模拟电路，包括低频(模拟电子技术基础)和高频(高频电子线路)

高频与低频的区别

高频电路的负载电路一般为选频电路。

低频电路的负载电路一般为电阻。

低频：

1.半导体器件

1.1.PN结：

1.偏置时，电场增强。

2.正偏和反偏：

正向偏置，扩散电流，正向电流大。

反向偏置，漂移电流，反向电流几乎没有。

1.2.二极管

典型电路：钳位电路

二极管负极电位=max[正极电位，负极电位]。

典型电路：整流滤波电路

只保留上半区波形。

典型电路：稳压二极管

1.稳压时，工作在反向击穿区。

2.并联稳压。

1.3.BJT

截止区：e反向偏置，c反向偏置。

放大区：e正向偏置，c反向偏置。

饱和区：e正向偏置，c正向偏置。

2.温度越高，放大系数增大。

低频：

2.基本放大电路

2.1.三种接法

三种接法：共x->x极接地或经过电阻后接地

共E：放大i，u

共C：放大i

共B：放大

2.2.结构

RB：提供iB

RC：提供iC，将iC转换为uC

VCC：提供能源，保证工作在放大区。

2.3.等效电路

直流等效：C开路。确定静态工作点。

交流等效：C、uS短路。确定交流参数(rbe，Ri，Ro，Au)。

2.4.失真

截止失真：削正半周。静态工作点过低。减少RB。

饱和失真：削负半周。静态工作点过高。增大RB。

2.5.求静态工作点

求静态工作点：

通过RB求UBQ->通过UBQ和UBEQ求IEQ->通过IEQ求IBQ、UCEQ

4.反馈

4.1.电压/电流反馈

电压xx：反馈电路接输出点和输出点在同一极

4.2.串联/并联反馈

xx串联：反馈信号与xS串联(u相加)

xx并联：反馈信号与xS并联(i相加)

4.3.反馈的影响

电压xx：稳定uo，Ro减小

xx串联：Ri增大

5.振荡器

5.1.概念

直流(VCC)变交流震荡，无需外加激励。

5.2.平衡与稳定条件

振荡平衡条件：幅度AF=1，相位2n·pi

起振平衡条件：幅度AF>1

振幅平衡稳定条件：放大器的放大倍数随振幅的增大而下降，即有源器件处于非线性状态

相位平衡稳定条件：相频特性曲线在谐振频率附近具有负的斜率，即LC并联谐振回路

5.3.组成

放大电路，正反馈，选频，稳幅

正反馈：等效于引入负电阻，抵消LC回路电阻到0，从而获得等幅振荡。

5.4.类型：

<几兆Hz(低频)：RC(文氏电桥)

几十k~几百兆Hz(高频)：LC

石英晶体振荡电路：

核心是晶振。原理是压电效应。

优点：频率高度稳定，高振荡频率

LC反馈性振荡电路：

起振条件

E两端同为L或C，B两端一个L一个C

电感反馈式三端振荡器(哈特莱振荡器)

特点：C与B接于LC回路两端，E接于L中部

优点：容易起振，改变C不影响F。

缺点：波形不够好，工作频率升高影响F。

电容反馈式三端振荡器(考毕兹振荡器)

特点：与哈特莱类似，但LC互换，E接于两个C之间

优点：波形好，适用于高工作频率，加大C可使频率稳定。

缺点：改变C影响F，但可通过L并联一个可变C来解决。

克拉泼振荡器

特点：与考毕兹类似，但L额外串联一个C。

优点：串联C和L决定f，并联C决定F

缺点：若串联C过小会导致难以起振

6.稳压电源

组成

整流电路、滤波电路、稳压电路

整流电路

单相桥式整流：二极管方向都是从左指向右

滤波电路

电容并联滤波

稳压电路

稳压二极管并联稳压

高频：

1.高频小信号放大器

1.1.组成

负载(选频电路)，放大器

分类：

负载：谐振放大器(LC谐振回路)，集中选频放大器(石英晶体)

1.2.性能指标

Au和Ap

BW：3dB

选择性Kr0.1：

工作稳定性：

噪声系数SNR：越接近

1.3.选频电路

LCR串联：f，Q，BW。大于f呈L。

LCR并联：f，Q，BW。大于f呈C。</