为什么在制作N型半导体时掺杂五价原子?而不是掺杂六价原子甚至七价原子,不是自由电子更多吗?

作者:流落的橙子星人
链接:https://www.zhihu.com/question/370990032/answer/1012032939
来源:知乎
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所谓N型半导体,其实就是电子型半导体,也即一种自由电子浓度远远大于空穴浓度的杂质半导体。

好了,上面就是一个概念而已,大家都知道的,请把握一点,自由电子浓度很高,或者说,是易失电子的。那么所谓“失去的电子”哪里来的呢?就是来自于我们所掺杂的杂质元素。这就要求我们所掺杂的元素,要比较容易失去电子。

一般N型半导体,我们都是掺杂磷,它是一种典型的“N型元素”,当然没有所谓“N型元素”这个概念,这个是我自己YY出来的,嘿嘿嘿嘿

言归正传,我们从化学的角度来考虑一下磷元素和氯元素,也就是五价元素和七价元素。别跟我说氯元素不是半导体,磷元素也不是半导体,但是它的一些同素异形体却是半导体,比如黑磷。只需要用高中化学知识来想一下就好了,磷是易失电子的或者说具有还原性,氯是易得电子的或者说具有氧化性。如果我们掺杂氯的话,从得失电子的角度来说它就P型半导体了,当然我们的P型半导体常见的并不是掺杂氯,仅举例而已。

做个总结,之所以用五价元素,是因为他们更容易失电子,而所谓的六价或者七价元素,他们更容易得电子,并不是所谓的便于计算的原因。

如果,我是说如果,某七价元素X的得失电子能力和五价元素一样,那么用X掺杂得到的半导体,同种掺杂浓度下,自由电子浓度就是翻三倍呀!翻三倍呀!翻三倍呀!为什么不用!

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### 回答1: 在本征半导体中加入几元素可以形成N半导体取决于半导体的材料类。以硅晶体为例,加入五价元素磷(P)或四元素砷(As)可以形成N半导体。这是因为磷或砷的原子比硅原子多一个电子,多出来的电子可以被硅原子的空位接受,形成自由电子。这些自由电子使得半导体变为N,因为它们带负电荷,增加了材料的导电性。 ### 回答2: 在本征半导体中加入少于四个电子的几元素,就可以形成N半导体。本征半导体是指没有掺杂杂质的纯净半导体,其带和导带之间的能隙较窄。几元素是指原子具有几个电子,如砷(As)、锑(Sb)等。在加入几元素的过程中,部分几元素的外层电子与半导体中的晶格原子形成化学键,占据了一部分半导体的晶格位置。 由于几元素的外层电子较多,其中的一个电子没有与晶格原子形成键,处于自由状态。这个自由电子在外加电场或外加能量的作用下会移动,成为半导体中的载流子。加入几元素后形成的N半导体,意味着带负电的电子是主要的载流子。 纯净的本征半导体中,电子和空穴的浓度相等,呈电中性。而在加入几元素的过程中,几元素提供了额外的电子,使N半导体中的电子浓度增加。这些额外的电子在加入半导体后会成为自由电子,从而使N半导体成为一种导电性能较好的材料。 总之,加入少于四个电子的几元素,如砷或锑等,可以在纯净的本征半导体中形成N半导体,从而提高半导体材料的导电性能。 ### 回答3: 在本征半导体中加入几元素可形成N半导体。N半导体是指在本征半导体掺入具有5个电子的元素,也称为施主杂质。这些几元素包括磷(P),砷(As),锑(Sb)等。 当这些几元素掺入到本征半导体,它们与原有的晶格原子形成共键,同多余的电子留在晶格中自由移动,这些自由电子称之为载流子。在N半导体中,载流子主要是由外来几元素提供的额外电子构成。 N半导体的电子浓度较高,电子是主要的载流子,而空穴浓度较低。由于载流子可以自由移动,因此N半导体具有较好的导电性能。这一特性使得N半导体在各种电子器件中广泛应用,如场效应管(FET)、发光二极管(LED)、太阳能电池等。 总之,在本征半导体掺入具有5个电子的几元素,可以引入额外的自由电子,形成N半导体,具有较高的导电性能,适用于各种电子器件的制造。
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