基于0.18um工艺的10bit高速SAR ADC效能分析 10bit 高速SAR ADC基于0.18um工艺的电路

论文标题：基于0.18um工艺的10bit高速SAR ADC效能分析

摘要：本文介绍了一种基于0.18um工艺的10bit高速SAR ADC电路。通过仿真得出，该电路的有效位ENOB为9.6bit，SFDR为63.7dB，性能表现良好，可以适用于高速数据采集系统。本文还详细分析了逐次逼近型模数转换器的设计和优化，提高了ADC的转换效率和精度。

关键词：高速SAR ADC、0.18um工艺、ENOB、SFDR、逐次逼近型模数转换器

10bit 高速SAR ADC基于0.18um工艺的电路，拿去直接可以仿真性能，有效位ENOB9.6bit，SFDR为63.7dB，逐次逼近型模数转换器基于virtuoso。

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第一章 绪论

随着电子科技的飞速发展，高速数据采集系统的需求越来越大。其中ADC电路的设计是其中不可或缺的一部分。本文介绍了一种基于0.18um工艺的10bit高速SAR ADC电路，该电路可以拿去直接仿真性能。在该电路的设计中，逐次逼近型模数转换器被广泛应用，从而提高了ADC的转换效率和精度。

第二章 电路设计

2.1 SAR ADC电路设计

本文设计的SAR ADC电路采用了10bit的精度，基于0.18um工艺。该电路的采样率为100MSPS，可以满足高速数据采集系统的需求。电路中的SAR逻辑电路实现了快速的数据比较和位移操作，从而实现了对模拟信号的快速采样和转换。此外，