们测量了自制光纤激光器的线宽为23 kHz。SOA,NPR效应,窄线宽光纤激光器,环形激光器随着激光技术的发展及其在各种高精度行业的应用,稳定的单纵模SLM窄线宽激光器变得至关重要。窄线宽1064nm激光器在各种应用中发挥着至关重要

2025-12-29 10:14:41 1260

原创 光波导:光子时代的基建工程

注:本文由天津见合八方光电科技有限公司挑选并翻译,旨在推广和分享相关半导体光放大器SOA基础知识,助力SOA技术的发展和应用。特此告知,本文系经过人工翻译而成,虽本公司尽最大努力保证翻译准确性,但不排除存在误差、遗漏或语义解读导致的不完全准确性,建议读者阅读原文或对照阅读,也欢迎指出错误,共同进步。

2025-09-28 13:53:43 177

原创 【封装技术】先进PIC光子集成工艺

光子芯片集成封装是一种极具潜力的技术,它将光学元件集成到器件中,实现高速数据传输、宽带宽、低延迟和高能效,有望突破传统电子元件技术的局限。尤其是近年来,高性能半导体、量子计算和数据中心领域的快速发展,对高速数据处理与传输提出了更高要求。为满足这些需求,器件封装技术的发展聚焦于实现小型化、高效率和高性能,而光子集成芯片封装正是满足这些需求的理想方案。本文综述了光子集成芯片封装在元件级、芯片级和系统级的最新进展,重点分析了当前该技术面临的问题与挑战,并对未来发展趋势进行了展望。集成电路是支撑当前众多行业发展的关

2025-09-28 13:51:46 1076

原创 深圳光博会圆满收官!天津见合八方携两大硬核新品亮相

在这场全球光电子产业的风向标盛会上,天津见合八方光电科技有限公司作为国产SOA半导体光放大器的领先供应商,携两大重磅新品惊艳亮相,成为展会现场备受瞩目的焦点。见合八方此次展会收获的大量客户询盘和合作意向,充分证明了市场对国产SOA光芯片和器件的认可和期待。这款ASE谱宽达80nm的宽谱SOA,以其卓越的光谱性能和稳定的输出特性,成为硅光测试领域的理想选择。"这次展会我们不仅收获了订单,更收获了信心。展会期间,见合八方团队共接待了30余家潜在客户的深度洽谈,并与15家企业达成初步合作意向,现场收获远超预期。

2025-09-28 13:51:08 278

原创 【封装技术】PIC光子集成封装-从样机到量产

晶圆厂提供的光子集成电路PIC的多项目晶圆(MPW)服务,使得研究人员和中小型企业(SMEs)能够低成本完成硅光子芯片的设计和制造。尽管这些硅光芯片可以在探针台上测试,但如果不将它们封装起来,就无法开发成样机,无法在实验室外进行测试。PIC的光子封装比电子封装更具挑战性,成本高出几个数量级,因为它需要可靠的um级光学对准、精确的温度控制,且通常需要高度的垂直和水平电学集成。光子封装或许是开发具有商业价值的集成光子器件过程中最显著的瓶颈。本文阐述了如何满足硅PIC封装的光、电和热要求,以及在实现规模化量产之前

2025-09-28 13:50:09 896

原创 用于自由空间光通信的稳健型的高功率单模1550nm半导体光放大器

摘要1550 nm波长的瓦级半导体光放大器(SOA)在自由空间光通信(FSO)等多种应用中,是替代掺铒光纤放大器(EDFA)的理想选择。其具有更高的效率、更紧凑的结构和更低的成本,同时能提供高功率衍射极限输出。我们展示了一款单模光纤耦合封装的SOA,在1550 nm波长下可实现大于30 dBm(1.2 W)的连续波出纤功率[1],总增益为16 dB,这得益于锥形半导体放大器在衍射极限输出方面的最新进展。文中给出了初步的通信测量结果,在输出功率大于1 W时实现了眼图张开,适用于10 Gbps差分相移键控(DP

2025-09-28 13:49:36 660

原创 见合八方发布1310nm波段宽谱SOA产品

产品ASE光谱覆盖1250~1330nm,小信号增益达25dB,最大输出功率40mW以上,可应用于光通信、硅光测试、光纤传感等领域。天津见合八方光电科技有限公司(以下简称“见合八方”)发布O波段宽谱SOA产品;并携新品参加深圳光博会。

