W25Q256编程时需要关注的器件特性

W25Q256特性

  • W25Q256是NOR FLASH(相比NAND FLASH,擦除很慢,写比较慢,读快很多,出现坏块的机率更低,安全性更好,价格更贵,容量更小),规格参数如下所示。
    W25Q256规格参数
  • W25Q256由131072个可编程页组成,每页包含256字节,总共256M bits可编程位(32M Bytes 可编程字节)。
  • 一次可编程256字节(也可以一次编程1字节,必须在同一个页)。如果写操作(Page Program 02h)超过了同一页的范围,则会返回至页的起始位置继续写,有可能覆盖已写入的内容。
    写操作时间
  • 一次可擦除16页(4KB sector erase)/128页(32KB block erase)/256页(64KB block erase),或整片(chip erase)。
    不同擦除操作需要的时间对比:
    擦除操作时间
  • 小至4KB的sector(扇区),包含16个page(页),允许在需要数据和参数存储的应用程序中具有更大的灵活性。
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