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原创 见合八方发布用于测风雷达的1550nm蝶形MOPA激光器

该款MOPA激光器，其内部集成了国产窄线宽DFB激光器和见合八方的SOA 半导体光放大器，封装形态为标准蝶形器件，双路输出（左侧为本征分光输出、右侧为高功率输出），支持使用SOA间接调制(以避免直接调制激光器带来啁啾)，内置TEC，隔离器和MPD可选。随着半导体光放大器的快速发展，人们已开始尝试使用高功率半导体光放大器替代传统的光纤放大器，SOA的抗辐射能力比光纤放大器高一到两个数量级，高功率、低成本和集成的SOA器件非常适合应用于MOPA中。传统测风雷达为提高消光比，使用了两级AOM调制光脉冲。

原创 天津见合八方盛邀| CIOE 2024深圳光博会，共探SOA技术新领域

深圳光博会

原创 见合八方发布国产1060nm保偏SOA

产品应用：1.用于提高OCT中半导体激光器输出光功率2.用于搭建1060nm OCT光纤激光器3.用于空间光通信/空间探测

原创 基于InP的通用光子集成技术（五）

在通用工艺中，必须对每批次晶片的工艺性能进行验证；客户将期待这样的验证。在MPW中，验证用户ASPIC工艺性能是不实际的；每个ASPIC都需要不同的测试设置和程序，ASPIC的失败并不意味着工艺失败，问题也可能出现在用户设计中。验证通用过程的唯一实用方法是包括用于BBB表征的测试单元。如果BBB的性能是可以的，那么基于这些BBB的所有元件的性能也应该是可以的——如果它们设计得当，并且流程足够成熟。通过将测试限制在BBB上，我们避免了最终出现大量构建块，而这些构建块的测试将需要不切实际的大测试单元。此外，对于

原创 基于InP的通用光子集成技术（四）

在光子学中引入通用晶圆方法将导致光子芯片复杂度的重大变化：它将把设计从器件级转移到光路级，这一转变发生在20世纪70年代和80年代的微电子中，现在也发生在PIC中。在通用方法中，可以通过具有许多构建块的PDK访问高性能标准化过程，这些构建块的性能和功能行为是准确已知的。设计者不必关心如何设计它们，他们只需从库中调取，开始构建光路，并使用光路仿真器进行分析和优化。当然，关于构建块的操作的良好知识仍然很重要，但不再需要关于工艺技术和层堆栈的详细知识。因此，设计者可以专注于更高抽象级别的光路设计。就像系统设计师用

原创 基于InP的通用光子集成技术（三）

5.CBBCBB是两个或多个BBB的任意组合。我们是否将这种组合称为CBB取决于其重复使用的潜力：如果它可以在更复杂的光路中重复用作构建块，那么它就是CBB。因此，MMI耦合器和AWG是CBB，但更复杂的光路，如完整的DQPSK接收器，也可以是CBB。CBB可以参数化：在由一组DBR激光器和用于复用WDM信号的AWG组成的WDM发射器中，DBR激光器是CBB。但是，为了避免我们最终对每个波长都有一个单独的CBB，我们可以输入DBR激光器的发射波长（由DBR光栅的周期决定）作为参数，这样我们就可以用单个C

原创 基于InP的通用光子集成技术（二）

通用集成技术背后的基础思想是通过一组精确表征的构建块实现单片集成，这些构建块提供了实现不同应用的PIC所需的基础功能。尽管基础思想看起来很简单，但其实际并不容易，因为构建块的数量往往会变得很大：不同类型的激光器（FP、DFB、DBR、CW、脉冲、可调谐等）、调制器、检测器、MMI耦合器（1×2、2×2、1×4、2×4、4×4等）和具有不同通道数量和间距的AWG。为了充分利用通用集成技术的潜力，必须准确地描述这些构建块的特征，以便用户能够基于它们准确地设计复杂的光路。

原创 基于InP的通用光子集成技术（一）

普遍认为光子集成光路（PIC）是一种未来可广泛应用低成本光子系统。但当前PIC仍然比IC贵几个数量级，这限制了它在一些利基市场的应用。最近，一种新的光子集成方法正在出现，它将把PIC的研发和样机成本以及生产时间减少一个数量级以上。它使得无论大型还是小型公司均能够在单个芯片上集成复杂并先进得光子功能，并在PIC应用方面取得突破。本文以埃因霍温大学COBRA研究所开发的技术为例，阐述了通用光子集成技术的概念，并介绍了基于InP的通用集成技术的现状和前景。

原创 天津见合八方访问长春理工大学空间光电技术研究所

天津见合八方光电科技有限公司（http://tj.jhbf.cc），是一家专注半导体光放大器SOA研发和生产的高科技企业，依托于清华大学天津电子院光电集成微系统研究所和光融合感知联合实验室，目前已推出多款半导体光放大器SOA产品（1060nm, 1310nm, 1550nm），公司已建立了万级超净间实验室，拥有较为全面的光芯片的生产加工、测试和封装设备，并具有光芯片的混合集成微封装能力。长春理工大学空间光电技术研究所，作为国内在空间光电技术领域的知名研究机构，拥有一支高水平的科研团队和先进的实验设施。