2025-09-28 13:48:47 229

原创 微转印SOA和SA用于790nm脉冲产生

为此,我们展示了通过微转印技术实现的半导体光放大器与可饱和吸收体的异质集成。天津见合八方光电科技有限公司(http://tj.jhbf.cc),是一家专注国产半导体光放大器SOA研发和生产的高科技企业,目前已推出多款半导体光放大器SOA产品(850nm,1060nm,1270nm,1310nm, 1550nm,1625nm)以及增益芯片RSOA产品(850nm,1310nm,1550nm),公司已建立了万级超净间实验室,拥有较为全面的光芯片的生产加工、测试和封装设备,并具有光芯片的混合集成微封装能力。

2025-08-22 13:20:41 742

原创 见合八方发布1310nm波段宽谱SOA产品

产品ASE光谱覆盖1250~1330nm,小信号增益达25dB,最大输出功率40mW以上,可应用于光通信、硅光测试、光纤传感等领域。天津见合八方光电科技有限公司(以下简称“见合八方”)发布O波段宽谱SOA产品;并携新品参加深圳光博会。

2025-08-22 13:20:04 197

原创 【企业新闻】见合八方SOA自动测试系统上线

该系统具有扫码录入、自动测试、批次汇总报表、测试数据检查、数据自动备份、出厂测试报告自动生成等功能,大幅提升了我司SOA量产能力,缩短了测试时间,减少了人为测试误差,降低了管理成本,并有更全面的测试数据,便于后期故障排查定位。通过修改配置文件,该系统可支持多种蝶形器件,包括半导体光放大器SOA, SLD、以及窄线宽激光器等。支持LIV测试、光谱测试、增益谱测试、消光比测试、小信号增益及饱和光功率测试等。为了进一步提升我司SOA量产封装能力,我司自行研发了SOA自动化测试系统,于近日完成调试并上线运行。

2025-08-22 13:18:52 256

原创 【SOA用于噪声抑制】利用饱和SOA抑制强度噪声

尽管非相干光源(如LED或基于光纤的ASE源)作为激光技术的经济替代方案,但其性能受到过量光子噪声的限制,这对于采用此类光源的应用而言,成为了关键的设计问题。因此,探索降低这种强度噪声、改善接收信号质量的技术具有重要意义。到目前为止,人们已经提出了多种噪声抑制方案。一种光电子技术利用两个平衡光电探测器和一个单位增益差分放大器(具有交流和直流耦合端口),从接收信号中减去强度波动。尽管这种方法能够改善信号质量,但噪声降低程度受电子电路带宽的限制;在相关实验中,抑制带宽被限制在约1MHz。该噪声抑制方法曾被研究用

2025-08-11 09:44:11 502

原创 一种简易测试半导体激光器远场光斑的方法‌

作者:见合八方王伟、刘凡随着近些年光子集成技术的飞速发展,光芯片设计及耦合封装,均需要进行对半导体激光器、半导体光放大器和增益芯片等有源光芯片的光斑进行测量,远场光斑特性(如光斑尺寸、垂直和水平发散角)是评估器件性能的核心指标,通过对光斑特性的测量可以验证仿真结果、设计耦合方案、改进芯片波导设计、改进封装工艺。传统的测试方法往往依赖复杂的光学系统或昂贵的专用设备,操作繁琐且成本高昂,而光斑测试系统使用频次少,性价比低。本文给出一种基于积分球光功率计及三轴自动滑台的低成本简易测试方法。通过逐点扫描光场光强分布

2025-08-11 09:43:22 558

原创 【SOA用于噪声抑制】光纤DFB激光器中弛豫振荡噪声抑制

然而,就其在传感和计量中的应用而言,光纤激光器的缺点是RO峰值出现在非常低的频率(即低于几兆赫兹),而激光二极管的RO频率在吉赫兹量级。然而,由于RO峰值的幅度和频率取决于激光器的泵浦功率,在SOA的整个噪声抑制带宽内表征RIN降低,以确定可实现的最小RIN是很有价值的。根据先前的分析 [27],在较低的RO频率下,预计RIN降低幅度将大于30dB。然而,激光器噪声光谱中特有的弛豫振荡(RO)峰值,是由增益介质中粒子数反转与光子密度之间的耦合引起的 ,这会限制其在诸如传感和计量等低频应用中的灵敏度。

