电子技术——MOS管的CV特性

电子技术——MOS管的CV特性

MOS管是一种压控晶体管，本节我们学习MOS管的CV特性，即电压-电流特性。MOS管的特性曲线有两种，分别是伏安特性和传导特性。

$i_D-v_{DS}$ 特性曲线

为了测量MOS管的 $i_D-v_{DS}$ 曲线，我们使用下面的电路：

由上图可知，我们固定栅极电压 $v_{GS}$ 然后调节源极-漏极电压 $v_{DS}$ 来观察漏极电流 $i_D$ 的变化。通过这样的方法，我们就可以绘制出MOS管的CV特性曲线如下图：

图中显示了三个区域，分别是 截止区域 饱和区域 三极管区 。其中截止区域和三极管区作用于开关电路。

换句话说，如果MOS管用作于放大器，他必须处在饱和区。

图中展现了两条曲线，一种是在 $v_{GS}<V_{tn}$ 情况下测量的，此时MOS管永远工作在截止区，因为栅极没有足够大于阈值电压的电压来创建沟道，因此漏极电流恒为零。另一种是在 $v_{GS}=V_{tn}+v_{OV}$ 下测量，此时MOS管打开，可能处在三极管区，也可能处在饱和区。

三极管区和饱和区的边界即是 $v_{DS}$ 和 vOVv_{OV}