原创 天津见合八方赴重庆硅基光电子国际论坛，共谋合作新发展

SOA具有出色的幅度控制特性（光子集成芯片中，它即可以作为波导式的放大器、衰减器、调制器、光电探测器），使其成为光子集成芯片中的三大基础构件（幅度控制构件、偏振控制构件、相位控制构件）之一。在论坛期间，见合八方团队有幸聆听了来自各高校、科研院所、企业的专业报告，与业界同仁共同探讨了硅基光电子技术的未来发展新方向，与参会嘉宾分享了企业在技术创新、市场应用等方面的成果，特别是在SOA半导体光放大器与硅光技术的协同发展与合作方面，见合八方与与会专家进行了深入交流，为公司在该领域的进一步发展拓宽了视野。

原创 【学术泰斗·智慧闪耀】北京大学周治平教授莅临见合八方展台，共话SOA技术未来

我们期待在不久的将来，能看到周教授的研究成果在光电领域得到更广泛的应用，为我国乃至全球的科技进步做出更大的贡献，见合八方期待未来与周教授更多的交流与合作，共同推动我国光电科技的繁荣发展。作为光电子领域的领军人物，周治平教授拥有深厚的学术造诣和丰富的实践经验，周教授在光电子领域具有深厚的研究背景，他的研究涵盖了硅基光电子学、半导体器件物理、超快速光通信等多个方面，他的研究团队在硅基光电子学、半导体器件物理等领域取得的突破，为我国在芯片技术领域的自主创新提供了强有力的支持。【技术引领，未来可期】

原创 追光不止，光耀八方，天津见合八方邀您六月共聚苏州光连接大会

天津见合八方依托于清华大学天津电子院光电集成微系统研究所，于2019年合作成立，公司致力于研发国产半导体光放大SOA技术及光子集成技术，目前已推出全系列SOA产品，包括1050nm，1270nm，1310nm和1550nm 全波段SOA光芯片、SOA COC、SOA蝶形器件等。见合八方将展示公司最新的科研成果和技术突破，您将有机会深入了解国产SOA半导体光放大器芯片及器件的发展现状和未来趋势，感受到中国光电产业的蓬勃生机。随着我国光电子产业的迅猛发展，国产增益芯片等核心部件的市场需求将持续增长。

原创 见合八方：1550nm 增益芯片，COC，1550nm，HR 5%反射率

TC=25℃ 0.5 2 dB 出光角 θR 26 ° 发散角（竖直） θt --- --- 30 ° 发散角（水平） θp --- --- 16 ° AR 反射率 RANG 0.005 % HR 反射率 RNOR 5 % 热敏电阻阻值 Rtherm T=25℃ 9.5 10 10.5 KΩ 热敏电阻电流 Itherm --- --- --- 5 mA 工作温度 TC I=Iop 25 40 °C 存储温度 Tstg -40 --- 85 °C 芯片尺寸 1000*400*100（±20） μm。

原创 光接入网络的超宽带半导体光放大器

在我们的工作中，我们还设计了一个多双有源层（MDAL） 结构，通过它我们可以进一步拓宽我们提出的DAL SOA 的增益范围。三DAL结构如图4所示。此外，我们发现传统MQW SOA的3dB增益带宽为61nm（在1513和1574nm之间）和MDAL SOA的107nm（在1513和1620nm之间）（即带宽几乎是其两倍）。然而，很少有包含光纤放大器的LR-PON，例如掺铒光纤放大器（EDFA），这是因为EDFA的工作区域仅限于C（1524-1544nm）和L（1565-1625nm）波段[3,4]。

原创 一文带你看懂什么是光放大器？光放大器的分类及应用 SOA半导体光放大器介绍

光放大器介绍。

原创 SOA半导体光放大器的概念及应用领域

缺点：偏振敏感，不同波长通道间存在交叉增益调制与非线性相互作用 传统SOA与EDFA (掺饵光纤放大器) RA(拉曼放大器）相比，部分指标较弱，但随着近年SOA技术的发展，SOA在输出光功率、小信号增益、偏振、噪声指数等性能获得显著提升，已可在绝大部分场景取代传统的EDFA，同时SOA有着EDFA无法替代的特性，如其可支持O,E,L全波段的放大，且成本低，体积小易集成等特点，SOA必将在光纤通信、光感知、光子集成领域获得规模应用。SOA具有优良的频率响应特性和隔离消光比，可作为光开关或调制器使用。

原创 半导体光放大SOA 1550nm SOA 1310nm SOA

1550nm SOA；SOA半导体光放大器；见合八方

原创 基于GaN的半导体光学放大器SOA

基于GaN的材料可覆盖很宽的光谱范围，以紫外、紫、蓝、绿和红波发射的激光二极管已经商业化。基于GaN的半导体光学放大器（SOA）具有提高激光二极管输出功率的能力，因此SOA将有很多潜在应用。未来需要利用短波、超快脉冲特性的应用，包括微加工、矫正光学和下一代光存储等将可以从基于GaN的SOA中获益最多，当前超快脉冲光源还依赖于大型、昂贵的固态激光器。当与锁模激光二极管一起使用时，基于GaN的 SOA可以产生高能量、高峰值功率的光脉冲。