2025-08-11 09:42:50 646

原创 SOA增益谱与ASE光谱的区别

综上所述,SOA的增益谱与ASE光谱在中心波长、谱宽和纹波等参数上存在明显差异,但两者具有一定的相关性。SOA的ASE是双向传输的,SOA芯片的输入侧和输出侧均有ASE,如果SOA的波导是对称的,材料均匀,电流密度是均匀的,则SOA输入和输出光谱应基本一致。与ASE光谱相比,SOA的增益谱通常具有更宽的谱宽,这是由于在高增益区域容易出现增益饱和现象,从而引发增益压缩效应,使得增益在谱线范围内趋于平坦。SOA的增益谱,是在有输入光条件下,对不同波长的增益特性绘制的“增益vs波长”的谱线。

2025-08-11 09:42:09 457

原创 一文了解SOA的纹波

使用SOA时则可通过减小偏置电流方式来减小增益,但通常的应用中,我们需要较高的增益,因此在实际设计中,就只有一个方式就是尽可能减少端面反射率,通常需要<10-4。谐振波长的波动导致信号增益的变化。图2是我们对同一个SOA器件做的ASE谱和增益谱的对比测试(注:增益谱中的快速变化是测量误差),可以看到增益谱的纹波与ASE谱的纹波波形和周期一致,但。激光振荡条件为(GsR)2=1,其中Gs为单程增益,R代表端面反射率,为了避免激光振荡,应尽可能减少光反射回有源区域,如果反射率不够低,则在增益谱中会观察到纹波。

2025-08-11 09:41:19 972

原创 【SOA用于噪声抑制】非相干光源的强度噪声

噪声PSD的实验和预测结果如图2.5所示,同时还给出了散粒噪声和探测器热噪声,散粒噪声Sshot使用公式(2.2)计算,负载电阻为50Ω,探测器底噪是没有光输入时探测器输出的噪声功率, 通过实验测量得到。自发辐射是当今大多数常见光源的基本过程,这类光源(包括自然光源和人造光源)发出的光,是大量受激原子或分子自发跃迁到较低能级时辐射的结果,发射出的光包或光子彼此独立产生,在很宽的光谱范围内随机出现。数值计算的更多细节在附录A中给出,需要注意的是,模型的输入光PSD可以是解析函数或实验测量的光谱数据。

2025-07-10 09:17:20 361

原创 【SOA用于噪声抑制】利用饱和SOA抑制强度噪声

尽管非相干光源(如LED或基于光纤的ASE源)作为激光技术的经济替代方案,但其性能受到过量光子噪声的限制,这对于采用此类光源的应用而言,成为了关键的设计问题。因此,探索降低这种强度噪声、改善接收信号质量的技术具有重要意义。到目前为止,人们已经提出了多种噪声抑制方案。一种光电子技术利用两个平衡光电探测器和一个单位增益差分放大器(具有交流和直流耦合端口),从接收信号中减去强度波动。尽管这种方法能够改善信号质量,但噪声降低程度受电子电路带宽的限制;在相关实验中,抑制带宽被限制在约1MHz。该噪声抑制方法曾被研究用

2025-07-10 09:16:17 401

原创 一种简易测试半导体激光器远场光斑的方法‌

天津见合八方光电科技有限公司(http://tj.jhbf.cc),是一家专注国产半导体光放大器SOA研发和生产的高科技企业,目前已推出多款半导体光放大器SOA产品(850nm,1060nm,1270nm,1310nm, 1550nm,1625nm)以及增益芯片RSOA产品(850nm,1310nm,1550nm),公司已建立了万级超净间实验室,拥有较为全面的光芯片的生产加工、测试和封装设备,并具有光芯片的混合集成微封装能力。上图左侧为采集的光场数据,通过软件拟合后,光斑被补充完整,并消除了测量误差。

2025-07-10 09:15:10 837

原创 【平面波导外腔激光器专题系列】用于精密测量的平面波导外腔激光器特性

放大至 320mW。如图 2 所示,热调谐有滞后现象,并可能导致调谐范围内的模式跳变,具体取决于PW-ECL经历的热历史,然而,由于模式之间的转换发生得很顺利,我们通常没有观察到稳定的双模激光或跳模。事实证明,PW-ECL的噪声低于我们测试的大多数其他类型的激光器。自由运行的频率噪声在低于和高于 1 Hz 时分别具有 ~1/f1.0 和 ~1/f0.6 依赖性,在~60 Hz 的控制带宽内,噪声被抑制了高达~1000倍,带宽受饱和误差信号的信噪比限制,至少几天内,我们没有观察到任何因不稳定行为而导致失锁。

