MOS管的内部结构不做过多介绍,反正就是电子与空穴的移动,感兴趣的去看其他博主的。
MOS管分为PMOS和NMOS
PMOS如图所示: S为源极,G为栅极,D为漏极
对于PMOS,Us>Ug时,管子就导通(低电平导通),方向为S到D,当Ug=Us时,导通截止。值得注意的是旁边会加一个寄生二极管,主要起保护作用。
NMOS如图所示:
对于NMOS,Ug>Us时,管子导通(高电平导通),方向为D到S,当Ug=Us时,导通截止。
用途:开关,防反接,电平转换,隔离作用等等
在电路中两种MOS管常用作开关,通过G极和S极的电压高低来实现mos管子开启与关断,实现电路的导通与截止。
选型:1、封装。 2、Vgsth:打开MOS管需要的电压。3、Rdson:MOS管被完全打开时DS的电阻。4、Cgs:g跟s之间的寄生电容,这个与工艺相关。
MOS管与三极管的区别:
1、MOS管是由电压控制的元件(g跟s之间不存在通路,只有一个寄生电容,当撤销io口的高电平,MOS管也不会立即断,因为寄生电容能给管子充电,电放完了,管子才关闭),;三极管是由电流控制的元件(维持三极管工作,be之间的基极电流必须是持续电流,当撤销基极电流,三极管立马断了)。
MOS管优势:省电、导通阻抗小(压降小)
三极管优势:便宜、耐高压大电流
IGBT优势:耐高压大电流