【深亚微米CMOS前段工艺制程】

深亚微米CMOS前段工艺制程（温德通集成电路制造工艺与工程应用）

深亚微米特征尺寸的CMOS前段工艺，与亚微米CMOS工艺最大的区别在于：1）利用STI结构隔离技术；2）形成Co-Salicide；3）是双阱结构（NW和PW），如果要全隔离的NMOS器件，那么就需要DNW（deep NW），为形成Non-Salicide区域还需要用到SAB掩模版；4）如果考虑高阻值多晶硅电阻，还要用到HRP（High Resistance Poly高阻值多晶硅电阻）掩模版。

Deep submicron CMOS

深亚微米CMOS涉及六个器件：低压NMOS和PMOS组成低压反相器，以及中压NMOS和PMOS组成中压反相器，还有HRP和p型多晶硅电阻。共涉及十一道工艺：1）衬底制备，同亚微米CMOS；2）有源区（Active Area, AA）工艺（涉及炉管热氧化生长一层SiO2薄膜，利用LPCVD淀积一层Si3N4层，利用PECVD淀积一层SiON抗反射层），通过刻蚀（涉及AA光刻、AA刻蚀和AA去胶），除去非有源区区域的硅衬底，保留器件有源区；3）STI