Flash或者EEPROM等寿命限制存储器延长使用寿命的方法

Flash或者EEPROM等寿命限制存储器延长使用寿命的方法

前言：防止数据丢失的方法，就是备份。

一、对于flash，每一扇区的大小一般是1KB或者4KB，使用寿命一般为10万次。

（1）第一种延长使用寿命的方法为，假设需要内存数据与flash数据同步，那么充分利用已分配的全部空间，对每一个数据结构体中需要定义一个字节作为删除标识，也就是说表示这个结构体数据已经删除，同时flash中也要标记删除，然后不要急于去擦除一个扇区的数据，应该根据要存储的数据结构体，根据分配的flash块，一个数据一个数据往后写入，这个在协议和数据的结构设计上就要有要求，要求数据的结构应该包含flash需要操作的标识，等全部写满以后，如果还要再写入，那么就需要寻找有删除过的记录，或者擦除过的扇区，单条写入擦除扇区的方法就是对当前扇区的数据进行拷贝，然后插入要写入的数据之后重新写入那个扇区，如果整块已经全部写满，那么就需要增加策略做下一步的处理

        对于这种情况下的擦除，我们一般有非常多的数据，因此擦除就要根据时间轮询擦除，而对于一个扇区是否擦除，我们采用的方法是在每个扇区的最后或者头位置置一个字节的标志，如果数据量很大，我们还需要轮询写入，写入和擦除均需要等待。

（2）第二种延长寿命的使用方式为，不需要内存数据与flash数据同步，那么就是说数据都是在flash中存储的，需要的时候再读取flash中的数据，那么这种一般使用的是类似上述的方法，不要急于查处某一块扇区，更不能每写入一次就删除一块扇区，除非总的数据就只有一个扇区，否则这个flash的寿命就只有10万次，当然要根据应用情况在判定，如果不是使用频繁的应用自然也可以使用这种方法。

       设计flash的使用时，永远使用一般是使用页，一半是备份页。

       如果对数据的操作很频繁，例如1S或者1min操作一次，那么就需要考虑flash的寿命问题，首先必须将存储的数据表示为一个结构体，然后根据已分配的空间，进行循环存储，《1》或者如果一个结构体按照一个扇区进行定义，那么就是需要两块扇区进行循环存储，循环存储的方法，就是先拷贝扇区中的数据，然后擦除新块的数据，将数据写入新块，最后记录当前数据的存储情况，其实这种存储方法的重要一点是，需要在申请的数据区域的头256个字节中存储一些标识，从而知道当前数据具体存储的位置和情况，当这块要擦除时也要注意，必须先保存头的数据，可以暂时保存在内存中《2》当存储的数据段不是很长，一个扇区内可以存储多个数据段，那么就需要将当前块的flash分为允许存储很多段数据的数量，然后根据这些数量进行多个存储，当存储满的时候可以使用删除的位置，但是一般比较难以标识，所以可以直接切换到备份页，这样子不断的循环。

二、对于EEPROM，一般是单字节操作。使用寿命一般为100万次。

（1）一般eeprom的数据量较小，因此不需要内存与eeprom数据同步，也就是说直接在eeprom中直接存取即可，但是由于有寿命限制，那么读写就不能总是在同一块内进行，使用循环存储和删除表示法。。