二极管反向恢复

最新推荐文章于 2024-10-10 09:50:45 发布
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分类专栏： 硬件 文章标签： 嵌入式硬件
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问题一：二极管的反向恢复时间有什么表现

问题二：如果想在高频工况下使用二极管怎么减小恢复时间

1.

、

二极管两端电压应该在0.7v和-2.5v之间跳变

当使用二极管时

输入电压为1kHz

输入电压为10kHz

输入为100kHz

输入为1MHz

失真非常严重

二极管的电流电压波形

开关频率太快了之后会导致还处于反向恢复过程的时候就被拉回到导通状态，也就是刚到下图位置

2.

肖特基二极管在100kHz下的波形

kixixx
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元器件应用中的二极管反向恢复电流
11-16
以AC/DC Boost开关电源为例，如图1所示，主电路中输人整流桥二极管产生的反向恢复电流的di/dt远比输出二极管D反向恢复电流的|di/dt|要小得多。图2是图1开关电源中输人整流桥二极管和输出二极管的电流idc和iD波形。可见前者的反向恢复电流的最大值仅为50mA，而后者反向恢复电流的幅值达12A，而且持续时间短。显然,作为电磁干扰源来考察，后者形成的干扰强度大，而且频带也宽得多。另外，整流桥二极管产生的电压跳变，也远小于功率MOSFET开关管导通和关断时产生的电压跳变。因此，可以不计整流桥二极管产生的|du/dt|和|di/dt|的影响，而把整流电路当成电磁干扰耦合通道的一部分来加以
抑制功率二极管反向恢复几种方案的比较
10-29
高频功率二极管在电力电子装置中的应用极其广泛。但PN结功率二极管在由导通变为截止状态过程中，存在反向恢复现象。这会引起二极管损耗增大，电路效率降低以及EMI增加等问题。这一问题在大功率电源中更加突出。常用RC吸收、串入饱和电抗器吸收、软开关电路等开关软化方法加以解决，但关于其效果对比的研究报道尚不多见。本文以Buck电路为例，对这几种方案进行了比较，通过实验及仿真得出有用的结论。
二极管基础知识(2)
2303_79462608的博客
02-22 1499
3.TVS管:也称瞬态电压抑制二极管，是在齐纳二极管工艺基础上发明的一种新型高效电路保护元器件，p秒级别的响应时间和高浪涌吸收能力是TVS管的核心优势，工作原理与常见的齐纳二极管极其相似，在一定范围内，均可以限制电路中两端的电压，使得两极间的电压箝位稳定在一个安全值，从而有效的保护电路中的精密元器受高压，高流的破坏。开关A闭合，继电器的线圈产生磁场，K闭合，给后边的负载供电，线圈也是一个电感，开关A断开，电感要放电，但没有回路，随着时间增加，开关A右边的电压尖峰越来越高，换成三极管。
二极管（一）：反向恢复时间
weixin_45211050的博客
07-19 425
表示PN结两端的正向压降，一般有，即。空穴由 P 区扩散到 N 区后，并不是立即与 N 区中的电子复合后消失，而是在一定的路程（扩散长度）内，一方面继续扩散，一方面与电子复合消失，这样就会在范围内存储一定数量的空穴，并建立起一定的空穴浓度分布，靠近 PN 结边缘的浓度高，离 PN 结越远，浓度越小。由于二极管外加正向电压 时，P 区的空穴向 N 区扩散，N 区的电子向 P 区扩散，不仅使得耗尽层变窄，而且使得载流子有相当数量的存储，在 P 区内存储了电子，在N 区内存储了空穴，它们都是非平衡少子。
二极管反向恢复时间和反向恢复电流
大志0的博客
05-12 7163
二极管
二极管专题：二极管的反向恢复时间（动态特性）
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是个孩子
07-24 2万+
sdccsv
二极管反向恢复时间
u014183377的专栏
12-04 6811
http://blog.chinaunix.net/uid-21354120-id-1827658.html 开关从导通状态向截止状态转变时，二极管或整流器在二极管阻断反向电流之前需要首先释放存储的电荷，这个放电时间被称为反向恢复时间,在此期间电流反向流过二极管。即从正向导通电流为0时到进入完全截止状态的时间。 反向恢复过程，实际上是由电荷存储效应引起的，反向恢复时间就是正向导通时
二极管反向恢复特性
weixin_44634860的博客
05-30 259
二极管反向恢复特性
电子测量中的测试二极管反向恢复特性的分析仪
11-22
测试二极管的反向恢复特性一般都需要复杂的测试设备。必须能够建立正向导通条件、正向闭锁状态、及两者间的过渡。还需要有一种从所得到的波形中提取特征的手段。总而言之，这并不是一项很简单的例行操，作应由专业...
功率二极管反向恢复特性模拟研究
01-29
二极管反向恢复模型，模拟二极管反向恢复I- t、V-t 变化规律，模拟结果与已有文献结果吻合，通过控制变量得到不同存储时间trra、恢复时间trrb、正向电流If、正向电流上升速率dIf /dt 对反向恢复电流的影响，模拟结果...
元器件应用中的抑制功率二极管反向恢复几种方案的比较
12-10
摘要：介绍了开关电源中常见的二极管反向恢复问题，并以Buck电路为例对解决这一?题常用的几种方案进行了比较。 关键词：二极管；反向恢复；抑制方案引言高频功率二极管在电力电子装置中的应用极其广泛。但PN结功率...
参考资料-理解功率MOSFET体二极管反向恢复特性.zip
01-17
功率MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是电子...在提供的“理解功率MOSFET体二极管反向恢复特性.pdf”文档中，应包含了更详尽的技术细节和实例分析，对于进一步学习这一主题非常有帮助。
关于IGBT反并联二极管反向恢复
blueoce的博客
07-04 6352
二极管的反向恢复过程，实际上是其工作点从导通过度到截止。 二极管从处于导通状态到处于关断的状态，不是在一个时间点上完成的，而是在一段时间内完成的，这段时间伴随着二极管两端的电压和流过它的电流的剧烈变化。 借图一用 上图，二极管本来在续流，蓝色箭头，即二极管处于正向导通状态，下管IGBT打开之后，二极管的电流开始减小（方向朝上），直到变成0，然后反向增加到一个峰值（方向朝下，红色箭头...
嵌入式硬件设计详解
Chujun123528的博客
10-10 2105
嵌入式硬件设计是一个复杂而精细的过程，涉及需求分析、核心元件选择、原理图设计、PCB设计、硬件调试以及优化与迭代等多个环节。通过科学的设计方法和严谨的测试流程，可以设计出性能稳定、功耗低、可靠性高的嵌入式系统硬件平台。未来，随着物联网、人工智能、5G等技术的不断发展，嵌入式系统将在更多领域得到应用。因此，嵌入式硬件设计也需要不断创新和进步，以适应新的应用需求和技术挑战。例如，在物联网应用中，需要设计低功耗、高可靠性的无线通信模块；在人工智能应用中，需要设计高性能、低功耗的神经网络加速器；
着装分割-基于NCNN+YOLOv8-Seg实现行人着装分割算法-附项目源码+流程教程-优质项目实战.zip
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10-20
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Delphi 12 控件之Delphi 12 版本 俄罗斯方块.rar
最新发布
10-20
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