STM8L151 在IAR中实现Flash/EEPROM的擦写

最新推荐文章于 2022-04-20 01:02:05 发布

jnu_fangzebin

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分类专栏： STM8L 文章标签： STM8L flash IAR

本文链接：https://blog.csdn.net/jnu_fangzebin/article/details/51429758

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本文介绍了如何在STM8L151微控制器上使用IAR编译器进行Flash和EEPROM的擦写操作。关键步骤包括在stm8l15x.h文件中启用RAM执行功能，调用__ramfunc关键字的Flash_BlockProgram()函数进行块擦写，并在main函数前进行相应声明。成功案例中，工程设置了支持C标准库。

摘要由CSDN通过智能技术生成

在 STM8L151G6U6中可支持字节擦写和块擦写，块擦写可一次擦写很所字节。字节擦写比较简单，需要注意的是块擦写，在块擦写中，需要配置一个地方。
库中使用说明
对于IAR来说，
Uncomment the line “#define RAM_EXECUTION (1)” in the stm8l15x.h file to enable the FLASH functions execution from RAM through the specific __ramfunc keyword.
之后可在程序中调用Flash_BlockProgram();来进行块擦写。
在main函数前要做以下声明：

 #ifdef _RAISONANCE_
/* needed by memcpy for raisonance */
#include <string.h>
extern int __address__FLASH_EraseBlock;
extern int __size__FLASH_EraseBlock;
extern