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RSS订阅原创 长鑫存储简介
1.（1）长鑫存储是一家一体化存储器制造公司，专注于动态随机存取存储芯片(DRAM)的设计、研发、生产和销售。长鑫存储的技术团队拥有丰富的技术研发经验和创新能力，已推出多款DRAM商用产品，广泛应用于移动终端、电脑、服务器、虚拟现实和物联网等领域。相较于上一代DDR3内存芯片，DDR4内存芯片拥有更快的数据传输速率、更稳定的性能和更低的功耗。长鑫存储自主研发的DDR4内存芯片能够满足市场需求，广泛应用于办公、居家、休闲娱乐等众多场景，为云服务、 物联网等多种设备和产品赋能，带给用户更加出众的使用体验。
2023-08-25 10:33:20
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原创 【深亚微米CMOS前段工艺制程】
2）形成Co-Salicide；，指在没有氧化物覆盖的衬底硅和多晶硅上形成金属硅化物（涉及PECVD淀积SiO2作为SAB，SAB光刻、刻蚀、去胶、清洗自然氧化层，PVD溅射Co和TiN，第一步Salicide RTA-1，Co和TiN选择性刻蚀，第二步Salicide RTA-2将高阻态Co2Si转化为低阻态Co2Si，淀积SiON），从而得到低阻的有源区和多晶硅。，与亚微米工艺类似，制备NW和PW的工艺，NMOS在PW中制备，PMOS在NW中制备，目的是形成PN结隔离，使器件间形成电性隔离；
2023-08-24 16:30:56
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空空如也
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