STM32基础/读写内部flash

 STM32 读写内部 Flash 的详细过程：

一、STM32 内部 Flash 的基础知识

1. 存储结构
   • STM32 的内部 Flash 通常被划分为多个扇区，不同型号的 STM32 芯片其 Flash 的容量和扇区大小各不相同。例如，STM32F103 系列的某些型号可能具有 128KB 或 256KB 的 Flash，扇区大小通常为 1KB 或 2KB 等。
2. 地址范围
   • 内部 Flash 有其固定的地址范围，编程时需要根据芯片的数据手册来确定具体的地址范围。比如，STM32F103 系列的内部 Flash 起始地址通常为 0x08000000。

二、编程前的准备工作

1. 开启相关时钟
   • 在操作内部 Flash 之前，需要确保 Flash 接口时钟已经开启。对于 STM32F103 系列，可以通过设置 RCC 寄存器来开启。例如：

RCC_APB2PeriphClockCmd(RCC_APB2Periph_FLASH, ENABLE);

三、写入数据到内部 Flash

1. 解锁 Flash
   • 为了防止误操作，STM32 在对 Flash 进行写入操作之前需要先解锁。解锁操作通常需要按照特定的顺序向 FLASH_KEYR 寄存器写入两个特定的值。例如：

FLASH_Unlock();

1. 擦除扇区
   • Flash 的写入操作只能将数据从 1 变为 0，而不能从 0 变为 1。因此，在写入新数据之前，如果扇区内有需要从 0 变为 1 的数据，就需要先对整个扇区进行擦除操作。擦除操作是按照扇区进行的，并且需要检查擦除操作是否完成。例如：

FLASH_ErasePage(Page_Address);
while (FLASH_GetStatus()!= FLASH_COMPLETE);

其中Page_Address是要擦除的扇区的起始地址。

1. 写入数据
   • 擦除完成后，可以开始写入数据。写入操作是通过将数据按字（32 位）写入指定的 Flash 地址来实现的，并且需要检查写入操作是否完成。例如：

*(__IO uint32_t*)Address = Data;
while (FLASH_GetStatus()!= FLASH_COMPLETE);

其中Address是写入数据的目标地址，Data是要写入的 32 位数据。

1. 锁定 Flash
   • 写入操作完成后，为了保证数据的安全性，需要对 Flash 进行锁定。例如：

FLASH_Lock();

四、从内部 Flash 读取数据

1. 直接读取
   • 从内部 Flash 读取数据相对简单，只需要直接从指定的 Flash 地址读取数据即可。由于 Flash 是按字（32 位）进行读取的，因此需要根据数据的存储方式和地址对齐要求进行相应的处理。例如，如果要读取一个字节的数据，可以先按字读取，然后再进行字节提取。

uint32_t dataRead = *(__IO uint32_t*)readAddress;

其中readAddress是读取数据的起始地址。