08-Nand flash

声明：

本文是本人在韦东山笔记的基础上加了一些注释，方便理解。原文地址：http://wiki.100ask.org/%E7%AC%AC016%E8%AF%BE_Nand_Flash#.E7.AC.AC001.E8.8A.82_NAND_FLASH.E6.93.8D.E4.BD.9C.E5.8E.9F.E7.90.86

第1节 Nand flash操作原理

1.1 几个问题

首先看一下Nand flash的PCB原理图：

可以看出，NAND FLASH是一个存储芯片
那么: 这样的操作很合理即----“读地址A的数据，把数据B写到地址A”

问1. 原理图上NAND FLASH和S3C2440之间只有数据线，怎么传输地址？
答1．在DATA0～DATA7上既传输数据，又传输地址。当ALE为高电平时传输的是地址，

那么在数据线上是不是只传输数据和只传输地址呢？
我们参考NAND FLASH的芯片手册可以知道，对NAND FLASH的操作还需要发出命令，下面有个NAND FLASH的命令表格：

问2. 从NAND FLASH芯片手册可知，要操作NAND FLASH需要先发出命令，那么怎么传入命令？
答2．在DATA0～DATA7上既传输数据，又传输地址，也传输命令：

1. 当ALE为高电平时传输的是地址。
2. 当CLE为高电平时传输的是命令。
3. 当ALE和CLE都为低电平时传输的是数据。

问3. 数据线既接到NAND FLASH，也接到NOR FLASH，还接到SDRAM、DM9000等等， 那么怎么避免干扰？
答3. 这些设备，要访问之必须"选中"（CE片选引脚），没有选中的芯片不会工作，相当于没接一样。

问4. 假设烧写NAND FLASH，把命令、地址、数据发给它之后，NAND FLASH肯定不可能瞬间完成烧写的，怎么判断烧写完成？
答4. 通过状态引脚RnB来判断：它为高电平表示就绪，它为低电平表示正忙。

问5. 怎么操作NAND FLASH呢？
答5. 根据NAND FLASH的芯片手册，一般的过程是：
①发出命令
②发出地址
③发出数据/读数据

看上面的命令表格，不容易看，我们看一下读ID的时序图：
每个NAND FLASH都内嵌一些ID(譬如：厂家ID，设备ID)，时序图从左往右看，纵向放是一列一列的看。

对于我们s3c2440来说，内部集成了一个NAND FLASH控制器，2440和外设连接的简易图，如下图所示：

1.2 Nand flash操作

NAND FLASH控制器，帮我们简化了对NAND FLASH的操作，下面来分析一下不使用NAND FLASH控制器和使用NAND FLASH控制器对外设NAND FLASH的操作：

发命令：下图中，左侧是对Nand flash发命令的具体机制原理，右侧是我们对S3C2440d的操作（即仅对NFCMMD寄存器操作，左侧中的具体步骤寄存器帮我们做了）。
发地址，表中左侧和右侧的区别和上面的发命令一样。

1.3 U-boot读ID

好了，我们来体验一下使用U-boot操作Nand flash。下图（表）的左侧是我们读Nand flash芯片手册得到的读ID的步骤（读操作时序图是下下一幅图），下图（表）的中间是读ID对S3C2440的操作，右侧是如果用u-boot来操作的话u-boot的命令：

读操作时序图：

对于存储为256M的NAND FLASH，需要28条地址线，来表示这个地址值，根据原理图可以，只用8根地址线，所以需要4个周期的地址，为了兼容更大容量的NAND FLASH，要发出5个周期的地址：（如下图所示）

1.4 U-boot读数据

第02节 NandFlash时序及初始化

本节课源码见：
F:\韦东山\005_ARM裸机1期加强版(又叫新1期，151节，23节免费，已完结)\源码文档图片\源码\源码_20180321_添加传感器\019_nand_flash_016\002_chip_id_016_003

下表的左侧是对于一般存储芯片的编程步骤， 右侧是NAND FLASH存储芯片的编程步骤。

存储芯片的编程步骤	NAND FLASH存储芯片编程
初始化	主控芯片的NAND FLASH控制器的初始化
识别	读取ID
读操作	一次读一个页(page)
读操作	写操作
擦除	一次擦除一个块(block)

那么这节课我们做的就是步骤一：初始化。
在下面的几节课我们会分别讲解下剩下的编程步骤。

先来看时序图：
NAND FLASH控制器的时序，是为了让NAND FLASH这个外设 工作起来，假如外接不同的 NAND FLASH外设（即不同的 NAND FLASH芯片），那么它们的操作时序可能就会不同，所以NAND FLASH控制器发出 的时序图，就是不一样的，所以我们根据NAND FLASH外设来设置NAND FLASH控制器。