原创 宽光谱SOA光芯片设计（三）

在本章中，介绍了用于检测SOA样品的实验装置。详细介绍了用于估计器件增益和耦合效率、确认单模和评估电触点完整性的初步诊断测量，这些测量是为收集数据中有意义的特征。本章展示了实验研究的亮点。首先，研究了偏置电流和输出光功率和电压对应关系。其次，测试了单段混合和非混合SOA的ASE光谱和光谱增益，证明了QWI工艺的有效性。最后，对双段SOA，进行了增益和ASE测试，获得了更高的光功率和更宽的光谱。

原创 宽光谱SOA光芯片设计（二）

在本章中，将讨论现代SOA设计的关键问题。现有技术的基础将为后续章节的详细和专业研究提供必要的背景信息。上一章我们探讨了现代SOA设计理论。本章我们聚焦到如何通过将量子阱混合技术应用于双段SOA上来提高增益带宽。在本章中，介绍了一种新型SOA结构，并介绍了用于制作原型器件的生长和处理技术，随后分析了波导结构的导波特性，最后介绍并设计了MQW SOA的增益光谱模型，以提供对器件性能的定性分析。

原创 宽光谱SOA光芯片设计（一）

半导体光学放大器（SOA）或行波光放大器通常是是具有抗反射涂层刻面的法布里-珀罗激光腔。耦合到腔一侧的光在单次通过该器件时被放大。Kobayashi和Kimura于1984年首次提出了这种简单的实施方案及其应用。从那时起，光纤通信行业的持续增长推动了SOA的研究。这项研究还催生了一些新的应用。不同类型光放大器的市场应用主要取决于增益介质中的激发态寿命。掺铒光纤放大器（EDFA）具有几毫秒量级的较长寿命。这导致增益响应滞后，并平滑泵浦功率或输入信号的任何变化。这在波分复用系统中是有益的，它阻止了信道间串扰。

原创 见合八方亮相上海慕尼黑光博会，展示国产领先SOA技术

天津见合八方光电科技有限公司（http://tj.jhbf.cc），是一家专业半导体光放大器SOA研发和生产的高科技企业，依托于清华大学天津电子院光电集成微系统研究所和光融合感知联合实验室，目前已推出多款半导体光放大器SOA产品（1060nm, 1310nm, 1550nm），公司已建立了万级超净间实验室，拥有较为全面的光芯片的生产加工、测试和封装设备，并具有光芯片的混合集成微封装能力。见合八方的半导体光放大器SOA产品广泛应用于光纤通信、光感知、医疗成像等领域。联系人：17695468303（微信同号）

原创 半导体光放大器 (SOA) 白皮书

在 SOA 中（我们在此讨论的仅限于大多数应用中使用的行波放大器），光只需通过增益介质一次，背向反射是最小的。如图 4 所示的波导设计是一种基本设计，输入和输出位于芯片的两侧，两个面均涂有 AR（抗反射）涂层。当增益介质受到高强度泵浦（电或光）时，两个能级之间的粒子数反转，小的输入信号触发受激发射并被放大。在这种情况下，SOA 在输入信号功率较高的情况下可获得更大的输出功率。SOA 中的强非线性虽然给某些光通信应用带来了问题，但却使 SOA 在其他应用中颇具吸引力，例如波长转换、信号和图案再生等。

原创 光通信产业链图谱

原创 1310nm SOA 半导体光放大器，1550nm SOA 半导体光放大器，1270nm SOA半导体光放大器等各波长SOA的产品形态

蝶型封装器件是焊接在电路板上，由光电设备制造商设计和制作成行业应用的模块或整机设备，如用于光传输的台式或卡式的SOA放大器。就是把SOA蝶型器件，加上配套的驱动和控制电路，统统装入一个长方型的金属盒内，手掌大小，俗称模块。模块上有输入和输出带光接头的尾纤，有低压直流电源的供电接头，有控制和通信接口，无显示装置。用于与其他有源无源光组件组合后，封装成成品，如制作SOA的蝶型器件。单一的SOA裸片，只具备光放大的半导体硅芯片，无任何附属连接，只能供给具有半导体激光器设计和封装能力的厂家使用。

原创 一种低噪声半导体光放大器SOA设计

基于相移键控（PSK）的多级相位调制方案因其在接收器灵敏度、频谱效率和色散容限特性方面优于传统的开关键控（OOK）方案，逐渐应用于光通信系统中。然而，该方案增加了光学组件（调制系统在发射机侧使用多级相位调制器，在接收机侧使用无源延迟电路和平衡光电检测器），光学发射器和接收器的插入损耗大幅增加。图1是使用四组Mach-Zehnder干涉仪的16正交幅度调制（16QAM）调制器的结构示意，这产生了约10dB的插入损耗。迫切需要一种小型放大器补偿这些损耗。图1：16QAM调制器示意图。

原创 SOA半导体光放大器常见3种形态：芯片，COC及碟形器件

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