深度分析NandFlash—控制器参数TACLS、TWRPH0和TWRPH1的确定（以TQ2440开发板上的K9F2G08U0A为例）

     对K9F2G08U0C也适用。MINI2440用的是这个。

      这三个参数对于NandFlash的读写操作来说是比较重要的，没搞清楚这三个参数，后面的事就不用提了，那这三个参数到底是干什么的呢，我们怎么样去配置他们呢，今天我花了点时间研究了一下这三个参数。在datasheet中对他们的时序有下面两种图示，一种是写命令或者地址的情况，一种是读写数据的情况：

  

由上图可知，这三个参数控制的是Nand Flash 信号线CLE/ALE与写控制信号nWE的时序关系。

TACLS：表示CLT/ALE的建立时间(setup time)。

TWRPH0：表示nWE/nRE持续的时间。

TWRPH1：表示写进去的数据起作用的时间(hold time)。

                                                       （S3C2440）

结合上面的图，就可以看出TACLS就相当于tCLS和tALS参数，TWRPH0就相当于tWP，而TWRPH1就相当于tCLH和TALH

 

     

                                                                    （上图：K9F2G08U0A和K9F2G08U0C相同）

上图中有两种电压，1.8和3.3，我们的K9F2G08U0A工作时的电压时3.3V，所以应该选用3.3V对应的时序要求，NandFlash的工作电压在哪里看呢，还是datasheet，如下图所示：

                                                                    上图：K9F2G08U0A

                                                                    上图：K9F2G08U0C

从上图我们可以很容易得看出K9F2G08U0A工作时的电压是3.3V。

那这三个参数在哪里确定呢，它们的值又是怎么算呢？在NFCON这个寄存器中，还是datasheet：

                                                         （S3C2440）

由于我们的HCLK是100MHz，周期也就是10ns，可以设

TACLS=2，即2*10ns=20ns > 12ns；TWRPH0=7，及8*10ns=80ns > 12ns；TWRPH1=7，即7*10ns=70ns > 5ns

符合时序要求

原文地址：http://blog.csdn.net/it_114/article/details/6259649

u-boot中设置1 2 1也可以。