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硬件笔试汇总
文章平均质量分 85
老秦和梁思考
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【第四套】华为 2024 年校招-硬件电源岗
20、 栅电压为零,沟道不存在,加上⼀个负电压才能形成 P 沟道,该 MOSFET 为()类型。7、 BOOST 电路⼯作在连续模式,仅 BOOST 电路的输⼊电压升⾼时,下⾯描述不正确的。13、 对于 BOOST 电路,占空⽐为 B,输⼊电压 Vin,输出电压 Vo=()C.在 n 阱⼯艺中,带隙基准电路的 BJT 为 PNP 型,因为与⼯艺兼容性好。1、 其他参数不变,当 LLC 谐振电路的 Lm 增⼤时,描述错误的是。综上所述,正确的答案是 B、减少 Ls 和 C、减少 Rdson。原创 2024-07-03 10:12:48 · 1170 阅读 · 0 评论 -
【第三套】华为 2024 年校招-硬件电源岗
29.线性稳压器是通过调整脉宽或频率达到稳压⽬的的。1.为了增⼤放⼤电路的输⼊电阻,应引⼊( )22.滤波电路中电感应注意哪些参数?24.常⽤的电源仿真软件有哪些?28.磁性材料的分类有哪些?原创 2024-07-03 09:56:13 · 707 阅读 · 0 评论 -
【第二套】华为 2024 年校招-硬件电源岗
14.⼯作在放⼤区的晶体管,当 IB 从 10μA 增⼤到 20μA,IC 从 1mA 增⼤到 2mA,它的 β 为。C. 三极管属于单极型电压控制开关器件,MOS 属于双极型电流控制开关器件。D. 三极管和 MOS 都有三个电极,分别为基极、集电极、发射极。25.实验时,TTL 芯⽚发烫,不可能的原因是()B. 三极管属于电压控制,MOS 属于电流控制。2.PID 中的 I 和 D 的作⽤分别是?B、消除静态误差和减⼩调节时间。C、提⾼动态性能和减⼩超调量。D、减⼩调节时间和减⼩超调量。原创 2024-07-02 13:51:17 · 1555 阅读 · 0 评论 -
【第一套】2023 秋招/2024 年校招-华为-硬件-电源方向笔试题
19.BOOST 电路工作在连续模式,仅 BOOST 电路的输入电压升高时,下面描述不。在正向转换的情况下,如果 SC 架构的 Si 基芯片支持从 6V 到 3V 的转换,17.栅电压为零,沟道不存在,加上一个负电压才能形成 P 沟道,该 MOSFET 为。28.在连续工作模式下,如果 Buck 变换器的占空比为 Dy,则其输出与输入电压。定可以将输入电压从 3V 升高到 6V,因为 SC 架构的特性决定了其在反向转换。C、峰值电流控制模式下,当占空比大于 50%,会产生次谐波振荡,需要斜坡补。原创 2024-07-02 11:49:24 · 1463 阅读 · 0 评论