2025-06-23 15:23:14 799

原创 使用SOA对激光器实现噪声抑制

2013 年,中科院上海光机所的潘政清等人构建了双向工作的光纤放大器结构连接在单频光纤激光器后端,通过优化光纤放大器数,实现了最大抑制幅度为20 dB 的RIN 控制效果,其有效工作频段为1Hz~1kHz[3]。2016 年,华南理工大学通过优化SOA 的驱动电流以及进入SOA 激光的功率和偏振态,同时结合光电反馈技术抑制SOA 难以处理的低频段RIN,在0.8 kHz~50MHz 的宽频段内达到-150 dB/Hz 的水平,最大RIN 抑制幅度超过55 dB[6]。图2为实验装置,图3和图4为抑制效果。

2025-06-17 14:41:50 823

原创 【企业新闻】见合八方发布250mW大功率窄线宽DFB保偏激光器

2.SOA还可以用于脉冲调制,与直接调制相比,SOA不会影响光谱特性,最高可实现ns级脉冲调制,经过优化后的关断消光比可>70dB。1.进入深度饱和的SOA可实现对该激光器的噪声抑制,能大幅抑制GHz以下低频噪声,对弛豫噪声最大可抑制30dB。保偏激光器,该激光器在1A驱动电流下可实现250mW保偏高功率输出,并具有100KHz线宽,该产品主要用于。,可与我司高功率SOA组合为MOPA激光器。近日,见合八方采用国产芯片封装完成1310nm和1550nm大功率窄线宽。

2025-06-17 14:40:59 364

原创 【平面波导外腔激光器专题系列】用于干涉光纤传感的低噪声平面波导外腔激光器2

激光器的线宽≤ 2.6kHz,相位/频率噪声与长腔光纤激光器相当,1kHz时的 RIN≤-147dB/Hz,功率≥10mW。70 kHz速率的解调是通过相位生成的载波激励,然后是真相位数字解调来完成的,该方法具有低自噪声,能够对市面上噪声最低的激光器进行激光相位/频率噪声测量。RIN失真是由于微振动引起的,而尖峰是由于60Hz交流泄露引起的(译者注:全球电网频率主要为50Hz和60Hz ,欧洲、非洲、澳大利亚、中国为50Hz,和美洲、日本等地区是60Hz),即使所有电流源都由电池供电,其谐波也会泄漏。

2025-06-17 14:32:05 740

原创 【平面波导外腔激光器专题系列】用于光纤传感的低噪声PLC外腔窄线宽激光器

与基于 FBG 的激光器(ECL 和光纤激光器)相比,PLANEX 腔坚固耐用且本质稳定,激光器的可靠性已通过 Telcordia 认证,集成模块设计用于在恶劣的环境条件和振动下运行。PLANEX 激光器结合了光纤/固态激光器的高性能以及半导体激光器的小尺寸高稳定性、高可靠性和成本效益的优点。成本效益高、外形小巧、环境稳定性和可靠性高,使其成为复杂声学/地震传感系统的最佳光源,包括用于石油和天然气海上和下井传感系统的多通道系统,以及其他动态传感,包括水听器、周界和管道入侵检测、基础设施结构健康监测。

2025-06-17 14:31:26 811

原创 SOA在星载领域的应用及展望

天津见合八方于2025年5月19日在第九届空间光通信与组网技术大会发表了《SOA在星载领域的应用及展望》主题报告。

2025-06-17 14:30:46 187

原创 【平面波导外腔激光器专题系列】用于干涉光纤传感的低噪声平面波导外腔激光器

激光器的线宽可以做到<30 kHz,相位/频率噪声与长腔光纤激光器相当,适用于各种光纤传感系统,包括石油和天然气、军事/安全和其他应用中的干涉传感,与当前使用的激光源相比,其便宜且可靠性高。与基于 FBG 的光纤激光器和外腔激光器相比,平面波导ECL腔本质上是稳定的,其在固态 Si 衬底上制造了保偏波导,所有可能的振动灵敏度都与封装相关,并通过正确的将腔体子组件封装集成在14pin蝶形管壳内来实现,平面波导ECL在0-300Hz振动频率范围内的归一化振动灵敏度如图 5 所示。

2025-06-17 14:29:50 757

原创 见合八方发布850nm波段系列产品

(以下简称“见合八方”)发布850nm波段系列产品;包括850nm SLD,850nm RSOA,同时,850nm SOA也在测试验证阶段,即将发布。增益芯片可用于窄线宽光源、可调光源等产品。天津见合八方光电科技有限公司。

2025-06-17 14:29:08 178

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