常见电子元件—MOS管

MOS管的内部结构不做过多介绍，反正就是电子与空穴的移动，感兴趣的去看其他博主的。

MOS管分为PMOS和NMOS

PMOS如图所示： S为源极，G为栅极，D为漏极

对于PMOS，Us>Ug时，管子就导通（低电平导通），方向为S到D，当Ug=Us时，导通截止。值得注意的是旁边会加一个寄生二极管，主要起保护作用。

NMOS如图所示：

对于NMOS，Ug>Us时，管子导通（高电平导通），方向为D到S，当Ug=Us时，导通截止。

用途：开关，防反接，电平转换，隔离作用等等

在电路中两种MOS管常用作开关，通过G极和S极的电压高低来实现mos管子开启与关断，实现电路的导通与截止。

选型：1、封装。 2、Vgsth:打开MOS管需要的电压。3、Rdson:MOS管被完全打开时DS的电阻。4、Cgs:g跟s之间的寄生电容，这个与工艺相关。

MOS管与三极管的区别：

1、MOS管是由电压控制的元件（g跟s之间不存在通路，只有一个寄生电容，当撤销io口的高电平，MOS管也不会立即断，因为寄生电容能给管子充电，电放完了，管子才关闭），；三极管是由电流控制的元件（维持三极管工作，be之间的基极电流必须是持续电流，当撤销基极电流，三极管立马断了）。

MOS管优势：省电、导通阻抗小（压降小）

三极管优势：便宜、耐高压大电流

IGBT优势：耐高压大电流