NAND FLASH时序图，如下所示：

注：下图中的CE上面有一个横杠代表低电平有效。没有横杠的引脚就是高电平有效。



我们在汇编语言中已经设置HCLK为100MHZ，一个周期T = 1000/100 = 10s，通过上面四个图可以知道：
TACLS的值可以为0（即中间图的Duration = tcs - twp = 12 - 12 = 0，故TACLS = 0 ）；
TWRPH0的值可以为1( HCLK*(TWRPH0 + 1) = twp ≥ 12,求得TWRPH0 ≥ 1，取 TWRPH0 = 1 )；
TWRPH1的值可以为0(tclh = 5ns, HCLK*(TWRPH1 + 1) ≥ 5, 求得TWRPH1 ≥ 0，取 TWRPH0 = 0)。

好了，我们开始写代码。NFCONF寄存器设置如下：

#define  TACLS   0/*设置宏定义是为了方便你理解*/
#define  TWRPH0  1
#define  TWRPH1  0
/*设置NAND FLASH的时序*/
NFCONF = (TACLS<<12) | (TWRPH0<<8) | (TWRPH1<<4);

到此设置NAND FLASH的时序已经设置完了，我们接着来使能，使能是在NFCONT寄存器。
MODE [0]: 设置为1，使能NAND FLASH。
Reg_nCE [1]: 设置为1，禁止片选。因为我们现在还没有使用。为避免错误的操作。
InitECC [4]: 初始化ECC的编码器，后边要使用，我们设置为1，来初始化。

所以NFCONF寄存器设置如下：

/*使能NAND FLASH控制器,初始化ECC，禁止片选*/
NFCONT = (1<<4) | (1<<1) | (1<<0);

第03节 NandFlash的芯片id读取

本节课源码见：
F:\韦东山\005_ARM裸机1期加强版(又叫新1期，151节，23节免费，已完结)\源码文档图片\源码\源码_20180321_添加传感器\019_nand_flash_016\002_chip_id_016_003

上节课我们讲解了NAND FLASH的初始化，这节课我们来讲解读取NAND FLASH 的ID, 我们可以参考NAND FLASHh的芯片手册，如下图所示：（NAND FLASH读操作时序图）

我们一般先操作片选使能，只有片选使能之后才能进行后边的操作。为了方便我们写一个片选函数。片选是能代码如下：

void nand_select(void)
{
   
	/*使能片选*/
	NFCONT &=~(1<<1);
}

在写一个禁止片选函数。有使能片选，一定有禁止片选，禁止片选的代码如下：

void nand_deselect(void)
{
   
	/*禁止片选*/
	NFCONT |= (1<<1);
}

读ID的操作时序图，如下图所示：
我们按照从左往右的时间点，来分析，片选信号像一个总开关，只有使能了片选信号，后续的操作才会有意义，我们使能片选信号之后，片选引脚nCE后续一直为低电平，在前面的命令时序图中知道tCLS和tWP最小的时间参数都是12us，就表明CLE和nWE这两个信号可以同时发出，就表示要命令了，对于写什么命令，就要看数据总线上要发送的命令了，当CLE从高电平变为低电平后，表示上次的写操作已经结束了。

对于上面复杂的时序，我们可以使用2440上的NAND FLASH控制器简化操作，只需要往NFCMMD寄存器写入要传输的命令就可以了，NAND FLASH控制器默认把上面复杂的时序发出来。

发命令后，后面就需要发送地址了，当nWE和ALE有效的时候，表示写地址，上图中，要写入的地址是0x00，当ALE从高电平变为低电平的时候，表示写地址结束。我们可以简化为:往NFADDR寄存器中写值就可以了，比如：NFADDR=0x00。

下面我们写代码：发命令的函数，和发地址的函数代码如下：

void nand_cmd(unsigned char cmd)
{
   
	volatile int i;
	NFCCMD = cmd;
	for(i=0; i<10; i++);
}
void nand_addr_byte(unsigned char addr)
{
   
	volatile int i;
	NFADDR = addr;
	for(i=0; i<10; i++);
}

接下来就可以读取数据(芯片ID)了，数据可以直接通过读取NFDATA寄存器里面数据来获得数据，根据时序图，是读5个字节的数据，代码如下：

unsigned char nand_data(void)
{
   
	return	NFDATA;
}

读芯片ID之前先打开片选， 读取芯片ID函数，代码如下：

void nand_chip_id(void)
{
    
	unsigned char buf[5]={
   0};
	
	nand_select(); //打开片选
	nand_cmd(0x90);
	nand_addr_byte(0x00);

	buf[0] = nand_data();
	buf[1] = nand_data();	
	buf[2] = nand_data();
	buf[3] = nand_data();
	buf[4] = nand_data();	
	nand_deselect(); 	//关闭片选

	printf("maker   id  = 0x%x\n\r",buf[0]);
	printf("device  id  = 0x%x\n\r",buf[1]);	
	printf("3rd byte    = 0x%x\n\r",buf[2]);		
	printf("4th byte    = 0x%x\n\r",buf[3]);	

/*取buf[3]中的信息，下面两行是取nand flash的页和块信息。具体信息你见本节最后的图片*/		
printf("page  size  = %d kb\n\r",1 <<  (buf[3] & 0x03));/*取页信息。1左移x位，x等于(buf[3] & 0x03)*/
	printf(